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国際特許分類[C22C27/02]の内容

国際特許分類[C22C27/02]に分類される特許

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【課題】低コストで製造可能で、低い交流損失を達成でき、歪みにも強く、機械的強度にも優れたNbSn超電導線用芯線、NbSn超電導線及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Cu被覆2を有するSn−Zn合金棒1の周囲に、Cu被覆4を有するNb−1at%Ta六角線3を複数本配置し、Cu管5内に収納した後、細線化して定尺に切り分けた芯線の複数本を、Sn拡散防止用Nbパイプに収納し、更にその外周にCuパイプを被覆し、細線化後、熱処理を施してSnとNbを反応させNbSnを生成させる。 (もっと読む)


【課題】低コストで製造可能で、高い臨界電流密度を達成でき、歪みにも強く、機械的強度にも優れたNbSn超電導線用芯線、NbSn超電導線及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Nb管1の内側に、Cu被覆2を有するSn−Zn合金棒3を収容する一方、Nb管1の外側に、Cu層4を形成して単芯線を作製し、単芯線を細線化して定尺に切り分けた後、Cu管とCu芯との間に、単芯線の複数本を分散させ複合化して多芯線とし、細線化後、熱処理を施してSnとNbを反応させNbSnを生成させる。 (もっと読む)


【課題】均質で不純物量が少なくて水素吸蔵特性に優れた水素吸蔵合金を効率よく製造する。
【解決手段】結晶構造が体心立方構造を有する水素吸蔵合金1を、耐火物ルツボを使用せずに溶融させ、その溶湯を一方向凝固法によって凝固させる。一方向凝固は、真空中または不活性ガス雰囲気中で水冷ルツボを用いたコールドクルーシブル電磁溶解法によって10mm/hr.〜200mm/hr.の固液界面移動速度で行うのが望ましい。不純物の混入を極力低減し、方向性のある大きな結晶粒が得られ、水素吸蔵量が大きく、プラトー傾斜やヒステリシスが小さく、耐久性に優れたBCC構造を有する水素吸蔵合金を工業規模で製造できる。 (もっと読む)


【課題】応答性、応答量に優れ、小型化を可能にした水素吸蔵合金アクチュエータを提供する。
【解決手段】チタンを含むバナジウム合金による水素吸蔵合金部材を有したモジュール31が気密被覆体35に収容され、水素給排手段36を通じて行われるモジュールの水素吸蔵合金体部材に対する水素の吸蔵、脱蔵によりモジュール31が応答動作するようにして成る。 (もっと読む)


【課題】超電導相内に効果的にTiを導入することによって臨界電流密度を有効に向上させることができると共に、残存する非超電導相による超電導特性劣化をできるだけ抑制し、しかも交流損失のできるだけ低減することのできるNbSn超電導線材製造用前駆体の構成を提供する。
【解決手段】本発明の超電導線材製造用前駆体は、CuまたはCu基合金中に、1本または複数本のNbまたはNb基合金芯と、1本または複数本のSnまたはSn基合金芯が、相互に接触しないように配置された超電導マトリクス部と、その外周に安定化銅層を有する超電導線材製造用前駆体において、前記超電導マトリクス部断面内のSnまたはSn基合金芯を中心にして、その近傍から半径方向外側に向けて、NbTi合金芯材を連結して構成される電流遮断領域が少なくとも1箇所配置されたものである。 (もっと読む)


【課題】NbSn超電導線材を製造するときに用いるNbまたはNb基合金における加工性を良好にすることのできるNbまたはNb基合金棒、およびこのようなNbまたはNb基合金棒を用いて良好な超電導特性を発揮する超電導線材を製造するための有用な方法を提供する。
【解決手段】超電導線材製造用NbまたはNb基合金棒は、超電導線材を製造するために用いられるNbまたはNb基合金棒であって、断面が円形若しくは略円形である鋳型にて鋳造した後、断面形状が円形若しくは略円形である加工装置によって熱間加工または冷間加工し、円柱若しくは略円柱状に形成されたものである。 (もっと読む)


【課題】高Sn濃度のブロンズを用いても、Nbフィラメント径に比べて大きなδ相を発生させずに加工性の良好なNbSn超電導線材製造用前駆体を提供することにあり、必要によって線材の断面構成を最適化した多芯型前駆体を構成することによって、高い磁場での実用レベルの超電導特性を発揮するNbSn超電導線材を提供する。
【解決手段】Cu−Sn基合金製母材に複数のNbまたはNb基合金芯を埋設したブロンズ法NbSn超電導線材製造用の前駆体であって、
前記Cu−Sn基合金製母材はSnを含有する他、Tiおよび/またはZrを含有し、Snの含有量をX(質量%)、Tiおよび/またはZrの合計含有量をY(質量%)としたとき、これらが下記(1)式および(2)式の関係を満足するものである。
0.4≦(X−15.6)/Y≦1.9…(1)
15.6<X≦19 …(2) (もっと読む)


【課題】優れた臨界電流を有すると共に大きいn値を有し、10Tを超える高い磁場を発生し、コンパクト且つ低コストのNMRマグネットを実現するのに有用な内部拡散法NbSn超電導線材を提供する。
【解決手段】CuまたはCu基合母材1に複数本のNbまたはNb基合金芯3を埋設すると共に、その中央部にSnまたはSn基合金芯2を配置した複合材の外周に、NbまたはTaからなる拡散障壁層4、更にその外側に安定化Cu5を配置して構成される複合線材を、伸線加工した後、熱処理することによってSnを拡散させ、複合材中のNbまたはNb基合金芯3と反応させることによって製造される内部拡散法NbSn超電導線材であって、前記複合線材の軸心に垂直な方向の断面に占める安定化Cu5の面積率が10〜35%であると共に、拡散障壁層4の面積率が10〜25%である。 (もっと読む)


【課題】 従来の遠心力鋳造製ハイス系外層材における問題点を解消し、格段に耐摩耗性に優れるとともに、外層と内層とが健全に溶着された圧延用複合ロールの提供を目的とする。
【解決手段】 化学成分が質量%で、C:4.5%を超え9.0%以下、Si:0.1%を超え3.5%以下、Mn:0.1%を超え3.5%以下、V:18.0%を超え40.0%以下を含有し残部Feおよび不可避的不純物元素からなる外層と、前記外層の内面に金属接合された化学成分が質量%で、C:0.5〜3.0%、Si:0.1〜3.0%、Mn:0.1〜3.0%を含有したFe基合金からなる内層を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】TaN膜を反応性スパッタ法で形成する際に、その膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にした半導体デバイス用高純度Ta材の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス用高純度Ta材の製造方法は、高純度Taインゴットに対して2軸以上の方向から鍛造を行う工程と、鍛造工程の途中で2回以上の真空熱処理を行う工程と、鍛造工程および真空熱処理工程を経たTa材に冷間圧延を施す工程と、冷間圧延工程を経たTa材に再結晶化熱処理を施す工程とを具備する。 (もっと読む)


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