【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な新規な化合物およびその製造方法、該化合物の前駆体として有用な化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（ｂ１−１）で表される化合物。Ａは、当該Ａが結合した硫黄原子とともに３〜７員環構造の環を形成する２価の基であり、前記環は置換基を有していてもよい。Ｒ^２はＲ^５３−Ｒ^５４−（式中、Ｒ^５３は炭素数２〜１０のアルケニル基またはアリール基であり、Ｒ^５４は炭素数１〜５の直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基である。）で表される基であり、ｎは０であり、Ｙ^１はフッ素置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキレン基である。
［化１］
（もっと読む）

【課題】高感度、優れた露光ラチチュード、及び、優れたラインエッジラフネス性能を高次元で鼎立可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及び、パターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１−１）により表される化合物を含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


式中、Ｒ_１は、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、脂肪族環式基、芳香族炭化水素基、又は複素環式基を表す。Ｒ_２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、脂肪族環式基、芳香族炭化水素基、複素環式基、シアノ基、又は、アルコキシカルボニル基を表す。Ｒ_３は、１つ以上の−ＣＨ_２−基が、エーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、又は、ウレア基により置換されていても良い、アルキレン基を表す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、密集及び孤立の両トレンチパターン形成における焦点深度を共に高いレベルにすることができ、かつ断面形状が良好なレジストパターンを形成することができるフォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）を有する重合体、及び
［Ｂ］酸発生剤を含有するフォトレジスト組成物であって、［Ｂ］酸発生剤が、下記式（１）で表されるカチオンと、炭素数６〜１５の脂環構造を有するアニオンとを含むことを特徴とする。下記式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数３〜２０の１価の脂環式炭化水素基である。但し、Ｒ^１とＲ^２とが互いに結合して、これらが結合している硫黄原子と共に環構造を形成していてもよい。Ｘは、単結合又は酸素原子である。
（もっと読む）

【課題】パターンの線幅の経時安定性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、（Ｂ）下記一般式（１−１）により表される化合物とを含有している。
【化１】
（もっと読む）

【課題】従来から知られている塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物では、得られるレジストパターンのマスクエラーファクターが必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。ｎは、０又は１を表す。Ｌ^１は、単結合又は炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、ｎが０である場合、Ｌ^１は単結合ではない。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するパターンを形成することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１及びＬ^２は、２価の飽和炭化水素基を表し、該基中のメチレン基は、酸素原子等で置き換わっていてもよい；環Ｗは脂環式炭化水素を表し、該脂環式炭化水素中のメチレン基は、酸素原子等で置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素中の水素原子は、ヒドロキシル基、アルキル基等で置換されていてもよい；ｓは０〜３の整数；Ｒ^１は脂肪族炭化水素基を表し、該基中のメチレン基は、酸素原子等で置き換わっていてもよい；Ｒ^２〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、アルキル基又は脂環式炭化水素基等を表す；Ｚ^＋は有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】従来から知られる酸発生剤を含有するレジスト組成物では、得られるレジストパターンのＣＤ均一性（ＣＤＵ）が必ずしも満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩及びそれを含むレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２はフッ素原子等を表す。Ｌ^１は単結合等を表す。Ｙは置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の一価の脂環式炭化水素基等を表す。Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は水素原子等を表す。カチオンのＳを含む脂環に含まれるメチレン基は酸素原子等で置き換わっていてもよい。ｎは、１〜３の整数を表す。ｓは、０〜３の整数を表す。Ｒ^８は炭素数１〜６のアルキル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】植物に由来する安定性および安全性の高い成分を有効成分として含有する新規なプロセシンググルコシダーゼ阻害剤を提供すること。
【解決手段】サラシノールを有効成分として含有する、プロセシンググルコシダーゼ阻害剤。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１ａ）又は（１ｂ）で示されるスルホニウム塩。


（Ｒはヘテロ原子を含んでもよい炭素数７〜３０の直鎖状、分岐状又は環状の１価の炭化水素基を示し、ｎは１〜４の整数を示す。）
【効果】本スルホニウム塩は、親水性の高いフェノール性水酸基やエチレングリコール鎖を有しており、特定アニオンと組み合て用いた場合には液浸水への溶出も少なく、またパターン依存性が少なく、化学増幅型レジスト材料の光酸発生剤として非常に有用。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用クエンチャーとして好適な化合物、該クエンチャーを含有するレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、下記一般式（ｃ１）で表される化合物（Ｃ１）を含む含窒素有機化合物成分（Ｃ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）（ただし、前記化合物（Ｃ１）を除く）を含有することを特徴とするレジスト組成物［式中、Ｒ^Ｎは置換基を有していてもよい含窒素複素環式基であり；Ｘ^０は炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐鎖状の２価の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の環状若しくは環状の部分構造を有する２価の脂肪族炭化水素基、又はこれらの水素原子の一部若しくは全てがフッ素原子で置換された基であり；Ｍ^＋は有機カチオンである。］。
［化１］
（もっと読む）