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国際特許分類[C23C14/30]の内容

国際特許分類[C23C14/30]に分類される特許

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【課題】勾配型屈折率を備えた多孔質を含む単層構造をした透明導電性のナノ構造薄膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】電子ビームシステム100を用いて、ターゲットソースが斜め堆積法により蒸着される。複数の調整可能な試料ステージ104上に蒸着基板114が配置される。プロセスチャンバー101内でガスの流量および温度を制御するため、熱源と複数のガス制御弁107および108が備えられる。蒸着後、薄膜構造と光電子特性を向上させるため、アニール工程が行われる。 (もっと読む)


【課題】 電子ビームの照射を受けた蒸着材料から生成される蒸着粒子が、電子銃に配設されている電子ビーム偏向用のポールピースに付着することがない蒸着用電子銃を実現する。
【解決手段】 非磁性体からなり箱体状に形成された本体ケース20内に、永久磁石14、熱電子を放出するフィラメント16、蒸着材料上で電子ビームをX軸およびY軸方向においてスキャンするためのスキャンコイルユニット17などを配設するとともに、電子ビームを偏向する磁界を形成するための対向する1対のポールピース11a,11bおよび電子ビームの軌道を調整する磁界を形成するための対向する1対のポールピース12a,12bを、本体ケース20内にそれぞれ横設する。電子ビームを射出するための方形状の開口22を有する、非磁性体からなる上部カバー21を、本体ケース20の上部に取り付ける。 (もっと読む)


【課題】 厚み変動を小さく、かつ収率を高くすることができる、薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜形成装置10は、真空引き雰囲気の蒸着チャンバー内で、蒸着源から物質を蒸発させて基材1に蒸着膜を形成する装置であり、この装置では、基材1を蒸着源に面するように保持する基材ホルダー3を備え、基材ホルダー3は、基材1が蒸着源7を囲い込む筒状体をなす面に沿って配置することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 反射電子トラップの反射電子捕獲率を大幅に向上させる。
【解決手段】 真空チャンバ1内において、坩堝8内に収容された蒸発材料7に電子銃9からの電子ビームEBを照射することにより蒸発材料7を蒸発させ、蒸発粒子を基板4上に付着させる様に成す。真空チャンバ内に設けられ、蒸発材料で反射した電子ビームを捕獲するための反射電子トラップ21は、反射電子が向かって来る側が開放された箱状の形状を成しており、この開放部に対向する底面に、この底面に垂直に伸びる複数の小トラップ体22A,22B,22C……が設けられている。 (もっと読む)


【課題】常に高い蒸着レートにより蒸着を行うことができ、しかも蒸着を行う半導体基板に損傷を与えたり、フォトレジストの硬化を引き起こすことのない、真空蒸着装置及びこの装置の電子ビーム照射方法を提供する。
【解決手段】この真空蒸着装置10は、半導体基板24を保持する基板ホルダーと、電子ビーム17を蒸発材料に照射し蒸発させる電子ビーム発生手段と、前記蒸発材料に前記電子ビーム17が照射されるように、前記電子ビーム17の軌道を制御するビーム軌道制御手段と、前記半導体基板24に蒸着される薄膜の蒸着レートを検知する蒸着レート検知手段と、前記蒸着レートが低下したとき、前記蒸着レートより高い蒸着レートが得られる前記蒸着材料の高蒸着レート位置を算出する高蒸着レート位置算出手段と、前記蒸着材料の前記高蒸着レート位置に前記電子ビーム17が照射されるよう前記電子ビーム17の軌道を修正するビーム軌道修正手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】金属酸化物を蒸発材料とする金属酸化膜の蒸着方法に関するものであり、特にプラズマディスプレイパネル(以下、PDPという)の保護膜の形成に関するもので、保護膜としての<111>配向したMgO膜の成膜速度を早くして、生産性の向上とパネル特性の向上を図る。
【解決手段】金属酸化物を蒸発材料とする蒸着方法において、前記蒸発材料の加熱手段として電子銃を使用し、該電子銃からの電子ビームを絞り、該電子ビームの直径をもとに蒸発材料への電子ビームの照射面積に合わせて、電子ビームの揺動波形を制御することを特徴とする金属酸化膜の蒸着方法であり、走査電極、維持電極、誘電体層及び保護膜から成る前面基板とアドレス電極、バリアリブ及び蛍光体からなる背面基板から構成されているプラズマディスプレイの保護膜であるMgO膜の成膜速度が速くなり、かつ良好なパネル特性が得られた。 (もっと読む)


本発明に関わる蒸着システム(100)は、真空チャンバ(102)と、蒸着材料を装填するルツボ(104)と、基板(114)を装着する基板ホルダ(112)と、基板上に堆積させる蒸着材料を加熱するための電子ビーム源(116)とを具備し、前記真空チャンバ内側に、前記基板ホルダとルツボと供に、前記電子ビーム源が配置され、前記電子ビーム源は電界放射電子ビーム源であり、さらに、前記蒸着材料を蒸着させる加熱を行う、前記電界放射電子ビーム源により放射された電子の飛翔方向を制御する制御ユニットを備える。 (もっと読む)


【課題】突出するポールピースを備えた電子ビームガンにおいて、蒸発物が堆積して大きく成長するのを抑制することにより、成膜に悪影響が及ぶのを防ぐことが可能な電子ビームガン、およびかかる電子ビームガンを備えて安定的かつ効率的な成膜を確実に行うことが可能な真空成膜装置を提供する。
【解決手段】電子ビームガン本体13から突出して延びるポールピース14を備え、このポールピース14の周囲を、軸線O回りに回転させられるカバー16によって覆い、また、このような電子ビームガン2を、蒸着材料と被成膜物とを収容する真空容器内に配設する。 (もっと読む)


【課題】 蒸着材料を蒸着している領域に供給すると、蒸着源の温度が下がり、蒸着速度が安定せず、蒸着速度を長時間安定に行うことができない。
【解決手段】蒸着材料104に電子ビームを照射して溶解した材料を、電子ビームを照射して蒸発する少なくとも2つの領域101,103とつながり、蒸発せずに溶解した部分102に供給することで、急激な温度差が発生しにくいため、材料供給時にスプラッシュが発生しにくく、また料供給時に、蒸発源温度の低下が抑制でき、2つの蒸発領域101,103の蒸発面高さを一定にすることができるので、蒸着レートの変動を抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】カソードおよびアノード間の異常放電の発生率を十分に低下させる。
【解決手段】熱電子を放出するカソード22と、カソード22から熱電子が放出されている状態においてカソード22との間に印加されているグリッド電圧の電圧値に応じた量の電子を放出するグリッド23と、カソード22との間にアノード電圧が印加されて電子を加速させるアノード24と、加速された電子を集束して電子ビームEBを生成する集束部25とを備えた電子ビーム蒸着装置用の電子ビーム照射装置6であって、カソード22は、アノード24側の一面22sの十点平均粗さRzが0.10μm以上0.28μm以下の範囲内となるように研磨されている。 (もっと読む)


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