本発明は、半導体の基板から有機及び無機のポストエッチ残渣ならびにポリマー残渣及び汚染物質を除去するために使用される水性組成物に関する。これらの組成物は、水溶性有機溶媒、スルホン酸及び水から構成される。 （もっと読む）

【課題】
添加剤を含む洗浄液で電子部品を洗浄した後、該電子部品表面に付着している添加剤を、電子部品表面を酸化させることなく除去し、添加剤による汚染が低減された良好な表面を実現するための新規な後洗浄液及び該洗浄液を用いた洗浄方法の提供。
【解決手段】
水溶性アルコール系溶媒及び／又は水溶性の酸化イオウ含有溶媒、フッ素化合物及び水を含有することを特徴とする電子部品用の後洗浄液及び該洗浄液を用いた電子部品の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】 化学機械研磨後に半導体部品の被研磨面に残留した不純物に対する洗浄効果が高く、かつ環境への負荷が少ない半導体部品洗浄用組成物を提供すること、および上記半導体部品洗浄用組成物を用いて洗浄する工程を含む半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る半導体部品洗浄用組成物は、特定の分子量の水溶性ポリマー（ａ）、および下記式（１）で表される化合物（ｂ）が配合されてなることを特徴とする。
ＮＲ₄ＯＨ （１）
（式（１）中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。）
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体部品を化学機械研磨し、次いで上記の半導体部品洗浄用組成物で洗浄する工程を含むことを特徴とする。
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本発明は、リン酸を含有する希釈水溶液及びそのような希釈水溶液を含む、半導体基板からプラズマエッチ残留物を除去する方法に関する。本発明による溶液は、アルカリ化合物、１又はそれ以上の他の酸化合物、及び／又はフルオリド含有化合物を好ましくは含有し、場合により追加の成分、たとえば有機溶媒、キレート剤、アミン、及び／又は界面活性剤を含有する。 （もっと読む）

【課題】基材から残留物を除去できる組成物及び方法の提供。
【解決手段】約２０％〜約８０％の有機極性溶剤、約１０重量％〜約６０重量％の水、約１重量％〜約１０重量％の第四級アンモニウム化合物、場合により約０．１重量％〜約５重量％のヒドロキシルアミン、また場合により約０．１重量％〜約１０重量％のフッ化物イオン源、及び、メルカプト含有腐食抑制剤を含む組成物。金属腐食抑制剤はメルカプトベンズオキサゾール等の特定のメルカプト基含有複素環化合物、−ＯＨ，−ＣＯＯＨ，−ＮＨ_２等を有する特定のアルキルメルカプタン，２−メルカプトチアゾリン，３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン及びその混合物から選ばれる。 （もっと読む）

ナノエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクスの基板を超臨界流体状態条件下で洗浄するためのナノエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクスの洗浄組成物、特に、二酸化ケイ素、繊細な低κまたは高κ誘電体および銅、タングステン、タンタル、ニッケル、金、コバルト、パラジウム、白金、クロム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、ハフニウム、チタン、モリブデン、スズおよび他のメタライゼーションを特徴とするナノエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクスの基板、並びにＡｌまたはＡｌ（Ｃｕ）メタライゼーションおよび先端的な相互接続技術の基板に有用であり、これらとの適合性が改善された洗浄組成物は、本発明のナノエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクスの洗浄組成物を含むナノエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクスの洗浄組成物により提供される。これらは、以下を含む組成物により提供される：（１）２５０℃の温度またはそれ以下、および６００バール（５９２.２気圧、８７０２.３ｐｓｉ）の圧力またはそれ以下で超臨界流体状態に達する超臨界主要流体、および（２）第２の流体として、以下の製剤から選択される修飾製剤：ａ）以下を含む製剤：酸化剤；アミド類、スルホン類、スルホレン類、セレノン類および飽和アルコール類からなる群から選択される極性有機溶媒；および、場合による他の成分；ｂ）以下を含む珪酸塩不含製剤：アミド類、スルホン類、セレノン類および飽和アルコール類からなる群から選択される極性有機溶媒；強アルカリ塩基；および場合による他の成分；ｃ）以下を含む製剤：約０.０５重量％ないし３０重量％の、非求核性の正荷電対イオンを含有する１種またはそれ以上の非アンモニウム産生強塩基；約０.５ないし約９９.９５重量％の、１種またはそれ以上の、腐食阻害性溶媒化合物、該腐食阻害性溶媒化合物は、金属と錯体化し得る少なくとも２個の部位を有する；および、場合による他の成分；ｄ）以下を含む製剤：約０.０５ないし２０重量％の、１種またはそれ以上の非アンモニウム産生、非ＨＦ産生フッ化物塩；約５ないし約９９.９５重量％の水、有機溶媒または水と有機溶媒の両方；および、場合による他の成分；並びにｅ）以下を含む製剤：約０.０５％ないし３０重量％の、非求核性の正荷電対イオンを含有する１種またはそれ以上の非アンモニウム産生強塩基；約５ないし約９９.９５重量％の、１種またはそれ以上の立体障害のあるアミド溶媒；および、場合による他の成分。 （もっと読む）

本開示は、半導体装置の製造中における化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）後の半導体ウエハの洗浄を検討する。金属特に銅の相互接続を含有するウエハのＣＭＰ後洗浄のための酸性化学剤が開示されている。残存スラリー粒子、特に銅または他の金属粒子は、金属を有意にエッチングすることなく、表面に付着物を残すことなく、または有意の有機（炭素のような）汚染質を表面に与えることなく、しかも金属を酸化および腐食から保護しながら、表面から除去される。さらに、溶液中の金属イオンを錯化し、誘電体からの金属の除去を促進し、ウエハ上への再付着を防止するために、少なくとも１種の強力なキレート化剤が存在する。酸性化学剤を用いると、ＣＭＰ後に使用される洗浄溶液のｐＨをウエハ表面で使用された最後のスラリーのそれとマッチさせることができる。 （もっと読む）

【課題】この開示は、半導体装置を製造する間に、半導体ウェハの化学機械平坦化（ＣＭＰ）後のウェハの洗浄を扱う。
【解決手段】金属、特に銅、相互接続、を含むウェハの後ＣＭＰ洗浄用アルカリ化学薬品が開示される。残留スラリーパーティクル、特に銅および他の金属パーティクルは十分に金属をエッチングしたり、表面に堆積物を放置したりまたは金属を酸化および腐食から保護する間、ウェハに対して十分な汚染物を被ったりせずにウェハ表面から除去される。また、少なくとも１つの強キレート剤は溶液中の金属イオンと錯体を形成するための存在し、誘電体から金属の除去を促進し、かつウェハ上への再堆積を防ぐ。 （もっと読む）

本発明はフッ素化炭化水素の分野に関係し、フッ素化炭化水素と第二ブタノールと場合によってはＤＭＳＯとを含有している新規な組成物に関する。これらの新規な組成物は電子基板のデフラクシング、より特定的には“ノークリーン”はんだフラックスを含有している電子基板のデフラクシングに特に有利である。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板表面に施された金属配線を腐食させずに、また、半導体基板表面の平坦度を損なうことなく、パーティクルや金属汚染を除去することが可能な、半導体基板表面の洗浄処理剤及びこれを用いた処理方法の提供。
【解決手段】 カルボキシル基を少なくとも１個有する有機酸と、錯化剤とを含んで成る半導体基板表面の洗浄処理剤及びこれを用いた処理方法。 （もっと読む）