含フッ素化合物，表面改質剤、及びこれを用いた磁気記録媒体
【課題】潤滑性の高い含フッ素化合物，表面改質剤、及びこれを用いた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】下記一般式で表される含フッ素化合物。（式中−Ｘ−は−ＣＯＮＲ−，−ＣＨ2ＮＲ−，−ＣＯＮＲＣＨ2−，−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−（ＲはＣkＨ2k+1（ＣkＨ2k+1は水素或いは直鎖か分岐のアルキル鎖でｋは０から１７の整数)），−ＣＨ2ＯＳＯ2−，−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−,−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−,−ＣＯＳ−，−ＣＯ2ＣＨ2−，−ＣＯ2−，−ＣＯ2ＣＨＣＨ3− を表す。ｎは１から５の整数。ｍは１又は２。Ｒｆ，Ｒｆ′は平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖。）
【化２８】
【解決手段】下記一般式で表される含フッ素化合物。（式中−Ｘ−は−ＣＯＮＲ−，−ＣＨ2ＮＲ−，−ＣＯＮＲＣＨ2−，−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−（ＲはＣkＨ2k+1（ＣkＨ2k+1は水素或いは直鎖か分岐のアルキル鎖でｋは０から１７の整数)），−ＣＨ2ＯＳＯ2−，−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−,−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−,−ＣＯＳ−，−ＣＯ2ＣＨ2−，−ＣＯ2−，−ＣＯ2ＣＨＣＨ3− を表す。ｎは１から５の整数。ｍは１又は２。Ｒｆ，Ｒｆ′は平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖。）
【化２８】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は分子内にフルオロフェニル基を有する含フッ素化合物、これを用いた表面改質剤、及びこれを用いた磁気記録媒体に関し、特に磁気記録媒体の摺動耐久性の向上を目的とした低飛散性の表面改質剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置の記録密度の増加を図るため、ヘッドとディスクの距離は小さくなる傾向にある。また高速で読み取りや書き込みを行うためにディスクの回転数は大きくなってきている。そのためヘッドとディスクの接触の機会が増え、しかもより高速で接触するためディスクの摺動条件は従来に比べて更に厳しくなってきている。この摺動に対し、磁性層の摩耗を防ぐため磁気ディスクの最外層に用いられる潤滑剤は改良が加えられてきた。
【０００３】このような潤滑剤は、例えば、パーフルオロオキシアルキレン鎖の両末端にピペロニル基を有する化合物(特開昭61−4727号公報)，パーフルオロオキシアルキル鎖やパーフルオロアルキル鎖の末端にベンゼン環を有する化合物（特開昭63−239167号公報），パーフルオロオキシアルキレン鎖やパーフルオロオキシアルキル鎖末端にカルボン酸アンモニウム塩を有する化合物(特開平5−301954号公報)等が知られている。これらを磁気ディスク表面に塗布することによってその表面は潤滑性が向上し、磁性層の摩耗はかなり押さえることができるようになった。しかし、今後更に記録密度を上げるためヘッドとディスクとがほぼ接触した状態で使用されることも予想され、これに対応するためのより潤滑性能の高いものが望まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は潤滑性の高い含フッ素化合物，表面改質剤、及びこれを用いた磁気記録媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】発明者らはパーフルオロオキシアルキレン鎖、或いはパーフルオロオキシアルキル鎖を有する種々の含フッ素化合物を検討した結果、パーフルオロオキシアルキレン鎖、或いはパーフルオロオキシアルキル鎖末端にフルオロフェニル基を有する化合物が高い潤滑性を示すことを見出した。更にこれを用いた表面改質剤からなる層を表面に形成した磁気記録媒体表面の摺動特性が良好であることを見出した。具体的には下記に示す下記の含フッ素化合物，表面改質剤、及びこれを用いた磁気記録媒体が上記課題を解決することを見出した。
【０００６】その第１は下記一般式で表される含フッ素化合物。
【０００７】
【化４】
【０００８】（式中−Ｘ−は−ＣＯＮＲ−，−ＣＨ2ＮＲ−，−ＣＯＮＲＣＨ2−，−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−（−Ｒは−ＣkＨ2k+1（ＣkＨ2k+1は水素、或いは直鎖か分岐のアルキル鎖でありｋは０から１７の整数),−ＳＯ2ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、或いは−ＳＯ2Ｃ10Ｈ7),−ＣＨ2ＯＳＯ2−，−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−，−ＣＯＳ−，−ＣＯ2ＣＨ2−，−ＣＯ2−,−ＣＯ2ＣＨＣＨ3−を表す。ｎは１から５の整数。ｍは１又は２。Ｒｆは平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖。Ｒｆ′及びＲｆ″は平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖。）
その第２は下記一般式で表される含フッ素化合物を１種類以上含有することを特徴とする表面改質剤。
【０００９】
【化５】
【００１０】（式中−Ｘ−は−ＣＯＮＲ−，−ＣＨ2ＮＲ−，−ＣＯＮＲＣＨ2−，−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−（−Ｒは−ＣkＨ2k+1（ＣkＨ2k+1は水素、或いは直鎖か分岐のアルキル鎖でありｋは０から１７の整数),−ＳＯ2ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、或いは−ＳＯ2Ｃ10Ｈ7),−ＣＨ2ＯＳＯ2−，−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−，−ＣＯＳ−，−ＣＯ2ＣＨ2−，−ＣＯ2−,−ＣＯ2ＣＨＣＨ3−を表す。ｎは１から５の整数。ｍは１又は２。Ｒｆは平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖。Ｒｆ′及びＲｆ″は平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖。）
その第３は非磁性支持体上に１層以上の磁性体層を備えた磁気記録媒体において、前記磁性体層、或いは前記磁性体層の外側に備えた保護層表面に下記一般式で表される含フッ素化合物を１種類以上含有する膜を形成したことを特徴とする磁気記録媒体。
【００１１】
【化６】
【００１２】（式中−Ｘ−は−ＣＯＮＲ−，−ＣＨ2ＮＲ−，−ＣＯＮＲＣＨ2−，−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−（−Ｒは−ＣkＨ2k+1（ＣkＨ2k+1は水素、或いは直鎖か分岐のアルキル鎖でありｋは０から１７の整数),−ＳＯ2ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、或いは−ＳＯ2Ｃ10Ｈ7),−ＣＨ2ＯＳＯ2−，−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−，−ＣＯＳ−，−ＣＯ2ＣＨ2−，−ＣＯ2−,−ＣＯ2ＣＨＣＨ3−を表す。ｎは１から５の整数。ｍは１又は２。Ｒｆは平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖。Ｒｆ′及びＲｆ″は平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖。）
化１から化６の化合物の基本構造はパーフルオロオキシアルキレン鎖、或いはパーフルオロオキシアルキル鎖末端にフルオロフェニル基を有する化合物である。
【００１３】Ｒｆはパーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖を表している。またＲｆ′及びＲｆ″はパーフルオロポリオキシアルキル鎖を表している。これらを導入する際の原料はMontefluos 社製のFomblin（繰り返し単位は−(ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)α−(ＣＦ2Ｏ)β−、或いは −(ＣＦ(ＣＦ3)−ＣＦ2Ｏ)α′−(ＣＦ2Ｏ)β′−)，ダイキン工業社製DEMNUM（繰り返し単位は−(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)γ−），Du Pont社製のKrytox（繰り返し単位は−(ＣＦ(ＣＦ3)ＣＦ2Ｏ)δ−）等が挙げられる。これらの平均分子量は１５００前後から１５０００程度までのものがある。分子量が大きいほど摺動による飛散は少ない。本発明の化合物を合成する際はパーフルオロポリオキシアルキル鎖末端、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖末端にカルボキシル基，ハイドロキシメチレン基，ヨウ化エチレン基等を持ったものを用いる。パーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖の分子量が低すぎると（８００未満の場合）パーフルオロヘキサン系の溶剤への溶解性が低下する傾向がある。そのため分子量は８００以上が望ましい。また、更に溶解性を上げるにはＲｆ，Ｒｆ′及びＲｆ″の分子量をなるべく大きくすることが望ましい。そのため、できれば２０００以上のものが望ましい。
【００１４】−Ｘ−はＲｆとフルオロ基を持つベンゼン環の結合部位である。この構造は−ＣＯＮＲ−や−ＣＯＮＲＣＨ2−といったアミド結合（ＲはＣkＨ2k+1（ＣkＨ2k+1 は水素、或いは直鎖か分岐のアルキル鎖でありｋは０から１７の整数)),−ＣＨ2ＮＲ−や−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−のようなアミン結合,−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−，−ＣＯ2ＣＨ2−,−ＣＯ2−，−ＣＯ2ＣＨＣＨ3−のようなエステル結合，−ＣＯＳ−のようなチオエステル結合，−ＣＨ2ＯＳＯ2−のようなスルホン酸エステル結合，−ＣＨ2ＯＣＨ2−のようなエーテル結合が挙げられる。
【００１５】これらのうち−Ｘ−が−ＣＯＮＲ−，−ＣＯＮＲＣＨ2−，−ＣＯＳ−，−ＣＯ2ＣＨ2−，−ＣＯ2−、或いは−ＣＯ2ＣＨＣＨ3− 等の場合はＲｆの末端はＣＯ2ＨやＣＯＣｌといったものを用いて合成する。−ＣＨ2ＮＲ−，−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−，−ＣＨ2ＯＳＯ2−，−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＨ2−,−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−、或いは−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−等の場合はＲｆの末端はＣＨ2ＣｌやＣＨ2ＯＨといったものを用いて合成する。
【００１６】ｎはフェニル基に結合しているフルオロ基の数である。摺動特性を向上するには必ずフルオロ基は必要である。またフルオロ基が多いものほど摺動特性が良好である傾向があるが、導入できる個数は最大５つである。そのためｎの範囲は１から５の整数になる。
【００１７】ｍはフルオロフェニル基の導入個数である。Ｒｆがパーフルオロポリオキシアルキル鎖の場合は片末端がＣＦ3 であるからフルオロフェニル基は１個導入可能となる。またＲｆがパーフルオロポリオキシアルキレン鎖の場合は両末端に導入できる可能性がある。そのためｍは１か２である。
【００１８】本発明以外の潤滑剤でも主鎖の構造はパーフルオロオキシアルキレン鎖、或いはパーフルオロオキシアルキル鎖のものが多い。そのため本発明の化合物の潤滑剤としての作用は主にパーフルオロオキシアルキレン鎖、或いはパーフルオロオキシアルキル鎖が発現していると考えられる。末端のフルオロフェニル基のフルオロ基はこの作用を更に高める何らかの役割を担っていると推定される。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明を実施例により詳細に説明する。
【００２０】（実施例１）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯＮＨＣＨ2−，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物１）の合成方法を記述する。
【００２１】
【化７】
【００２２】化合物１はペンタフルオロベンジルアミンのアミノ基とMontefluos 社製 Fomblin のＺ−ＤＩＡＣ（分子量約４０００）のカルボキシル基を反応（この場合はアミド化）させることにより得られる。
【００２３】初めにペンタフルオロベンジルアミンの合成方法を示す。ペンタフルオロベンゾニトリル（２０重量部）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（２００重量部）に溶解させ、これに水素化リチウムアルミニウム（５重量部）を加え、乾燥窒素雰囲気下６時間撹拌する。反応液を細かく砕いた氷（５００重量部）に注ぐ。塩化メチレン（１００重量部）で３回抽出し、抽出液を硫酸ナトリウムで乾燥する。エバポレータで塩化メチレンを揮発させ、酢酸エチルとｎ−ヘキサンから再結晶しペンタフルオロベンジルアミン（１８重量部）を得る。
【００２４】次にアミド化を記述する。Ｚ−ＤＩＡＣ（２０重量部）を３Ｍ社製フッ素系溶剤ＦＣ−７２（２００重量部）に溶解した後、溶液を０℃に冷却下ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）（４重量部）を加え撹拌する。これに上記反応で得たペンタフルオロベンジルアミン（３重量部）を塩化メチレン（２０重量部）に溶解したものを加え、０℃で２時間，引き続き常温で３０時間撹拌する。撹拌後２４時間静置すると２層に分離し、上層に固体が析出する。上層（塩化メチレン層）を除去後下層（ＦＣ−７２層）をＧ２のフィルタで濾過し、濾液中のＦＣ−７２をエバポレータで揮発させ、更に真空ポンプで完全に揮発させることで目的の化合物１（２０重量部）を得た。
【００２５】なお図１に化合物１のＩＲスペクトルを示す。
【００２６】（実施例２）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯＮＨ−，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物２）の合成方法を記述する。
【００２７】
【化８】
【００２８】化合物２はペンタフルオロベンジルアミンの代わりにペンタフルオロアニリン（３重量部）を用いる以外は化合物１と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００２９】化合物２のＩＲスペクトルは２９００cm-1付近の吸収がない以外は化合物１のスペクトルと同様であった。
【００３０】（実施例３）Ｒｆがパーフルオロオキシプロピルユニットの繰り返し単位のパーフルオロオキシアルキル基で、−Ｘ−が−ＣＯＮＨＣＨ2− ，ｎが５，ｍが１の化合物（化合物３）の合成方法を記述する。
【００３１】
【化９】
【００３２】化合物３はＺ−ＤＩＡＣの代わりにダイキン工業社製DEMNUMのＳＨ（分子量約４０００）（４０重量部）を用いる以外は化合物１と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００３３】化合物３のＩＲスペクトルは１７００cm-1付近の吸収が若干小さい以外は化合物１のスペクトルと同様であった。
【００３４】（実施例４）Ｒｆがパーフルオロオキシイソプロピルユニットの繰り返し単位のパーフルオロオキシアルキル基で、−Ｘ−が−ＣＯＮＨＣＨ2− ，ｎが５，ｍが１の化合物（化合物４）の合成方法を記述する。
【００３５】
【化１０】
【００３６】化合物４はＺ−ＤＩＡＣの代わりにDu Pont社製Krytoxの１５７ ＦＳ−Ｌ(分子量約１９２０）（２０重量部）を用いる以外は化合物１と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００３７】化合物４のＩＲスペクトルは化合物１のスペクトルとほぼ同様であった。
【００３８】（実施例５）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯＮＨＣＨ2− ，ｎが１，ｍが２の化合物（化合物５）の合成方法を記述する。
【００３９】
【化１１】
【００４０】化合物５はペンタフルオロベンジルアミンの代わりに３−フルオロベンジルアミン（３重量部）を用いる以外は化合物１と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００４１】なお図２に化合物５のＩＲスペクトルを示す。
【００４２】（実施例６）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯＮＨＣＨ2− ，ｎが２，ｍが２の化合物（化合物６）の合成方法を記述する。
【００４３】
【化１２】
【００４４】化合物６はペンタフルオロベンジルアミンの代わりに３，５−ジフルオロベンジルアミン（３重量部）を用いる以外は化合物１と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００４５】なお図３に化合物６のＩＲスペクトルを示す。
【００４６】（実施例７）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯＮ((ＣＨ2)17ＣＨ3)ＣＨ2− ，ｎが１，ｍが２の化合物（化合物７）の合成方法を記述する。
【００４７】
【化１３】
【００４８】化合物７はＺ−ＤＩＡＣのカルボン酸クロライドと３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンを反応させることにより得られる。
【００４９】初めにＺ−ＤＩＡＣのカルボン酸クロライドの合成方法を示す。Ｚ−ＤＩＡＣ（２０重量部）をＦＣ−７２（１００重量部）に溶解し、これに塩化メチレン（２０重量部）と塩化チオニル（１重量部）を加え、５時間還流する。還流後１２時間静置し、上層（塩化メチレン層）を除く。下層（ＦＣ−７２層）をＧ２のフィルタで濾過し、濾液中のＦＣ−７２をエバポレータで揮発させ、更に真空ポンプで完全に揮発させることでＺ−ＤＩＡＣのカルボン酸クロライド（２０重量部）を得た。この化合物は水と反応し容易にＺ−ＤＩＡＣへ戻ってしまうので湿気を与えないよう注意する必要がある。
【００５０】次に３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの合成方法を記述する。３−フルオロベンジルアミン（１３重量部）をピリジン（１００重量部）に溶解し、約０℃に冷却下パラトルエンスルホニルクロライド（２１重量部）を加え、室温で１２時間撹拌する。反応液を５％塩酸に注ぎ析出する固体を濾取する。この固体を５％塩酸で洗った後、引き続き洗液が中性になるまで水で洗う。エタノールで再結晶し３−フルオロベンジルアミンとパラトルエンスルホン酸からなるアミド（２５重量部）を得る。
【００５１】この反応で得られた３−フルオロベンジルアミンとパラトルエンスルホン酸からなるアミド（１４重量部）をエタノール（２００重量部）に懸濁し、これに１−ブロモオクタデカン（２０重量部）と炭酸カリウム（８重量部）を加え、２０時間還流する。反応液中のエタノールをエバポレータで揮発させた後、塩化メチレン（２００重量部）を加えて良く撹拌する。塩化メチレンを水で洗った後、硫酸ナトリウムで乾燥する。塩化メチレンをエバポレータで揮発させた後、残渣をエタノール：アセトン＝１：１の混合溶媒で再結晶し３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンとパラトルエンスルホン酸からなるアミド（２０重量部）を得た。
【００５２】この反応で得られた３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンとパラトルエンスルホン酸からなるアミド（２０重量部）をエタノール（２００重量部）に懸濁し、これに３５％塩酸（５０重量部）を加え１２時間還流する。反応液を冷却後エバポレータで反応液を乾固し、５％炭酸ナトリウム水溶液（２００重量部）と塩化メチレン（２００重量部）を加え約１分間撹拌する。水層を除去し、塩化メチレン層を硫酸ナトリウムで乾燥する。エバポレータで塩化メチレンを揮発後残渣をエタノール：アセトン＝１：２の混合溶媒で再結晶し３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミン（１０重量部）を得た。
【００５３】最後に化合物７の合成方法を記述する。上記方法で得られたＺ−ＤＩＡＣのカルボン酸クロライド（２０重量部）をＦＣ−７２（１００重量部）に溶解し、これに３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミン（１０重量部）を塩化メチレン（１００重量部）に溶解したものを加え、室温で１２時間撹拌し、その後１２時間静置する。上層（塩化メチレン層）を除去し、下層（ＦＣ−７２層）をエバポレータで揮発させ、更に真空ポンプで完全に揮発させることで目的の化合物７（２０重量部）を得た。
【００５４】なお図４に化合物７のＩＲスペクトルを示す。
【００５５】（実施例８）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯＮ((ＣＨ2)17ＣＨ3)−，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物８）の合成方法を記述する。
【００５６】
【化１４】
【００５７】化合物８は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの代わりにペンタフルオロ−Ｎ−ヘキシルアニリン（８重量部）を用いる以外は化合物７と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００５８】ペンタフルオロ−Ｎ−ヘキシルアニリンは３−フルオロベンジルアミンの代わりにペンタフルオロアニリンを用い、１−ブロモオクタデカンの代わりに１−ブロモヘキサンを用いる以外は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンを合成する際と同様の方法で得られる。
【００５９】化合物８のＩＲスペクトルは２９００cm-1付近の吸収が若干小さい以外は化合物７のスペクトルと同様であった。
【００６０】（実施例９）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯ2ＣＨ2−，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物９）の合成方法を記述する。
【００６１】
【化１５】
【００６２】化合物９は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの代わりにペンタフルオロベンジルアルコール（８重量部）を用いる以外は化合物７と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００６３】なお図５に化合物９のＩＲスペクトルを示す。
【００６４】（実施例１０）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯ2− ，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物１０）の合成方法を記述する。
【００６５】
【化１６】
【００６６】化合物１０は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの代わりにペンタフルオロフェノール（７重量部）を用いる以外は化合物７と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００６７】化合物１０のＩＲスペクトルは２９００cm-1付近の吸収がない以外は化合物９のスペクトルと同様であった。
【００６８】（実施例１１）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯ2ＣＨＣＨ3−，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物１１）の合成方法を記述する。
【００６９】
【化１７】
【００７０】化合物１１は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの代わりに１−（ペンタフルオロフェニル）エタノール（８重量部）を用いる以外は化合物７と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００７１】化合物１１のＩＲスペクトルは２９００cm-1付近の吸収が若干大きい以外は化合物９のスペクトルとほぼ同様であった。
【００７２】（実施例１２）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯＳ−，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物１２）の合成方法を記述する。
【００７３】
【化１８】
【００７４】化合物１２は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの代わりにペンタフルオロチオフェノール（８重量部）を用いる以外は化合物７と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００７５】化合物１２のＩＲスペクトルは１７００cm-1付近と２９００cm-1付近の吸収がない以外は化合物９のスペクトルとほぼ同様であった。
【００７６】（実施例１３）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＨ2Ｎ((ＣＨ2)17ＣＨ3)ＣＨ2−，ｎが１，ｍが２の化合物（化合物１３）の合成方法を記述する。
【００７７】
【化１９】
【００７８】化合物１３は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンと、Montefluos社製Fomblin のＺ−ＤＯＬ（分子量約４０００）の水酸基をクロル基に置換した化合物を反応させることにより得られる。
【００７９】初めにＺ−ＤＯＬの水酸基をクロル基に置換した化合物の合成方法を示す。Ｚ−ＤＯＬ（２０重量部）をＦＣ−７２（１００重量部）に溶解し、これにピリジン（１０重量部）を塩化メチレン（５０重量部）に溶かしたものを加え、更に塩化チオニル（５重量部）を加え、５時間還流する。還流後１２時間静置し、上層（塩化メチレン層）を除く。下層（ＦＣ−７２層）をＧ２のフィルタで濾過し、濾液中のＦＣ−７２をエバポレータで揮発させ、更に真空ポンプで完全に揮発させることでＺ−ＤＯＬの水酸基をクロル基に置換した化合物（２０重量部）を得た。なお、３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの合成は実施例７中に記述した。
【００８０】次に化合物１３の合成方法を記述する。上記方法で得られたＺ−ＤＯＬの水酸基をクロル基に置換した化合物（２０重量部）を３Ｍ社製フッ素系溶剤ＦＣ−７７（１００重量部）に溶解し、これに３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミン（１０重量部）と炭酸カリウム（５重量部）をエタノール（１００重量部）に懸濁したものを加え、１２時間還流し、その後室温で４８時間静置する。上層（エタノール層）を除去し、下層（ＦＣ−７７層）をＧ２のフィルタで濾過し、濾液中のＦＣ−７７をエバポレータで揮発させ、更に真空ポンプで完全に揮発させることで目的の化合物１３（２０重量部）を得た。
【００８１】なお図６に化合物１３のＩＲスペクトルを示す。
【００８２】（実施例１４）Ｒｆ′がパーフルオロオキシアルキレン基で、ｎが１の化合物（化合物１４）の合成方法を記述する。
【００８３】
【化２０】
【００８４】化合物１４は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの代わりに３−フルオロベンジルアミン（０.３重量部）を用い、FomblinのＺ−ＤＯＬの代わりにダイキン工業社製DEMNUMのＳＡ（分子量約４０００）（２０重量部）を用いる以外は化合物１３と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００８５】化合物１４のＩＲスペクトルは２９００cm-1付近の吸収が小さい以外は化合物１３のスペクトルとほぼ同様であった。
【００８６】（実施例１５）Ｒｆ″がパーフルオロオキシアルキレン基で、ｎが５の化合物（化合物１５）の合成方法を記述する。
【００８７】
【化２１】
【００８８】化合物１５は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの代わりにペンタフルオロアニリン（０.４重量部）を用い、FomblinのＺ−ＤＯＬの代わりにＳＡ（２０重量部）を用いる以外は化合物１３と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００８９】化合物１５のＩＲスペクトルは２９００cm-1付近の吸収が小さい以外は化合物１３のスペクトルとほぼ同様であった。
【００９０】（実施例１６）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＨ2Ｎ(ＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3)ＣＨ2− ，ｎが１，ｍが２の化合物（化合物１６)の合成方法を記述する。
【００９１】
【化２２】
【００９２】化合物１６は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの代わりに３−フルオロベンジルアミンとパラトルエンスルホン酸からなるアミド(１０重量部)を用いる以外は化合物１３と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。ところで３−フルオロベンジルアミンとパラトルエンスルホン酸からなるアミドは実施例７の３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの合成の際の中間体であり、その合成方法は実施例７で記述している。
【００９３】化合物１６のＩＲスペクトルは３３００〜３２００cm-1付近の吸収が若干大きい以外は化合物１３のスペクトルとほぼ同様であった。
【００９４】（実施例１７）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＨ2ＣＯ2−，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物１７）の合成方法を記述する。
【００９５】
【化２３】
【００９６】Ｚ−ＤＯＬ（２０重量部）をＦＣ−７２（１００重量部）に溶解し、これにピリジン（５重量部）を塩化メチレン（５０重量部）に溶かしたものを加え、更にペンタフルオロ安息香酸クロライド（５重量部）を加え、５時間還流する。還流後１２時間静置し、上層（塩化メチレン層）を除く。下層（ＦＣ−７２層）をＧ２のフィルタで濾過し、濾液中のＦＣ−７２をエバポレータで揮発させ、更に真空ポンプで完全に揮発させることで化合物１７（２０重量部）を得た。
【００９７】なお図７に化合物１７のＩＲスペクトルを示す。
【００９８】（実施例１８）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＨ2ＯＳＯ2− ，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物１８）の合成方法を記述する。
【００９９】
【化２４】
【０１００】化合物１８はペンタフルオロ安息香酸クロライドの代わりにペンタフルオロスルホン酸クロライド（６重量部）を用いる以外は化合物１７と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【０１０１】化合物１８のＩＲスペクトルは１７００cm-1付近の吸収がない以外は化合物１７のスペクトルとほぼ同様であった。
【０１０２】（実施例１９）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−,ｎが５，ｍが２の化合物（化合物１９）の合成方法を記述する。
【０１０３】
【化２５】
【０１０４】化合物１９はペンタフルオロ安息香酸クロライドの代わりにペンタフルオロフェニル酢酸クロライド（７重量部）を用いる以外は化合物１７と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【０１０５】ペンタフルオロフェニル酢酸クロライドはペンタフルオロフェニル酢酸（７重量部）と塩化チオニル（７重量部）を塩化メチレン（５０重量部）に溶解し、５時間還流後、反応液をエバポレータで揮発させることによって得られる。
【０１０６】化合物１９のＩＲスペクトルは２９００cm-1付近の吸収が若干大きい以外は化合物１７のスペクトルとほぼ同様であった。
【０１０７】（実施例２０）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物２０）の合成方法を記述する。
【０１０８】
【化２６】
【０１０９】化合物２０はペンタフルオロ安息香酸クロライドの代わりにペンタフルオロフェノキシ酢酸クロライド（８重量部）を用いる以外は化合物１７と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【０１１０】ペンタフルオロフェノキシ酢酸クロライドはペンタフルオロフェノキシ酢酸（８重量部）と塩化チオニル（７重量部）を塩化メチレン（５０重量部）に溶解し、５時間還流後、反応液をエバポレータで揮発させることによって得られる。化合物２０のＩＲスペクトルは２９００cm-1付近の吸収が若干大きい以外は化合物１７のスペクトルとほぼ同様であった。
【０１１１】（実施例２１）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＨ2ＯＣＨ2− ，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物２１）の合成方法を記述する。
【０１１２】
【化２７】
【０１１３】化合物２１はＺ−ＤＯＬをパラトルエンスルホニル化（トシル化）した化合物とペンタフルオロベンジルブロマイドを縮合（この場合はエーテル化）することにより得られる。
【０１１４】まずＺ−ＤＯＬをトシル化した化合物の合成方法を示す。Ｚ−ＤＯＬ（２０重量部）をＦＣ−７２（１００重量部）に溶解し、これにピリジン（１０重量部）を塩化メチレン（５０重量部）に溶かしたものを加え、更にパラトルエンスルホニルクロライド（４重量部）を加え、５時間還流する。還流後１２時間静置し、上層（塩化メチレン層）を除く。下層（ＦＣ−７２層）をＧ２のフィルタで濾過し、濾液中のＦＣ−７２をエバポレータで揮発させ、更に真空ポンプで完全に揮発させることでＺ−ＤＯＬをトシル化した化合物（２０重量部）を得た。
【０１１５】次に化合物２１の合成方法を示す。Ｚ−ＤＯＬをトシル化した化合物（２０重量部）をＦＣ−７２（１００重量部）に溶解し、これに水素化ナトリウム（１重量部）をＴＨＦ（１００重量部）に懸濁したものを加え良く撹拌する。更にペンタフルオロベンジルブロマイドをＴＨＦ（１００重量部）に溶解したものを２時間かけて滴下後、乾燥窒素雰囲気下６時間撹拌する。反応液を細かく砕いた氷（５００重量部）に注ぐ。ＦＣ−７２（１００重量部）で３回抽出し、抽出液を硫酸ナトリウムで乾燥する。エバポレータでＦＣ−７２を揮発させ、更に真空ポンプで完全に揮発させることで目的の化合物２１（２０重量部）を得た。
【０１１６】化合物２１のＩＲスペクトルは１３００〜１０００cm-1付近の吸収が若干小さい以外は化合物１４のスペクトルとほぼ同様であった。
【０１１７】（実施例２２）５.２５ インチのＡｌ合金ディスク表面のＮｉ−Ｐ層とその上にＣｏ層を設け、この上にＮｉ−Ｃｏ系の磁性層を５０ｎｍの厚さにスパッタ蒸着し、更にカーボンからなる保護層を５０ｎｍの厚さに製膜したディスクを用意する。このディスクを化合物１から２１の０.１ｗｔ％ のＦＣ−７２溶液に１分間浸漬し、その後引上げ速度１mm／ｓで引上げた後、室温に２時間放置して溶剤を揮発させ、化合物１から２１の膜を表面に形成したディスクを作成した。このディスクの構成の模式図を図８に示す。
【０１１８】これらディスクの摺動特性をＣＳＳ法（コンタクトスタートストップ法：試験機は小野田セメント(株)製）で評価した。条件は回転数：３６００rpm ，１サイクル：３０秒，最終サイクル数１０００サイクル，ヘッド荷重：１０ｇで、最終サイクルのスティクション時の摩擦力で評価した。これらの比較例としてステアリン酸アンモニウム（表１では化合物２２と記述）も評価した。結果を表１に示す。
【０１１９】
【表１】
【０１２０】この結果より、本発明の磁気記録媒体の表面の摺動特性は非常に高いことがわかった。また、このことから本発明の化合物は潤滑性を向上する表面改質剤として作用することもわかった。
【０１２１】
【発明の効果】潤滑性の高い含フッ素化合物，表面改質剤、及びこれを用いた磁気記録媒体を提供することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】化合物１のＩＲスペクトル図。
【図２】化合物５のＩＲスペクトル図。
【図３】化合物６のＩＲスペクトル図。
【図４】化合物７のＩＲスペクトル図。
【図５】化合物９のＩＲスペクトル図。
【図６】化合物１３のＩＲスペクトル図。
【図７】化合物１７のＩＲスペクトル図。
【図８】本発明の磁気記録媒体の断面図。
【符号の説明】
１…Ａｌ合金、２…Ｎｉ−Ｐ層、３…Ｃｒ層、４…Ｎｉ−Ｃｏ合金の磁性層、５…カーボン層、６…化合物を含む層。
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は分子内にフルオロフェニル基を有する含フッ素化合物、これを用いた表面改質剤、及びこれを用いた磁気記録媒体に関し、特に磁気記録媒体の摺動耐久性の向上を目的とした低飛散性の表面改質剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置の記録密度の増加を図るため、ヘッドとディスクの距離は小さくなる傾向にある。また高速で読み取りや書き込みを行うためにディスクの回転数は大きくなってきている。そのためヘッドとディスクの接触の機会が増え、しかもより高速で接触するためディスクの摺動条件は従来に比べて更に厳しくなってきている。この摺動に対し、磁性層の摩耗を防ぐため磁気ディスクの最外層に用いられる潤滑剤は改良が加えられてきた。
【０００３】このような潤滑剤は、例えば、パーフルオロオキシアルキレン鎖の両末端にピペロニル基を有する化合物(特開昭61−4727号公報)，パーフルオロオキシアルキル鎖やパーフルオロアルキル鎖の末端にベンゼン環を有する化合物（特開昭63−239167号公報），パーフルオロオキシアルキレン鎖やパーフルオロオキシアルキル鎖末端にカルボン酸アンモニウム塩を有する化合物(特開平5−301954号公報)等が知られている。これらを磁気ディスク表面に塗布することによってその表面は潤滑性が向上し、磁性層の摩耗はかなり押さえることができるようになった。しかし、今後更に記録密度を上げるためヘッドとディスクとがほぼ接触した状態で使用されることも予想され、これに対応するためのより潤滑性能の高いものが望まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は潤滑性の高い含フッ素化合物，表面改質剤、及びこれを用いた磁気記録媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】発明者らはパーフルオロオキシアルキレン鎖、或いはパーフルオロオキシアルキル鎖を有する種々の含フッ素化合物を検討した結果、パーフルオロオキシアルキレン鎖、或いはパーフルオロオキシアルキル鎖末端にフルオロフェニル基を有する化合物が高い潤滑性を示すことを見出した。更にこれを用いた表面改質剤からなる層を表面に形成した磁気記録媒体表面の摺動特性が良好であることを見出した。具体的には下記に示す下記の含フッ素化合物，表面改質剤、及びこれを用いた磁気記録媒体が上記課題を解決することを見出した。
【０００６】その第１は下記一般式で表される含フッ素化合物。
【０００７】
【化４】
【０００８】（式中−Ｘ−は−ＣＯＮＲ−，−ＣＨ2ＮＲ−，−ＣＯＮＲＣＨ2−，−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−（−Ｒは−ＣkＨ2k+1（ＣkＨ2k+1は水素、或いは直鎖か分岐のアルキル鎖でありｋは０から１７の整数),−ＳＯ2ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、或いは−ＳＯ2Ｃ10Ｈ7),−ＣＨ2ＯＳＯ2−，−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−，−ＣＯＳ−，−ＣＯ2ＣＨ2−，−ＣＯ2−,−ＣＯ2ＣＨＣＨ3−を表す。ｎは１から５の整数。ｍは１又は２。Ｒｆは平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖。Ｒｆ′及びＲｆ″は平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖。）
その第２は下記一般式で表される含フッ素化合物を１種類以上含有することを特徴とする表面改質剤。
【０００９】
【化５】
【００１０】（式中−Ｘ−は−ＣＯＮＲ−，−ＣＨ2ＮＲ−，−ＣＯＮＲＣＨ2−，−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−（−Ｒは−ＣkＨ2k+1（ＣkＨ2k+1は水素、或いは直鎖か分岐のアルキル鎖でありｋは０から１７の整数),−ＳＯ2ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、或いは−ＳＯ2Ｃ10Ｈ7),−ＣＨ2ＯＳＯ2−，−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−，−ＣＯＳ−，−ＣＯ2ＣＨ2−，−ＣＯ2−,−ＣＯ2ＣＨＣＨ3−を表す。ｎは１から５の整数。ｍは１又は２。Ｒｆは平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖。Ｒｆ′及びＲｆ″は平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖。）
その第３は非磁性支持体上に１層以上の磁性体層を備えた磁気記録媒体において、前記磁性体層、或いは前記磁性体層の外側に備えた保護層表面に下記一般式で表される含フッ素化合物を１種類以上含有する膜を形成したことを特徴とする磁気記録媒体。
【００１１】
【化６】
【００１２】（式中−Ｘ−は−ＣＯＮＲ−，−ＣＨ2ＮＲ−，−ＣＯＮＲＣＨ2−，−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−（−Ｒは−ＣkＨ2k+1（ＣkＨ2k+1は水素、或いは直鎖か分岐のアルキル鎖でありｋは０から１７の整数),−ＳＯ2ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、或いは−ＳＯ2Ｃ10Ｈ7),−ＣＨ2ＯＳＯ2−，−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−，−ＣＯＳ−，−ＣＯ2ＣＨ2−，−ＣＯ2−,−ＣＯ2ＣＨＣＨ3−を表す。ｎは１から５の整数。ｍは１又は２。Ｒｆは平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖。Ｒｆ′及びＲｆ″は平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖。）
化１から化６の化合物の基本構造はパーフルオロオキシアルキレン鎖、或いはパーフルオロオキシアルキル鎖末端にフルオロフェニル基を有する化合物である。
【００１３】Ｒｆはパーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖を表している。またＲｆ′及びＲｆ″はパーフルオロポリオキシアルキル鎖を表している。これらを導入する際の原料はMontefluos 社製のFomblin（繰り返し単位は−(ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)α−(ＣＦ2Ｏ)β−、或いは −(ＣＦ(ＣＦ3)−ＣＦ2Ｏ)α′−(ＣＦ2Ｏ)β′−)，ダイキン工業社製DEMNUM（繰り返し単位は−(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)γ−），Du Pont社製のKrytox（繰り返し単位は−(ＣＦ(ＣＦ3)ＣＦ2Ｏ)δ−）等が挙げられる。これらの平均分子量は１５００前後から１５０００程度までのものがある。分子量が大きいほど摺動による飛散は少ない。本発明の化合物を合成する際はパーフルオロポリオキシアルキル鎖末端、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖末端にカルボキシル基，ハイドロキシメチレン基，ヨウ化エチレン基等を持ったものを用いる。パーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖の分子量が低すぎると（８００未満の場合）パーフルオロヘキサン系の溶剤への溶解性が低下する傾向がある。そのため分子量は８００以上が望ましい。また、更に溶解性を上げるにはＲｆ，Ｒｆ′及びＲｆ″の分子量をなるべく大きくすることが望ましい。そのため、できれば２０００以上のものが望ましい。
【００１４】−Ｘ−はＲｆとフルオロ基を持つベンゼン環の結合部位である。この構造は−ＣＯＮＲ−や−ＣＯＮＲＣＨ2−といったアミド結合（ＲはＣkＨ2k+1（ＣkＨ2k+1 は水素、或いは直鎖か分岐のアルキル鎖でありｋは０から１７の整数)),−ＣＨ2ＮＲ−や−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−のようなアミン結合,−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−，−ＣＯ2ＣＨ2−,−ＣＯ2−，−ＣＯ2ＣＨＣＨ3−のようなエステル結合，−ＣＯＳ−のようなチオエステル結合，−ＣＨ2ＯＳＯ2−のようなスルホン酸エステル結合，−ＣＨ2ＯＣＨ2−のようなエーテル結合が挙げられる。
【００１５】これらのうち−Ｘ−が−ＣＯＮＲ−，−ＣＯＮＲＣＨ2−，−ＣＯＳ−，−ＣＯ2ＣＨ2−，−ＣＯ2−、或いは−ＣＯ2ＣＨＣＨ3− 等の場合はＲｆの末端はＣＯ2ＨやＣＯＣｌといったものを用いて合成する。−ＣＨ2ＮＲ−，−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−，−ＣＨ2ＯＳＯ2−，−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＨ2−,−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−、或いは−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−等の場合はＲｆの末端はＣＨ2ＣｌやＣＨ2ＯＨといったものを用いて合成する。
【００１６】ｎはフェニル基に結合しているフルオロ基の数である。摺動特性を向上するには必ずフルオロ基は必要である。またフルオロ基が多いものほど摺動特性が良好である傾向があるが、導入できる個数は最大５つである。そのためｎの範囲は１から５の整数になる。
【００１７】ｍはフルオロフェニル基の導入個数である。Ｒｆがパーフルオロポリオキシアルキル鎖の場合は片末端がＣＦ3 であるからフルオロフェニル基は１個導入可能となる。またＲｆがパーフルオロポリオキシアルキレン鎖の場合は両末端に導入できる可能性がある。そのためｍは１か２である。
【００１８】本発明以外の潤滑剤でも主鎖の構造はパーフルオロオキシアルキレン鎖、或いはパーフルオロオキシアルキル鎖のものが多い。そのため本発明の化合物の潤滑剤としての作用は主にパーフルオロオキシアルキレン鎖、或いはパーフルオロオキシアルキル鎖が発現していると考えられる。末端のフルオロフェニル基のフルオロ基はこの作用を更に高める何らかの役割を担っていると推定される。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明を実施例により詳細に説明する。
【００２０】（実施例１）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯＮＨＣＨ2−，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物１）の合成方法を記述する。
【００２１】
【化７】
【００２２】化合物１はペンタフルオロベンジルアミンのアミノ基とMontefluos 社製 Fomblin のＺ−ＤＩＡＣ（分子量約４０００）のカルボキシル基を反応（この場合はアミド化）させることにより得られる。
【００２３】初めにペンタフルオロベンジルアミンの合成方法を示す。ペンタフルオロベンゾニトリル（２０重量部）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（２００重量部）に溶解させ、これに水素化リチウムアルミニウム（５重量部）を加え、乾燥窒素雰囲気下６時間撹拌する。反応液を細かく砕いた氷（５００重量部）に注ぐ。塩化メチレン（１００重量部）で３回抽出し、抽出液を硫酸ナトリウムで乾燥する。エバポレータで塩化メチレンを揮発させ、酢酸エチルとｎ−ヘキサンから再結晶しペンタフルオロベンジルアミン（１８重量部）を得る。
【００２４】次にアミド化を記述する。Ｚ−ＤＩＡＣ（２０重量部）を３Ｍ社製フッ素系溶剤ＦＣ−７２（２００重量部）に溶解した後、溶液を０℃に冷却下ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）（４重量部）を加え撹拌する。これに上記反応で得たペンタフルオロベンジルアミン（３重量部）を塩化メチレン（２０重量部）に溶解したものを加え、０℃で２時間，引き続き常温で３０時間撹拌する。撹拌後２４時間静置すると２層に分離し、上層に固体が析出する。上層（塩化メチレン層）を除去後下層（ＦＣ−７２層）をＧ２のフィルタで濾過し、濾液中のＦＣ−７２をエバポレータで揮発させ、更に真空ポンプで完全に揮発させることで目的の化合物１（２０重量部）を得た。
【００２５】なお図１に化合物１のＩＲスペクトルを示す。
【００２６】（実施例２）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯＮＨ−，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物２）の合成方法を記述する。
【００２７】
【化８】
【００２８】化合物２はペンタフルオロベンジルアミンの代わりにペンタフルオロアニリン（３重量部）を用いる以外は化合物１と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００２９】化合物２のＩＲスペクトルは２９００cm-1付近の吸収がない以外は化合物１のスペクトルと同様であった。
【００３０】（実施例３）Ｒｆがパーフルオロオキシプロピルユニットの繰り返し単位のパーフルオロオキシアルキル基で、−Ｘ−が−ＣＯＮＨＣＨ2− ，ｎが５，ｍが１の化合物（化合物３）の合成方法を記述する。
【００３１】
【化９】
【００３２】化合物３はＺ−ＤＩＡＣの代わりにダイキン工業社製DEMNUMのＳＨ（分子量約４０００）（４０重量部）を用いる以外は化合物１と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００３３】化合物３のＩＲスペクトルは１７００cm-1付近の吸収が若干小さい以外は化合物１のスペクトルと同様であった。
【００３４】（実施例４）Ｒｆがパーフルオロオキシイソプロピルユニットの繰り返し単位のパーフルオロオキシアルキル基で、−Ｘ−が−ＣＯＮＨＣＨ2− ，ｎが５，ｍが１の化合物（化合物４）の合成方法を記述する。
【００３５】
【化１０】
【００３６】化合物４はＺ−ＤＩＡＣの代わりにDu Pont社製Krytoxの１５７ ＦＳ−Ｌ(分子量約１９２０）（２０重量部）を用いる以外は化合物１と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００３７】化合物４のＩＲスペクトルは化合物１のスペクトルとほぼ同様であった。
【００３８】（実施例５）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯＮＨＣＨ2− ，ｎが１，ｍが２の化合物（化合物５）の合成方法を記述する。
【００３９】
【化１１】
【００４０】化合物５はペンタフルオロベンジルアミンの代わりに３−フルオロベンジルアミン（３重量部）を用いる以外は化合物１と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００４１】なお図２に化合物５のＩＲスペクトルを示す。
【００４２】（実施例６）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯＮＨＣＨ2− ，ｎが２，ｍが２の化合物（化合物６）の合成方法を記述する。
【００４３】
【化１２】
【００４４】化合物６はペンタフルオロベンジルアミンの代わりに３，５−ジフルオロベンジルアミン（３重量部）を用いる以外は化合物１と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００４５】なお図３に化合物６のＩＲスペクトルを示す。
【００４６】（実施例７）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯＮ((ＣＨ2)17ＣＨ3)ＣＨ2− ，ｎが１，ｍが２の化合物（化合物７）の合成方法を記述する。
【００４７】
【化１３】
【００４８】化合物７はＺ−ＤＩＡＣのカルボン酸クロライドと３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンを反応させることにより得られる。
【００４９】初めにＺ−ＤＩＡＣのカルボン酸クロライドの合成方法を示す。Ｚ−ＤＩＡＣ（２０重量部）をＦＣ−７２（１００重量部）に溶解し、これに塩化メチレン（２０重量部）と塩化チオニル（１重量部）を加え、５時間還流する。還流後１２時間静置し、上層（塩化メチレン層）を除く。下層（ＦＣ−７２層）をＧ２のフィルタで濾過し、濾液中のＦＣ−７２をエバポレータで揮発させ、更に真空ポンプで完全に揮発させることでＺ−ＤＩＡＣのカルボン酸クロライド（２０重量部）を得た。この化合物は水と反応し容易にＺ−ＤＩＡＣへ戻ってしまうので湿気を与えないよう注意する必要がある。
【００５０】次に３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの合成方法を記述する。３−フルオロベンジルアミン（１３重量部）をピリジン（１００重量部）に溶解し、約０℃に冷却下パラトルエンスルホニルクロライド（２１重量部）を加え、室温で１２時間撹拌する。反応液を５％塩酸に注ぎ析出する固体を濾取する。この固体を５％塩酸で洗った後、引き続き洗液が中性になるまで水で洗う。エタノールで再結晶し３−フルオロベンジルアミンとパラトルエンスルホン酸からなるアミド（２５重量部）を得る。
【００５１】この反応で得られた３−フルオロベンジルアミンとパラトルエンスルホン酸からなるアミド（１４重量部）をエタノール（２００重量部）に懸濁し、これに１−ブロモオクタデカン（２０重量部）と炭酸カリウム（８重量部）を加え、２０時間還流する。反応液中のエタノールをエバポレータで揮発させた後、塩化メチレン（２００重量部）を加えて良く撹拌する。塩化メチレンを水で洗った後、硫酸ナトリウムで乾燥する。塩化メチレンをエバポレータで揮発させた後、残渣をエタノール：アセトン＝１：１の混合溶媒で再結晶し３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンとパラトルエンスルホン酸からなるアミド（２０重量部）を得た。
【００５２】この反応で得られた３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンとパラトルエンスルホン酸からなるアミド（２０重量部）をエタノール（２００重量部）に懸濁し、これに３５％塩酸（５０重量部）を加え１２時間還流する。反応液を冷却後エバポレータで反応液を乾固し、５％炭酸ナトリウム水溶液（２００重量部）と塩化メチレン（２００重量部）を加え約１分間撹拌する。水層を除去し、塩化メチレン層を硫酸ナトリウムで乾燥する。エバポレータで塩化メチレンを揮発後残渣をエタノール：アセトン＝１：２の混合溶媒で再結晶し３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミン（１０重量部）を得た。
【００５３】最後に化合物７の合成方法を記述する。上記方法で得られたＺ−ＤＩＡＣのカルボン酸クロライド（２０重量部）をＦＣ−７２（１００重量部）に溶解し、これに３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミン（１０重量部）を塩化メチレン（１００重量部）に溶解したものを加え、室温で１２時間撹拌し、その後１２時間静置する。上層（塩化メチレン層）を除去し、下層（ＦＣ−７２層）をエバポレータで揮発させ、更に真空ポンプで完全に揮発させることで目的の化合物７（２０重量部）を得た。
【００５４】なお図４に化合物７のＩＲスペクトルを示す。
【００５５】（実施例８）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯＮ((ＣＨ2)17ＣＨ3)−，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物８）の合成方法を記述する。
【００５６】
【化１４】
【００５７】化合物８は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの代わりにペンタフルオロ−Ｎ−ヘキシルアニリン（８重量部）を用いる以外は化合物７と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００５８】ペンタフルオロ−Ｎ−ヘキシルアニリンは３−フルオロベンジルアミンの代わりにペンタフルオロアニリンを用い、１−ブロモオクタデカンの代わりに１−ブロモヘキサンを用いる以外は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンを合成する際と同様の方法で得られる。
【００５９】化合物８のＩＲスペクトルは２９００cm-1付近の吸収が若干小さい以外は化合物７のスペクトルと同様であった。
【００６０】（実施例９）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯ2ＣＨ2−，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物９）の合成方法を記述する。
【００６１】
【化１５】
【００６２】化合物９は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの代わりにペンタフルオロベンジルアルコール（８重量部）を用いる以外は化合物７と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００６３】なお図５に化合物９のＩＲスペクトルを示す。
【００６４】（実施例１０）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯ2− ，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物１０）の合成方法を記述する。
【００６５】
【化１６】
【００６６】化合物１０は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの代わりにペンタフルオロフェノール（７重量部）を用いる以外は化合物７と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００６７】化合物１０のＩＲスペクトルは２９００cm-1付近の吸収がない以外は化合物９のスペクトルと同様であった。
【００６８】（実施例１１）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯ2ＣＨＣＨ3−，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物１１）の合成方法を記述する。
【００６９】
【化１７】
【００７０】化合物１１は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの代わりに１−（ペンタフルオロフェニル）エタノール（８重量部）を用いる以外は化合物７と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００７１】化合物１１のＩＲスペクトルは２９００cm-1付近の吸収が若干大きい以外は化合物９のスペクトルとほぼ同様であった。
【００７２】（実施例１２）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＯＳ−，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物１２）の合成方法を記述する。
【００７３】
【化１８】
【００７４】化合物１２は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの代わりにペンタフルオロチオフェノール（８重量部）を用いる以外は化合物７と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００７５】化合物１２のＩＲスペクトルは１７００cm-1付近と２９００cm-1付近の吸収がない以外は化合物９のスペクトルとほぼ同様であった。
【００７６】（実施例１３）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＨ2Ｎ((ＣＨ2)17ＣＨ3)ＣＨ2−，ｎが１，ｍが２の化合物（化合物１３）の合成方法を記述する。
【００７７】
【化１９】
【００７８】化合物１３は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンと、Montefluos社製Fomblin のＺ−ＤＯＬ（分子量約４０００）の水酸基をクロル基に置換した化合物を反応させることにより得られる。
【００７９】初めにＺ−ＤＯＬの水酸基をクロル基に置換した化合物の合成方法を示す。Ｚ−ＤＯＬ（２０重量部）をＦＣ−７２（１００重量部）に溶解し、これにピリジン（１０重量部）を塩化メチレン（５０重量部）に溶かしたものを加え、更に塩化チオニル（５重量部）を加え、５時間還流する。還流後１２時間静置し、上層（塩化メチレン層）を除く。下層（ＦＣ−７２層）をＧ２のフィルタで濾過し、濾液中のＦＣ−７２をエバポレータで揮発させ、更に真空ポンプで完全に揮発させることでＺ−ＤＯＬの水酸基をクロル基に置換した化合物（２０重量部）を得た。なお、３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの合成は実施例７中に記述した。
【００８０】次に化合物１３の合成方法を記述する。上記方法で得られたＺ−ＤＯＬの水酸基をクロル基に置換した化合物（２０重量部）を３Ｍ社製フッ素系溶剤ＦＣ−７７（１００重量部）に溶解し、これに３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミン（１０重量部）と炭酸カリウム（５重量部）をエタノール（１００重量部）に懸濁したものを加え、１２時間還流し、その後室温で４８時間静置する。上層（エタノール層）を除去し、下層（ＦＣ−７７層）をＧ２のフィルタで濾過し、濾液中のＦＣ−７７をエバポレータで揮発させ、更に真空ポンプで完全に揮発させることで目的の化合物１３（２０重量部）を得た。
【００８１】なお図６に化合物１３のＩＲスペクトルを示す。
【００８２】（実施例１４）Ｒｆ′がパーフルオロオキシアルキレン基で、ｎが１の化合物（化合物１４）の合成方法を記述する。
【００８３】
【化２０】
【００８４】化合物１４は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの代わりに３−フルオロベンジルアミン（０.３重量部）を用い、FomblinのＺ−ＤＯＬの代わりにダイキン工業社製DEMNUMのＳＡ（分子量約４０００）（２０重量部）を用いる以外は化合物１３と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００８５】化合物１４のＩＲスペクトルは２９００cm-1付近の吸収が小さい以外は化合物１３のスペクトルとほぼ同様であった。
【００８６】（実施例１５）Ｒｆ″がパーフルオロオキシアルキレン基で、ｎが５の化合物（化合物１５）の合成方法を記述する。
【００８７】
【化２１】
【００８８】化合物１５は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの代わりにペンタフルオロアニリン（０.４重量部）を用い、FomblinのＺ−ＤＯＬの代わりにＳＡ（２０重量部）を用いる以外は化合物１３と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【００８９】化合物１５のＩＲスペクトルは２９００cm-1付近の吸収が小さい以外は化合物１３のスペクトルとほぼ同様であった。
【００９０】（実施例１６）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＨ2Ｎ(ＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3)ＣＨ2− ，ｎが１，ｍが２の化合物（化合物１６)の合成方法を記述する。
【００９１】
【化２２】
【００９２】化合物１６は３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの代わりに３−フルオロベンジルアミンとパラトルエンスルホン酸からなるアミド(１０重量部)を用いる以外は化合物１３と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。ところで３−フルオロベンジルアミンとパラトルエンスルホン酸からなるアミドは実施例７の３−フルオロ−Ｎ−オクタデシルベンジルアミンの合成の際の中間体であり、その合成方法は実施例７で記述している。
【００９３】化合物１６のＩＲスペクトルは３３００〜３２００cm-1付近の吸収が若干大きい以外は化合物１３のスペクトルとほぼ同様であった。
【００９４】（実施例１７）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＨ2ＣＯ2−，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物１７）の合成方法を記述する。
【００９５】
【化２３】
【００９６】Ｚ−ＤＯＬ（２０重量部）をＦＣ−７２（１００重量部）に溶解し、これにピリジン（５重量部）を塩化メチレン（５０重量部）に溶かしたものを加え、更にペンタフルオロ安息香酸クロライド（５重量部）を加え、５時間還流する。還流後１２時間静置し、上層（塩化メチレン層）を除く。下層（ＦＣ−７２層）をＧ２のフィルタで濾過し、濾液中のＦＣ−７２をエバポレータで揮発させ、更に真空ポンプで完全に揮発させることで化合物１７（２０重量部）を得た。
【００９７】なお図７に化合物１７のＩＲスペクトルを示す。
【００９８】（実施例１８）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＨ2ＯＳＯ2− ，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物１８）の合成方法を記述する。
【００９９】
【化２４】
【０１００】化合物１８はペンタフルオロ安息香酸クロライドの代わりにペンタフルオロスルホン酸クロライド（６重量部）を用いる以外は化合物１７と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【０１０１】化合物１８のＩＲスペクトルは１７００cm-1付近の吸収がない以外は化合物１７のスペクトルとほぼ同様であった。
【０１０２】（実施例１９）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−,ｎが５，ｍが２の化合物（化合物１９）の合成方法を記述する。
【０１０３】
【化２５】
【０１０４】化合物１９はペンタフルオロ安息香酸クロライドの代わりにペンタフルオロフェニル酢酸クロライド（７重量部）を用いる以外は化合物１７と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【０１０５】ペンタフルオロフェニル酢酸クロライドはペンタフルオロフェニル酢酸（７重量部）と塩化チオニル（７重量部）を塩化メチレン（５０重量部）に溶解し、５時間還流後、反応液をエバポレータで揮発させることによって得られる。
【０１０６】化合物１９のＩＲスペクトルは２９００cm-1付近の吸収が若干大きい以外は化合物１７のスペクトルとほぼ同様であった。
【０１０７】（実施例２０）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物２０）の合成方法を記述する。
【０１０８】
【化２６】
【０１０９】化合物２０はペンタフルオロ安息香酸クロライドの代わりにペンタフルオロフェノキシ酢酸クロライド（８重量部）を用いる以外は化合物１７と同様の方法で得られた。収量は２０重量部である。
【０１１０】ペンタフルオロフェノキシ酢酸クロライドはペンタフルオロフェノキシ酢酸（８重量部）と塩化チオニル（７重量部）を塩化メチレン（５０重量部）に溶解し、５時間還流後、反応液をエバポレータで揮発させることによって得られる。化合物２０のＩＲスペクトルは２９００cm-1付近の吸収が若干大きい以外は化合物１７のスペクトルとほぼ同様であった。
【０１１１】（実施例２１）Ｒｆがパーフルオロオキシアルキレン基で、−Ｘ−が−ＣＨ2ＯＣＨ2− ，ｎが５，ｍが２の化合物（化合物２１）の合成方法を記述する。
【０１１２】
【化２７】
【０１１３】化合物２１はＺ−ＤＯＬをパラトルエンスルホニル化（トシル化）した化合物とペンタフルオロベンジルブロマイドを縮合（この場合はエーテル化）することにより得られる。
【０１１４】まずＺ−ＤＯＬをトシル化した化合物の合成方法を示す。Ｚ−ＤＯＬ（２０重量部）をＦＣ−７２（１００重量部）に溶解し、これにピリジン（１０重量部）を塩化メチレン（５０重量部）に溶かしたものを加え、更にパラトルエンスルホニルクロライド（４重量部）を加え、５時間還流する。還流後１２時間静置し、上層（塩化メチレン層）を除く。下層（ＦＣ−７２層）をＧ２のフィルタで濾過し、濾液中のＦＣ−７２をエバポレータで揮発させ、更に真空ポンプで完全に揮発させることでＺ−ＤＯＬをトシル化した化合物（２０重量部）を得た。
【０１１５】次に化合物２１の合成方法を示す。Ｚ−ＤＯＬをトシル化した化合物（２０重量部）をＦＣ−７２（１００重量部）に溶解し、これに水素化ナトリウム（１重量部）をＴＨＦ（１００重量部）に懸濁したものを加え良く撹拌する。更にペンタフルオロベンジルブロマイドをＴＨＦ（１００重量部）に溶解したものを２時間かけて滴下後、乾燥窒素雰囲気下６時間撹拌する。反応液を細かく砕いた氷（５００重量部）に注ぐ。ＦＣ−７２（１００重量部）で３回抽出し、抽出液を硫酸ナトリウムで乾燥する。エバポレータでＦＣ−７２を揮発させ、更に真空ポンプで完全に揮発させることで目的の化合物２１（２０重量部）を得た。
【０１１６】化合物２１のＩＲスペクトルは１３００〜１０００cm-1付近の吸収が若干小さい以外は化合物１４のスペクトルとほぼ同様であった。
【０１１７】（実施例２２）５.２５ インチのＡｌ合金ディスク表面のＮｉ−Ｐ層とその上にＣｏ層を設け、この上にＮｉ−Ｃｏ系の磁性層を５０ｎｍの厚さにスパッタ蒸着し、更にカーボンからなる保護層を５０ｎｍの厚さに製膜したディスクを用意する。このディスクを化合物１から２１の０.１ｗｔ％ のＦＣ−７２溶液に１分間浸漬し、その後引上げ速度１mm／ｓで引上げた後、室温に２時間放置して溶剤を揮発させ、化合物１から２１の膜を表面に形成したディスクを作成した。このディスクの構成の模式図を図８に示す。
【０１１８】これらディスクの摺動特性をＣＳＳ法（コンタクトスタートストップ法：試験機は小野田セメント(株)製）で評価した。条件は回転数：３６００rpm ，１サイクル：３０秒，最終サイクル数１０００サイクル，ヘッド荷重：１０ｇで、最終サイクルのスティクション時の摩擦力で評価した。これらの比較例としてステアリン酸アンモニウム（表１では化合物２２と記述）も評価した。結果を表１に示す。
【０１１９】
【表１】
【０１２０】この結果より、本発明の磁気記録媒体の表面の摺動特性は非常に高いことがわかった。また、このことから本発明の化合物は潤滑性を向上する表面改質剤として作用することもわかった。
【０１２１】
【発明の効果】潤滑性の高い含フッ素化合物，表面改質剤、及びこれを用いた磁気記録媒体を提供することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】化合物１のＩＲスペクトル図。
【図２】化合物５のＩＲスペクトル図。
【図３】化合物６のＩＲスペクトル図。
【図４】化合物７のＩＲスペクトル図。
【図５】化合物９のＩＲスペクトル図。
【図６】化合物１３のＩＲスペクトル図。
【図７】化合物１７のＩＲスペクトル図。
【図８】本発明の磁気記録媒体の断面図。
【符号の説明】
１…Ａｌ合金、２…Ｎｉ−Ｐ層、３…Ｃｒ層、４…Ｎｉ−Ｃｏ合金の磁性層、５…カーボン層、６…化合物を含む層。
【特許請求の範囲】
【請求項１】下記一般式で表される含フッ素化合物。
【化１】
（式中−Ｘ−は−ＣＯＮＲ−，−ＣＨ2ＮＲ−，−ＣＯＮＲＣＨ2−，−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−（−Ｒは−ＣkＨ2k+1（ＣkＨ2k+1は水素、或いは直鎖か分岐のアルキル鎖でありｋは０から１７の整数)，−ＳＯ2ＣＨ3,−ＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3,−ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、或いは−ＳＯ2Ｃ10Ｈ7)，−ＣＨ2ＯＳＯ2−，−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−，−ＣＯＳ−，−ＣＯ2ＣＨ2−，−ＣＯ2−,−ＣＯ2ＣＨＣＨ3−を表す。ｎは１から５の整数。ｍは１又は２。Ｒｆは平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖。Ｒｆ′及びＲｆ″は平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖。）
【請求項２】下記一般式で表される含フッ素化合物を１種類以上含有することを特徴とする表面改質剤。
【化２】
（式中−Ｘ−は−ＣＯＮＲ−，−ＣＨ2ＮＲ−，−ＣＯＮＲＣＨ2−，−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−（−Ｒは−ＣkＨ2k+1（ＣkＨ2k+1は水素、或いは直鎖か分岐のアルキル鎖でありｋは０から１７の整数）,−ＳＯ2ＣＨ3,−ＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、或いは−ＳＯ2Ｃ10Ｈ7)，−ＣＨ2ＯＳＯ2−,−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−，−ＣＯＳ−，−ＣＯ2ＣＨ2−，−ＣＯ2−,−ＣＯ2ＣＨＣＨ3−を表す。ｎは１から５の整数。ｍは１又は２。Ｒｆは平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖。Ｒｆ′及びＲｆ″は平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖。）
【請求項３】非磁性支持体上に１層以上の磁性体層を備えた磁気記録媒体において、前記磁性体層、或いは前記磁性体層の外側に備えた保護層表面に下記一般式で表される含フッ素化合物を１種類以上含有する膜を形成したことを特徴とする磁気記録媒体。
【化３】
（式中−Ｘ−は−ＣＯＮＲ−，−ＣＨ2ＮＲ−，−ＣＯＮＲＣＨ2−，−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−（−Ｒは−ＣkＨ2k+1（ＣkＨ2k+1は水素、或いは直鎖か分岐のアルキル鎖でありｋは０から１７の整数),−ＳＯ2ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、或いは−ＳＯ2Ｃ10Ｈ7),−ＣＨ2ＯＳＯ2−，−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−，−ＣＯＳ−，−ＣＯ2ＣＨ2−，−ＣＯ2−,−ＣＯ2ＣＨＣＨ3−を表す。ｎは１から５の整数。ｍは１又は２。Ｒｆは平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖。Ｒｆ′及びＲｆ″は平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖。）
【請求項１】下記一般式で表される含フッ素化合物。
【化１】
（式中−Ｘ−は−ＣＯＮＲ−，−ＣＨ2ＮＲ−，−ＣＯＮＲＣＨ2−，−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−（−Ｒは−ＣkＨ2k+1（ＣkＨ2k+1は水素、或いは直鎖か分岐のアルキル鎖でありｋは０から１７の整数)，−ＳＯ2ＣＨ3,−ＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3,−ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、或いは−ＳＯ2Ｃ10Ｈ7)，−ＣＨ2ＯＳＯ2−，−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−，−ＣＯＳ−，−ＣＯ2ＣＨ2−，−ＣＯ2−,−ＣＯ2ＣＨＣＨ3−を表す。ｎは１から５の整数。ｍは１又は２。Ｒｆは平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖。Ｒｆ′及びＲｆ″は平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖。）
【請求項２】下記一般式で表される含フッ素化合物を１種類以上含有することを特徴とする表面改質剤。
【化２】
（式中−Ｘ−は−ＣＯＮＲ−，−ＣＨ2ＮＲ−，−ＣＯＮＲＣＨ2−，−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−（−Ｒは−ＣkＨ2k+1（ＣkＨ2k+1は水素、或いは直鎖か分岐のアルキル鎖でありｋは０から１７の整数）,−ＳＯ2ＣＨ3,−ＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、或いは−ＳＯ2Ｃ10Ｈ7)，−ＣＨ2ＯＳＯ2−,−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−，−ＣＯＳ−，−ＣＯ2ＣＨ2−，−ＣＯ2−,−ＣＯ2ＣＨＣＨ3−を表す。ｎは１から５の整数。ｍは１又は２。Ｒｆは平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖。Ｒｆ′及びＲｆ″は平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖。）
【請求項３】非磁性支持体上に１層以上の磁性体層を備えた磁気記録媒体において、前記磁性体層、或いは前記磁性体層の外側に備えた保護層表面に下記一般式で表される含フッ素化合物を１種類以上含有する膜を形成したことを特徴とする磁気記録媒体。
【化３】
（式中−Ｘ−は−ＣＯＮＲ−，−ＣＨ2ＮＲ−，−ＣＯＮＲＣＨ2−，−ＣＨ2ＮＲＣＨ2−（−Ｒは−ＣkＨ2k+1（ＣkＨ2k+1は水素、或いは直鎖か分岐のアルキル鎖でありｋは０から１７の整数),−ＳＯ2ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3，−ＳＯ2Ｃ6Ｈ5、或いは−ＳＯ2Ｃ10Ｈ7),−ＣＨ2ＯＳＯ2−，−ＣＨ2ＯＣＯ−，−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2Ｏ−，−ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2−，−ＣＯＳ−，−ＣＯ2ＣＨ2−，−ＣＯ2−,−ＣＯ2ＣＨＣＨ3−を表す。ｎは１から５の整数。ｍは１又は２。Ｒｆは平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖、又はパーフルオロポリオキシアルキレン鎖。Ｒｆ′及びＲｆ″は平均分子量８００以上のパーフルオロポリオキシアルキル鎖。）
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開平９−２５５６０８
【公開日】平成９年（１９９７）９月３０日
【国際特許分類】
【出願番号】特願平８−７３５８８
【出願日】平成８年（１９９６）３月２８日
【出願人】（０００００５１０８）株式会社日立製作所 (27,607)
【公開日】平成９年（１９９７）９月３０日
【国際特許分類】
【出願日】平成８年（１９９６）３月２８日
【出願人】（０００００５１０８）株式会社日立製作所 (27,607)
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