国際特許分類[C07C69/65]の内容
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不飽和カルボン酸ポリフルオロアルキルエステルの製造方法
【課題】重合体の原料モノマーあるいは界面活性剤の原料化合物として有用な不飽和カルボン酸ポリフルオロアルキルエステルを比較的低温で、廃棄物が少なく、簡便な反応装置を用いて、収率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式 Rf-R-OH(ここで、Rfは炭素数1〜6のポリフルオロアルキル基であり、Rは炭素数1〜6のアルキレン基である)で表されるポリフルオロアルカノールおよび不飽和カルボン酸を、含フッ素溶媒中で酸触媒および重合禁止剤の存在下で脱水反応させる。
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含フッ素連結基合成方法
【課題】液晶に用いられるアリール基、パーフロロアリール基、シクロヘキシル基などの環状炭化水素間の含フッ素連結基を、容易に合成する方法の提供。
【解決手段】 6つの工程(以下では1つのみ記述)のいずれかにより、A、B間の含フッ素連結基 −(V)mCF2CFY(W)n− を合成する方法。
(1)グリニヤ試薬AMgXをフッ素化オレフィンCF2=CFYと付加反応させ、生成したカルバニオンをハロゲン化合物BX’またはアリールエーテル化合物BOC6H4Zに作用させて、A−CF2CFY−Bを得る。
(ここで、A、Bはアリール基、パーフロロアリール基またはシクロヘキシル基;XはCl、BrまたはI;X’はBrまたはI;YはF、Cl、Br、RfまたはORf;RfはC1−C3のパーフロロアルキル基;ZはNO2、CF3またはF;VはO、SまたはSO2;WはCF2、CF2O、CFCl、CCl2、COまたはCOO;m、nは0または1)
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選択的シトクロムP450RAI−1または選択的シトクロムP450RAI−2阻害活性を有する化合物およびそれを得る方法
明細書中に提供される式1〜17の化合物は、シトクロムP450RAI-1酵素またはシトクロムP450RAI-2酵素のいずれかを特異的または選択的に阻害する。 (もっと読む)
フッ素系カルボン酸ジエステル、潤滑剤、ならびに磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法
【課題】 潤滑剤として有用な化合物であって、酸性度が低く、高温高湿下で磁性金属と接触させても錆を発生させない化合物を提供する。
【解決手段】 一般式(a):
【化1】
(式中、R1、R2、R3、R4はそれぞれ水素、脂肪族アルキル基または脂肪族アルケニル基を示し、R1およびR2のいずれか一方が水素であり、R3およびR4のいずれか一方が水素であり、mは1から6の整数であり、nは1から5の整数であり、p、qは0から30の整数であり、rは1〜12の整数である)で示されるフッ素系カルボン酸ジエステルであり、この化合物を用いて、例えば磁気記録媒体の潤滑剤層を形成すれば、潤滑性に加えて耐蝕性の点においても優れた磁気記録媒体が得られる。
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光学活性化合物およびそれを含有する液晶組成物
【課題】粘性が小さく、ヘリカルねじれ能が大であり、液晶組成物として有用な化合物を提供する。
【解決手段】式R1 −A1 −CHX−Y−A2 −(A3 )m −R2 で表される化合物、該化合物を含む液晶組成物、および該液晶組成物を用いて液晶電気光学素子。ただし、R1 は水素原子等、R2 はアルコキシ基等、A1 、A2 、A3 は1,4−フェニレン基等、Xは−CH3 または−CF3 、Yは−CH2 O−等、mは0または1。
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含フッ素化合物,表面改質剤、及びこれを用いた磁気記録媒体
【課題】潤滑性の高い含フッ素化合物,表面改質剤、及びこれを用いた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】下記一般式で表される含フッ素化合物。(式中−X−は−CONR−,−CH2NR−,−CONRCH2−,−CH2NRCH2−(RはCkH2k+1(CkH2k+1は水素或いは直鎖か分岐のアルキル鎖でkは0から17の整数)),−CH2OSO2−,−CH2OCO−,−CH2OCH2−,−CH2OCOCH2O−,−CH2OCOCH2−,−COS−,−CO2CH2−,−CO2−,−CO2CHCH3− を表す。nは1から5の整数。mは1又は2。Rf,Rf′は平均分子量800以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖。)
【化28】
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ラセミ2−(4−フルオロフェニル)−3−メチル酪酸エステルおよびラセミ2−(4−フルオロフェニル)−3−メチル酪酸の製造方法
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