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国際特許分類[C22C9/06]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理 (53,456) | 合金 (38,126) | 銅基合金 (3,322) | 次に多い成分としてニッケルまたはコバルトを含むもの (580)

国際特許分類[C22C9/06]に分類される特許

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【課題】再結晶前後の寸法変化が小さく、かつ寸法変化の異方性が小さい圧延銅箔を提供する。
【解決手段】圧延平行断面から見て、好ましくは、350℃で30分焼鈍前の圧延平行断面から見て、或いは最終冷間圧延後において、圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に1μmの深さの線Cを横切って該表面に到達するせん断帯の本数が、表裏面の合計値で0.1本/μm以下である圧延銅箔である。350℃で30分間焼鈍前、或いは焼鈍後において、再結晶組織の面積率が50%未満(0%を含む)である。最終冷間圧延において、最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスが存在し、当該5パス中のいずれかのパスの最大加工度が40%を超え、かつ最終パスでの加工度が前記5パス中で最小となり、鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延の総加工度が98.5%以下である圧延銅箔である。 (もっと読む)


【課題】再結晶前後の寸法変化が小さく、かつ寸法変化の異方性が小さい圧延銅箔を提供する。
【解決手段】 350℃で30分間焼鈍前後の寸法変化率が、圧延平行方向と圧延直角方向でいずれも0〜0.01%である圧延銅箔である。 (もっと読む)


【課題】低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材11と、基材11の最表層を構成し、Sn,In,またはそれらの合金で形成されたA層14と、基材11とA層14との間に設けられて中層を構成し、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Ir,またはそれらの合金で形成されたB層13と、を備え、最表層(A層)14の厚みが0.2μmよりも厚く、中層(B層)13の厚みが0.001μm以上である電子部品用金属材料10。 (もっと読む)


【課題】高い強度と導電性を併せ持ち、尚且つハーフエッチング時の均一なエッチング性に優れた高強度・高導電銅合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】0.05〜1.0質量%のFe、0.05〜1.0質量%のNi、0.02〜0.3質量%のPを含有し、FeとNiの合計とPの質量比(Fe+Ni)/Pが3〜10、FeとNiの質量比Ni/Feが1〜10であり、残部がCu及び不可避的不純物からなる銅合金であって、銅合金中に含まれる粒径が10nm以上の晶出物及び析出物のうち、粒径が100nm以上である晶出物及び析出物の割合が1%以下である高強度・高導電銅合金及びその製造方法である。 (もっと読む)


【課題】高強度と良好な曲げ加工性をあわせ持つコルソン系銅合金を提供する。
【解決手段】質量%で、Ni:1.00〜5.00%、Si:0.25〜1.20%、さらに、Sn、Ag、Mn、Fe、Cr、Co、Zn、Mg、Zr、P、B、及びTiからなる群から選ばれる少なくとも1種を総量で0.05〜2.0%含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる銅合金であり、下記式(1)を満たすことを特徴とする銅合金板条。(Brass方位:{011}<2−11>方位の方位密度)+(S方位:{123}<634>方位の方位密度)+(Copper方位:{112}<111>方位の方位密度)≦23式(1) (もっと読む)


【課題】低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材11と、基材11の最表層を構成し、Sn,In,またはそれらの合金で形成されたA層14と、基材11とA層14との間に設けられて中層を構成し、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Ir,またはそれらの合金で形成されたB層13と、を備え、最表層(A層)14の厚みが0.002〜0.2μmであり、中層(B層)13の厚みが0.001〜0.3μmである電子部品用金属材料10。 (もっと読む)


【課題】導電率が90%IACS以上であり、400℃にて1時間加熱後のビッカース硬さが100以上であり、優れた曲げ加工性を有する半導体装置用リードフレームの素材として好適なCu−Fe−P系銅合金板を提供する。
【解決手段】Fe;0.05〜0.15質量%、P;0.015〜0.05質量%、Zn;0.01〜0.2質量%、Cr;0.0005〜0.003質量%を含有し、残部がCuおよび不可避的不純物からなる組成を有し、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるEBSD法にて測定した結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の結晶組織内の全結晶粒における平均値が2.5〜5.0°であり、Brass方位密度が11.0〜22.0%であり、Copper方位密度が13.0〜25.5%であり、平均結晶粒径が2.0〜6.0μmである。 (もっと読む)


【課題】疲労特性を向上させたCu−Co−Si系銅合金条及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Co:0.5〜3.0質量%,Si:0.1〜1.0質量%を含有し、Co/Siの質量比:3.0〜5.0であって、残部が銅および不可避的不純物からなり、表面の硬さA(Hv)と、圧延平行方向の厚み中央における硬さB(Hv)との比A/Bが1.03以上であるCu−Co−Si系銅合金条である。 (もっと読む)


【課題】負極活物質層に対して高い密着性を維持しつつ粗化粒子の脱落を抑制し、また、タブリードとの溶接強度を向上させる。
【解決手段】銅又は銅合金からなる圧延銅箔と、圧延銅箔の少なくとも順に設けられた第1Cuめっき層と、粗化粒子と、第2Cuめっき層と、を有し、さらに、ニッケル−コバルト合金めっき層、ニッケルめっき層、又はコバルトめっき層のいずれかと、を備え、負極活物質層のバインダ割合Cb(wt%)をCbとすると、表面粗さRaが、Cb≧38×Ra×Ra−1.2×Ra(ただし、0.10≦Ra≦0.72、かつ、2≦Cb≦20)を満たす。 (もっと読む)


【課題】めっき性やはんだ濡れ性に優れると共に、強度や曲げ性を向上させたCu−Co−Si系銅合金条及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Co:0.5〜3.0質量%,Si:0.1〜1.0質量%を含有し、Co/Siの質量比:3.0〜5.0であって、残部が銅および不可避的不純物からなり、圧延平行方向RDの厚み中央Cにおける500nm以上の析出物の平均粒径A(nm)と、表面における500nm以上の析出物の平均粒径B(nm)との比A/Bが1.2以上であるCu−Co−Si系銅合金条である。 (もっと読む)


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