【課題】すぐれた機械的性質と水素透過分離性能を有する水素透過分離薄膜を提供する。
【解決手段】水素透過分離薄膜を、Ｚｒ：０．５〜２０％、Ｔｉ：１５〜４８％（ただし、Ｚｒ＋Ｔｉ：２３〜５２％）、Ｎｉ：１０〜４３％、Ｃｏ：０．５〜２５％（ただし、Ｎｉ＋Ｃｏ：２２〜４８％、かつ、Ｃｏ／Ｎｉ＜１）と、残りがＮｂと不可避不純物（ただし、Ｎｂ：１９〜４２％）からなる成分組成（組成割合は原子％）を有し、かつ、ロール急冷法による厚さ０．０７ｍｍ以下の鋳造箔材の調質熱処理材にして、Ｎｉの一部をＣｏが、また、Ｔｉの一部をＺｒ及びＮｂが置換したＮｉ（Ｃｏ）−Ｔｉ（Ｚｒ，Ｎｂ）金属間化合物と、Ｎｂに主としてＴｉ，Ｚｒ，Ｎｉ，Ｃｏが固溶したＮｂ基固溶合金の微細粒が分散分布した合金組織を有するＺｒ−Ｔｉ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ｎｂ合金で構成する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、耐水素脆化特性に優れた１２００ＭＰａ以上の高強度ＦｅＮｉ基合金を提供するものである。
【解決手段】
本発明の高強度ＦｅＮｉ基合金は、γ′相強化型ＦｅＮｉ基合金であって、溶体化熱処理及び時効熱処理後の合金の化学組成を以下としたことを特徴とする。
Ｃ（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃ）＝ｘＣγ（２１.５，０.０２，１６.５，５９.９，１.４３，０.５４，０.１３，０）＋ｙＣγ′（７１.９，１.９８，０.３０，７.６８，０.０１，０.０８，１８.１，０）＋ｚＣα（０，０，０.０６，０，０.０５，０，８１.３，１８.６）
ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０.１２＜ｙ＜０.２３，０＜ｚ＜０.０１である。 （もっと読む）

【課題】低融点であり鋳造時に石こう系埋没材を使用することができ、かつ１４．９×１０^−６Ｋ^−１未満の熱膨張係数を有している歯科鋳造用陶材焼付貴金属合金を提供する。
【解決手段】Ｐｄ−Ａｇ−Ａｕ−Ｃｕ系合金にＧａ＋ＩｎもしくはＳｎ＋Ｉｎの複合添加を行うことにより合金の融点を下げ、かつ熱膨張係数が１４．９×１０^−６Ｋ^−１未満とする。 （もっと読む）

【課題】可及的にタングステンの高比重を生かしつつ、複雑な形状であっても量産の可能なスポーツ用品を提供する。
【解決手段】比重が９以上であって、１５〜７０重量％のタングステンと、１５〜７０重量％の鉄と、９〜６５重量％のニッケルとを主成分とし、主成分以外の他の少量成分として錫と銅を併せた１重量％程から成るタングステン鋳造合金、又は該他の成分として錫と銅の一方又は両方が存在しない場合のタングステン鋳造合金、又は該他の成分として錫と銅の一方又は両方と共に或いは錫も銅も存在しないで、錫銅以外の少量成分が存在する場合のタングステン鋳造合金１０をいずれかの部分に具備する。 （もっと読む）

【課題】 加工性に優れ、耐食性に優れた、ピンク色の複合材料および装飾品を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ｐｔを主成分とする第１相と、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｇを含む第２相と、を有する複合材料、およびその複合材料を少なくとも一部に有する装飾品に関する。第２相におけるＣｕ、ＡｕおよびＡｇの組成は、それらの質量比率を、それぞれＸ質量％、Ｙ質量％およびＺ質量％とし、かつ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００）としたとき、三元ダイヤグラムにおける４点（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（５０，５０，０），（６０，４０，０），（６０，３５，５），（５５，３５，１０）で囲まれる範囲（境界線上の値を含む）であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】不純物の混入に起因する熱電特性の劣化の少ない熱電材料の製造方法、及びこれを用いて得られる熱電材料を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えたハーフホイスラー化合物を含む熱電材料。（１）前記ハーフホイスラー化合物は、ＡｇＡｓＭｇ型結晶構造を有する。（２）前記ハーフホイスラー化合物は、原子当たりの価電子数が６である。（３）前記ハーフホイスラー化合物は、前記ＡｇＡｓＭｇ型結晶構造の３つのサイトの内、少なくとも２つのサイトには、それぞれ、価電子数の異なる２種以上の原子を含む。（４）前記ハーフホイスラー化合物中のＯ濃度（[Ｏ]）及びＳｉ濃度（[Ｓｉ]）は、次の（ａ）式を満たす。
２．５≦３．３０５−５．１０[Ｏ]−０．５４０[Ｓｉ] ・・・（ａ） （もっと読む）

【課題】非破壊検査による高温用金属製品のコーティング劣化度判定方法を提供すること。
【解決手段】 Ｎｉ基合金等の耐熱性合金基材の上にエムクラリー（ＭＣｒＡｌＹ）等の金属系コーティング（コーティング）を備えた高温用金属製品（実機）のコーティングの劣化度を非破壊検査の結果を利用して判定する方法。耐熱性合金基材から前記コーティングへ拡散したＭｏ等の特定元素の含有率を、蛍光エックス線分析計により測定し、当該結果を利用して、実機のコーティング劣化度を判定する。 （もっと読む）

【課題】ホイスラー合金である強磁性体層を形成すること。
【解決手段】本発明は、反応抑制層１４上に形成された半導体層１６上に磁性元素層２０を形成する工程と、半導体層１６と磁性元素層２０とを熱処理し反応させることにより、反応抑制層１４上にホイスラー合金層２６である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法である。本発明によれば、半導体層と磁性元素層との反応を抑制する反応抑制層により、半導体と磁性元素との反応に供給される半導体が制限され、磁性元素の組成比の大きな強磁性体を形成することができる。 （もっと読む）

ビニレンカーボネート又はハロゲン化エチレンカーボネートを含む電解質、複合電極、及び結合剤からなる電極を含む電気化学電池が開示される。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉを含む部材と、Ｃｒを含む部材とを、強固にろう接するのに用いられるろう材、かかるろう材を用いてＴｉを含むワイヤとＣｒを含むワイヤとを強固にろう接してなる信頼性の高いガイドワイヤ、および、前記ろう材を用いて２つの部材を強固にろう接してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】ガイドワイヤ１は、先端側に配置され、ＴｉとＴｉおよびＣｒ以外の遷移金属とを含む合金で構成された第１ワイヤ２と、第１ワイヤ２の基端側に配置され、ＣｒとＣｒおよびＴｉ以外の遷移金属とを含む合金で構成された第２ワイヤ３とを、ろう接して形成されている。そして、このろう接に用いるろう材は、ＴｉおよびＣｒよりイオン化傾向が卑な金属を含んでいる。このようなろう材は、Ａｇ−Ｍｇ合金またはＮｉ−Ｍｇ合金であるのが好ましい。また、ろう材の組成は、共晶点近傍の組成であるのが好ましい。 （もっと読む）