【課題】ビスマスと錫とを主成分とする粘り性に優れ安価であり、ビスマスと錫とが均一的に分布するな低融点無鉛ハンダ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】低融点無鉛ハンダは、第１所定Ｗｔ％のビスマスと、第２所定Ｗｔ％の錫と銅を含む金属群とからなり、前記金属群は、前記第２所定Ｗｔ％の第３所定Ｗｔ％の銅と、前記第２所定Ｗｔ％の０Ｗｔ％から３Ｗｔ％との間の銀と、残りが錫からなり、前記第１所定Ｗｔ％が５４Ｗｔ％と５６Ｗｔ％との間にあり、前記第２所定Ｗｔ％が４６Ｗｔ％と４４Ｗｔ％との間にあり、 前記第３所定Ｗｔ％が０．６Ｗｔ％と０．８Ｗｔ％の間にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度（スパッタ速度）を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】溶解鋳造後に、圧延回数を５回以上として冷間圧延されてできたインジウムメタルターゲット。インジウムメタル原料を溶解鋳造してインジウムメタルインゴット又はスラブを作製した後、該インゴット又はスラブを薄板状に冷間圧延してターゲットとするインジウムメタルターゲットの製造方法であって、圧延回数が５回以上であるインジウムメタルターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 Ｂｉ中にＰを簡単に且つ低コストで含有させることによって、Ｐｂを含まず、濡れ性に優れ、高い信頼性を有するＢｉ系はんだ合金の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｐｂを含まず、Ｂｉを主成分とし、Ｐを含有するＢｉ系はんだ合金の製造する際に、Ｂｉよりも融点の高い金属箔でＰを包み込み、このＰを包み込んだ金属箔をＢｉと共に不活性ガス雰囲気中で加熱溶融することによって、Ｐを０.００１重量％以上含有させたＢｉ系はんだ合金が得られる。金属箔はＡｌ、Ｚｎ、Ｃｕのいずれか１種又はこれらの合金からなり、その厚さが２０μｍ以上８００μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】静電容量が大きく、内部抵抗が小さく、かつ耐久性に優れたキャパシタ、該キャパシタ用集電体、電極を提供することを課題とする。
【解決手段】三次元網目状構造を有する金属多孔体からなるキャパシタ用集電体であって、該金属多孔体が、少なくともニッケルとスズとを含む合金からなることを特徴とするキャパシタ用集電体。前記キャパシタ用集電体は、前記スズの含有率が１質量％以上、４０質量％以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高いヤング率を有し、その温度係数が小さい恒弾性合金、及びこれを使用した精密機器を提供する。
【解決手段】Ｃｏ20〜40％、Ｎｉ10〜20％、Ｃｒ5〜15％と、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのそれぞれ２％以下のIIａ族元素及びIIａ族元素のフッ素化合物のそれぞれ1％以下の1種以上の合計0.0001〜5％、及び副成分としてＭｏ、Ｗをそれぞれ１０％以下、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆをそれぞれ７％以下、Ａｕ、Ａｇ、白金族元素、Ａｌ、Ｓｉ、希土類元素をそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下、Ｂ、Ｃをそれぞれ１％以下の１種以上の合計０．００１〜１５％を含有する合金を、900℃以上融点未満の温度で焼鈍した後冷却し、加工率50％以上の線引き加工を施して所望の太さの線材とし、550〜720℃の温度で加熱する。ヤング率190ＧＰａ以上及び0〜40℃におけるヤング率の温度係数(-5〜5)×10^−５を有する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ初期のスパッタレートが高く、かつスパッタレートの経時的な低下が小さく、さらに均質な膜が形成できる太陽電池用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム製の鋳塊に物理的応力を加える加工を行って該鋳塊の厚みを元の厚みの７０％以下にすることにより得られたターゲット材とバッキングプレートとを、インジウム-スズまたはインジウム-ガリウム合金製のボンディング材により接合することにより形成されたことを特徴とする太陽電池用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】Ｓｎを含むＡｌ基軸受合金層を備え、非焼付性に優れるＡｌ合金軸受を提供する。
【解決手段】Ａｌ合金軸受２１は、基材２２上にＡｌ基軸受合金層２３を備えている。Ａｌ基軸受合金層２３は、摺動表面２８側にＡｌと３０〜７０質量％のＳｎとを含む表面層２７を有している。表面層２７は、ＡｌからなるＡｌ相と前記ＳｎからなるＳｎ相とを有し、隣り合うＳｎ相同士の相間距離の平均値が１０μｍ以下であり、かつＳｎ相のアスペクト比の平均値が４以上である。 （もっと読む）

【課題】圧延等による加工時に素材に割れが発生することがない加工性に優れる亜鉛合金鋳造塊およびその亜鉛合金鋳造塊の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】Ａｌを３．５〜１８質量％含有し、残部がＺｎおよび不可避的不純物であって、共晶組織の平均結晶粒径が４０μｍ以下である。更に、Ｃｕを１〜３．５質量％含有していても良い。また更に、Ｓｉを含有し、前記ＣｕとＳｉの合計含有量が１．８〜４．３質量％であっても良い。 （もっと読む）

【課題】ＣｕをＡｌと共に合金元素として亜鉛に添加してろう付け接合後の疲労強度を高めても、圧延加工時に素材に割れが発生することがない、ろう付け用の亜鉛合金箔を得るための中間素材、或いはそのままでろう付け用亜鉛合金箔として用いることができるＺｎ−Ａｌ−Ｃｕ合金圧延材およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】Ａｌを３．５〜１８質量％、Ｃｕを１〜３．５質量％含有し、残部がＺｎおよび不可避的不純物であって、平均結晶粒径が１０〜４０μｍの単体Ｃｕ粒が５００μｍ^２あたり４個以上存在し、且つ、厚みが８０〜１５０μｍである。 （もっと読む）

【課題】成膜レートが大きく且つ初期放電電圧が小さく、さらに、スパッタ開始から終了までの成膜レート及び放電電圧が安定なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ターゲットの断面方向から観察した結晶粒のアスペクト比（長手方向の長さ／短手方向の長さ）が２．０以下であるインジウムターゲット。 （もっと読む）