【課題】異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程を利用して得られる窒化物半導体結晶基板に生じる結晶軸の湾曲を低減することができる窒化物半導体結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程と、窒化物半導体結晶を異種基板から切り離す工程と、互いに向かい合う凹状の曲面を有する雌型と凸状の曲面を有する雄型との間に異種基板から切り離された窒化物半導体結晶を窒化物半導体結晶の切り離された側の表面が雄型側を向くように設置する工程と、雌型と雄型とによって窒化物半導体結晶の結晶軸の湾曲が低減するように窒化物半導体結晶をプレスする工程と、プレス後の窒化物半導体結晶をスライスする工程と、を含む、窒化物半導体結晶基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】異種基板上に半導体結晶を気相成長させる工程を利用して得られる半導体結晶基板に生じる結晶軸の湾曲を低減することができる半導体結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】異種基板上に第１半導体結晶４を気相成長させる工程と、第１半導体結晶４を異種基板から切り離す工程と、切り離された第１半導体結晶４の切り離された側の表面を研削して加工変質層７を形成し、該加工変質層７上に第２半導体結晶８を成長させる工程と、第１半導体結晶４と第２半導体結晶８とを含む積層体をスライスする工程と、を含む。ここで、第１半導体結晶４の厚みをｈ１とし、第２半導体結晶８の厚みをｈ２としたとき、ｈ１／ｈ２は、０．０１以上１００以下であることが好ましく、０．１以上１０以下であることがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】上下導通タイプの窒化物系化合物半導体素子を効率的に製造することができる方法を確立する。
【解決手段】サファイア基材のＣ面からオフした主面又はサファイア基板のＲ面からｃ軸を含む面上にオフした主面を有するサファイア基板上に、少なくともＡｌを含んだ有機金属をプリフローし、少なくともＡｌを含む金属層を形成する。次いで、前記金属層上にＡｌＧａＮなる組成を有する窒化物系化合物半導体からなるバッファ層を形成し、前記バッファ層上に、窒化物系化合物半導体からなる成長基板層を形成し、前記成長基板層上に、窒化物系化合物半導体からなる機能層を形成し、前記サファイア基板と前記バッファ層とを前記金属層を介して剥離させ、少なくとも前記成長基板層及び前記機能層を含む窒化物系化合物半導体素子を得る。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダーとの密着度を良くし、かつＧａＮ自立基板の反りを減らすことにより、窒化物半導体素子の良品歩留率を向上させることができる自立した窒化ガリウム単結晶基板とその製造方法、および窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】表面（Ｇａ面）２が鏡面に研磨され、かつ裏面（Ｎ面）３の算術平均粗さＲａをラップ後のエッチング処理により１μｍ以上、１０μｍ以下（気相成長装置の基板ホルダーと面接触する粗さ）としたＧａＮ自立基板１を用いて、窒化物半導体素子を気相成長法により製造する。 （もっと読む）

【課題】型成形工具の摩耗を抑制し、特に石英等の既存の直接プリント法ではパターン形成が難しいような被加工物に対して、モールドを消耗、破壊させることなく、形状転写性良くパターン形状を作製することが可能なモールドを提供する。
【解決手段】被加工物に対して凹凸形状を転写するための型成形工具であって、前記型成形工具の被加工物に接触する部分が凹凸形状を有するダイヤモンドからなる型成形工具を提供する。また前記型成形工具が、補助基体上にダイヤモンドが形成された２層以上の複合体構造であることが好ましく、さらに前記型成形工具が、５〜１００μｍの波長域における光の透過率が３０％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体素子の種々の特性を改善するとともに、その生産性を向上させる。
【解決手段】窒化物系半導体素子の製造方法は、基板（１）の剥離を容易にさせるための剥離層（２）をその基板上に形成し、その剥離層上に１以上の窒化物系半導体層（３−８）を形成する工程を含むことを特徴としている。その剥離層として、またはその代わりとして、基板上に１以上の導電性膜を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】面方位の判別が容易にできるように、面方位の印として、結晶方向において扁平な側面（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）を有するａ面窒化物半導体単結晶基板を提供する。
【解決手段】主面がａ面（｛１１−２０｝面）とされ、結晶方向で１個ないし３個の扁平な側面（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）を有することを特徴とするａ面窒化物半導体単結晶基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】製作工程が単純で製造コストが低く、収率の高いフリースタンディング窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ装置の反応器内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム層を表面処理して多孔性窒化ガリウム層を形成するステップと、単一の反応器内でインシチュで窒化ガリウム結晶成長層を形成するステップと、冷却により窒化ガリウム結晶成長層が自発的に分離されるステップと、を含むフリースタンディング窒化ガリウム基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族窒化物系半導体厚膜層中の不純物プロファイルを適正に制御することによって、結晶方位分布の少ない、高品質なIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶を有するIII−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉドープＧａＮ厚膜１２は、図示しないサファイア基板上に、アンドープ部１３、Ｓｉドープ部１４を順次エピタキシャル成長させた後、サファイア基板から剥離して得られ、ＳｉドープＧａＮ厚膜１２の両面をそれぞれ１００μｍづつ研磨することにより厚さ４００μｍのＧａＮ自立基板１５が得られる。 （もっと読む）

化学蒸着（ＣＶＤ）によって形状記憶または超弾性薄膜を堆積する方法、ならびにステント、移植片、ステント移植片、ステントカバー、閉塞およびフィルタメンブレン、および薬物送達デバイスを含めた、それによって作製される医療デバイス。この方法は、ニッケルチタン形状記憶または超弾性合金の被膜の製造時にＣＶＤ反応を使用して基板表面上に薄膜が堆積されることを含む。そのようなニッケルチタンベースの形状記憶または超弾性合金は、二元ニッケルチタン合金であってよく、または三元、四元、もしくはそれよりも高いレベルの合金を形成するために追加の化合物を含んでいてもよい。
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