国際特許分類［C23C14/30］の内容
化学；冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆；金属材料による材料への被覆；表面への拡散，化学的変換または置換による，金属材料の表面処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | 被覆形成材料の真空蒸着，スパッタリングまたはイオン注入法による被覆 (14,491) | 被覆の方法に特徴のあるもの (7,808) | 真空蒸着 (2,572) | 波動エネルギーまたは粒子放射によるもの (271) | 電子衝撃によるもの (113)
国際特許分類［C23C14/30］に分類される特許
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可視光吸収性多層抗反射コーティングで被覆された光学体とその製造方法
有機、または無機ガラスからなる透明基質を含み、主要前面、および裏面を有し、少なくともひとつの前記主要面が多層抗反射コーティングを有し、前記抗反射コーティングが不足当量酸化チタンを含む少なくとも二つの可視光吸収層を有し、その可視光吸収層において可視光吸収層を含まない同様のもの（光学体）と比較して可視光の相対透過特性Ｔｖが１０％以上減少している光学体に関する発明。 （もっと読む）
半導体製造装置および半導体装置の製造方法
【目的】 半導体基板の段差底部にカバレッジよく窒化チタン膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【構成】 チタンをイオン化し、半導体基板１０に負のバイアスを加えてチタンイオンを半導体基板１０に略垂直に入射させる。これにより、チタンイオンは半導体基板１０上に堆積し、コンタクトホール１４の底部においても平坦で十分な膜厚を有するチタン膜１６を形成することができる。次に、このようにしてチタン膜１６を半導体基板１０に形成した後、チタン膜１６を窒化して窒化チタン膜１８を形成する。この窒化の方法としては、窒素又はアンモニア雰囲気とされた炉内に半導体基板１０を入れ、高温下で熱窒化の反応を起こさせる方法や、窒素イオンを半導体基板１０に打ち込む方法が用いられる。
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半導体製造装置および半導体装置の製造方法
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