【課題】高耐力、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材および電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、さらにＮｉを３．０原子％超えて２０原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ^２以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高強度及び高ノッチ曲げ性を兼備したＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】０．５〜３．０質量％のＣｏ及び０．１〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、板厚方向の中央部において、板厚方向と平行にＥＢＳＤ測定を行い、結晶方位を解析したときに、Ｃｕｂｅ方位｛０ ０ １｝＜１ ０ ０＞の面積率が１０〜８０％、Ｂｒａｓｓ方位｛１ １ ０｝＜１ １ ２＞の面積率が２０％以下、Ｃｏｐｐｅｒ方位｛１ １ ２｝＜１ １ １＞の面積率が２０％以下であるＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】高強度及び高ノッチ曲げ性を兼備したＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】０．５〜３．０質量％のＣｏ及び０．１〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、板厚に対し４５〜５５％の断面位置である板厚方向の中央部において、板厚方向と平行にＥＢＳＤ測定を行い、結晶方位を解析したときに、次式で定義されるＰが１〜８であるＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金：
Ｐ＝（Ｆ１＋０．２×Ｆ２）／（Ｆ３＋Ｆ４）
（ただし、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３及びＦ４は、それぞれ、｛１ ０ ０｝＜０ ０ １＞、｛０ １ ２｝＜１ ０ ０＞、｛３ ６ ２｝＜８ ５ ３＞及び｛２ ３ １｝＜３ ４ ６＞の各方位の面積率である）。 （もっと読む）

【課題】高強度及び高ノッチ曲げ性を兼備したコルソン合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ及びＣｏのうち一種以上を０．８〜５．０質量％、Ｓｉを０．２〜１．５質量％含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなる圧延材であり、板厚に対し４５〜５５％の断面位置である板厚方向の中央部において、板厚方向と平行にＥＢＳＤ測定を行い、結晶方位を解析したときに、Ｃｕｂｅ方位｛０ ０ １｝＜１ ０ ０＞に配向する結晶の面積率が５％以上であり、さらに＜１ １ １＞方向が圧延材の幅方向（ＴＤ）に配向する結晶の面積率が５０％以下であるコルソン合金。 （もっと読む）

【課題】高耐力、高導電性、優れた耐応力緩和特性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタやリレー等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材および電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、さらに少なくともＮｉ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｌｉ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｃｏの１種又は２種以上を合計で０．０１原子％以上３．０原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ^２以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温のろう付け処理後の強度に優れた高強度銅管を提供する。
【解決手段】Ｃｏ：０．１３〜０．３０質量％、Ｐ：０．０３〜０．１０質量％を含有し、前記Ｃｏの含有量が前記Ｐの含有量の２．５倍以上であって、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなり、前記不可避的不純物として、Ｓ：０．００５質量％以下、Ｏ：０．００５質量％以下、Ｈ：０．０００２質量％以下に規制された銅合金を押出成形してなる高強度銅管であって、平均結晶粒径が３０μｍ以下であって、比抵抗値から算出される析出物が０．２０〜０．３０質量％であって、前記析出物のすべてに対して円相当径３〜５０ｎｍの析出物が面積率５０％以上であることを特徴とする。ＣｏとＰとの化合物からなる析出物が、適切な大きさかつ量で析出していることで、ろう付け処理において結晶粒の粗大化を抑制し、強度が保持される。 （もっと読む）

【課題】 コネクタ、端子、リレー、スイッチ等の導電性ばね材として好適な、優れた強度、曲げ加工性を備えたＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ０．５〜３．０質量％のＣｏ及び０．１〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋ−Ｓｃａｔｔｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：電子後方散乱回折）測定を行い、結晶方位を解析したときに、Ｃｕｂｅ方位｛０ ０ １｝＜１ ０ ０＞の面積率が５％以上、Ｂｒａｓｓ方位｛１ １ ０｝＜１ １ ２＞の面積率が２０％以下、Ｃｏｐｐｅｒ方位｛１ １ ２｝＜１ １ １＞の面積率が２０％以下であり、加工硬化指数が０．２以下であるＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】銅箔表面近傍のせん断帯を抑制し、屈曲性が向上した圧延銅箔を提供する。
【解決手段】再結晶組織の面積率が50%未満（0%を含む）であり、かつ圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に銅箔厚みの1/10の深さの線を横切って該表面に到達するせん断帯が表裏面の合計値で0.1本/μm以下である圧延銅箔である。 （もっと読む）

【課題】良好な曲げ加工性及び応力緩和特性を兼ね備えたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】１．０〜４．５質量％のＮｉ及び０．２〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、圧延平行断面における単位面積当たりの結晶粒個数に対して、結晶粒径が１０μｍ以下の結晶粒個数の割合が１５％以上、２０μｍ以上の結晶粒個数の割合が１５％以上である曲げ加工性及び応力緩和特性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】導電率が９０％ＩＡＣＳ以上であり、４００℃にて１時間加熱後のビッカース硬さが１００以上であり、優れたはんだ濡れ性を有する半導体装置用リードフレームの素材として好適なＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金板を得る。
【解決手段】 Ｆｅ；０．０５〜０．１５質量％、Ｐ；０．０１５〜０．０５質量％、Ｚｎ；０．０１〜０．２質量％、Ｐｂ；０．０００５〜０．００３質量％、Ａｇ；０．０００５〜０．００１５質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる組成を有し、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて測定した結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の結晶組織内の全結晶粒における平均値が２．５〜５．０°であり、Ｂｒａｓｓ方位密度が８．０〜２０．０％であり、Ｃｏｐｐｅｒ方位密度が１０．０〜２２．０％であり、平均結晶粒径が２．０〜６．０μｍである。 （もっと読む）