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国際特許分類[C11D7/26]の内容

国際特許分類[C11D7/26]に分類される特許

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【課題】半導体製造における大型のメタル等の洗浄において、プラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去する高い洗浄力を発揮し、部材の剥離や変色を抑制し、さらには必要によりメタル材料の表面荒れをも抑制しうる半導体基板用洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】洗浄組成物により、エッチング工程及び/又は前記アッシング工程において半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び/又はアッシング残渣を洗浄除去する洗浄工程を含む半導体素子の製造方法であって、該洗浄組成物は、水と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、有機溶媒とを組み合わせて含有し、pHが1.5〜5.0に調整されたことを特徴とする半導体素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】電子部品などのアルミ使用部材やガラス使用部材等を切削・研磨した後に残る切削片、研磨材や研磨片などのパーティクル除去性に優れた水系洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】(a)ヒドロキシカルボン酸およびこれらの塩からなる群より選ばれた少なくとも1種0.1〜25重量%、(b)配位子数が10個以下である有機ホスホン酸およびこれらの塩からなる群より選ばれた少なくとも1種0.1〜25重量%、及び(c)配位子数が11個以上である有機ホスホン酸およびこれらの塩からなる群より選ばれた少なくとも1種0.1〜25重量%を含有するものとする。 (もっと読む)


【課題】 砥粒や研磨屑に対する洗浄性が非常に高い電子材料用洗浄剤、および電子材料の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 フラボノイド化合物(A)および水を必須成分として含有する電子材料用洗浄剤を用いる。 (もっと読む)


【課題】本発明は糠の除去ができる洗浄剤と黄変がなく、ふっくら美味しい米飯を得る洗浄剤と濯ぎ剤に関する組成物および方法を提供することを課題とする。更には、上記組成物及び方法によって得られる米飯、焼飯等食品の提供を課題とする。
【解決手段】米糠を洗浄する洗浄工程と、黄変を脱色する二工程からなる洗米方法を発見し発明を完成した。生物由来焼成カルシウムを洗浄剤組成物に特定し、黄変防止剤として広く使用される亜硫酸ナトリウムなど化学物質を一切使用することなく、食品または食品添加物からなる任意の酸性物質を適用し、不快臭/不快味/黄変のないふっくらと美味しい米飯焼飯食品を提供する。 (もっと読む)


【課題】食器洗浄機による食器の洗浄において、優れた洗浄力を示し、洗浄機内のスケール付着が抑制され、且つ食器の使用、洗浄の繰り返しによる色素汚れの付着遅延性にも優れた食器洗浄機用液体洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】(A)塩素系の漂白成分(有効塩素濃度として)0.1〜10質量%、(B)ポリカルボン酸又はその塩5〜30質量%、(C)オルト珪酸塩及びメタ珪酸塩から選ばれる1種以上1〜20質量%、(D)アルカリ金属水酸化物0〜5質量%、並びに(E)水40〜90質量%を含有し、炭酸塩の含有量が1質量%以下である食器洗浄機用液体洗浄剤組成物。 (もっと読む)


【課題】半導体基板や金属配線の腐食や酸化を起こすことなく、基板表面の微細粒子や金属不純物を除去し得、金属腐食防止剤-Cu皮膜の除去せずに基板表面のカーボン・ディフェクトをも同時に除去し得る処理方法。
【解決手段】ベンゾトリアゾール又はその誘導体含有スラリーで処理された半導体基板を、〔I〕カルボキシル基を少なくとも1個有する有機酸0.05〜50重量%、〔II〕ポリホスホン酸類、アリールホスホン酸類、及びこれらのアンモニウム塩又はアルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも1種の錯化剤0.01〜30重量%、〔III〕炭素数1〜5の飽和脂肪族1価アルコール、炭素数3〜10のアルコキシアルコール、炭素数2〜16のグリコール、炭素数3〜20のグリコールエーテル、炭素数3〜10のケトン及び炭素数2〜4のニトリルからなる群より選ばれる少なくとも1種の有機溶媒0.05〜50重量%を含んでなる洗浄剤。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、有機残渣がベンゾトリアゾールが防錆剤の場合はもちろんのこと、カルボキシル基や水酸基などの官能基を有するHLBの高い防錆剤の場合においても、銅配線を腐食させることなく、有機残渣除去性に優れ、かつ金属残渣の除去性に優れる銅および銅合金配線半導体用の洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】
水酸基を1個以上有するアミン(A1)、および特定の化学構造を有する脂肪族ポリアミン(A2)からなる群より選ばれる1種以上のアミン(A)、2〜5個の水酸基を有し、それらの水酸基のうちの少なくとも2個が芳香環のオルト位もしくはパラ位に結合し、かつHLBが15〜40であるポリフェノール化合物(B)、塩基性化合物(C)、並びに水を必須成分とし、使用時のpHが8.0〜13.0であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を使用する。 (もっと読む)


【課題】高い温度安定性を示し、使用時に良好な泡立ち感および洗浄後に良好な肌状態を与える半固体状洗浄剤を提供すること。
【解決手段】(A)N−アシルグリシン塩、(B)20℃で液体の高級アルコール、(C)グリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステルおよびポリオキシエチレンアルキルエーテルからなる群より選ばれた少なくとも1種の非イオン界面活性剤ならびに(D)(アルキル変性)カルボキシビニルポリマーを含有してなる半固体状洗浄剤。 (もっと読む)


【課題】従来のキレート剤と比較して十分なキレート能を有し、金属およびガラスの腐食防止効果を有する組成物を提供する。
【解決手段】本発明の組成物は、下記一般式(1)で表されるリンゴ酸構造含有アミノ化合物と酒石酸(塩)を、mol比で30:70〜95:5の割合で含む組成物である。


上記一般式(1)において、−Rは、−H、−CH、−C、−CHCHCOOM、−CHCHCHCHNH、−CHOH、を表し、Mはそれぞれ独立に、水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、アンモニウムイオン、アミン塩を表す。 (もっと読む)


【課題】リセス等の形成に伴う処理で生じる残渣を適切に除去することができる化合物半導体装置の製造方法及び洗浄剤を提供する。
【解決手段】化合物半導体積層構造1を形成し、化合物半導体積層構造1の一部を除去して凹部4を形成し、洗浄剤を用いて凹部4内の洗浄を行う。洗浄剤は、凹部4内に存在する残渣と相溶する基材樹脂と溶媒とを含む。 (もっと読む)


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