【課題】基材基板と窒化ガリウム単結晶層との分離が容易であって大面積化が可能な窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム単結晶基板の製造方法は、（ａ）窒化ガリウムより熱膨張係数の小さい物質からなる偏平な基材基板１０上に窒化ガリウム膜１２を成長させて冷却させることで、基材基板１０と窒化ガリウム膜１２を上方へ凸状に反らせると同時に窒化ガリウム膜１２にクラックを発生させるステップと、（ｂ）上方へ凸状に反った基材基板１０上のクラックが発生した窒化ガリウム膜１２上に窒化ガリウム単結晶層１４を成長させるステップと、（ｃ）窒化ガリウム単結晶層１４が成長した結果物を冷却させることで、上方へ凸状に反った結果物を再び偏平に又は下方へ凸状に反らせると同時に、クラックが発生した窒化ガリウム膜１２を境界に基材基板１０と窒化ガリウム単結晶層１４とを自己分離させるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】十分微細なパーティクルを検出することができる程度に高精度に平坦化された表面を有し、かつ、ダミーウエハはもちろん、高い表面平坦性が要求されるパーティクルモニタウエハとしても、比較的多くの回数にわたって繰り返し利用することができるモニタウエハ、およびこのようなモニタウエハの作製方法を提供する。
【解決手段】モニタウエハは、ＣＶＤ法で形成されたＳｉＣ結晶からなるＳｉＣウエハと、このＳｉＣウエハ上の最表層に設けられ、非透明性を有する膜と、を有する。非透明性を有する膜は、低圧気相成長法で形成された多結晶Ｓｉ膜である。 （もっと読む）

【課題】抵抗率の制御を容易にすることにより抵抗率を低くでき、かつ抵抗率の面内分布の悪化を防止できるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法は、以下の工程を有している。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、気相成長法により下地基板上に、四フッ化珪素ガスをドーピングガスとして用いることによりシリコンをドーピングしたＩＩＩ族窒化物半導体結晶が成長される（ステップＳ２）。 （もっと読む）

【課題】転位が少なく、また、基板と化合物半導体エピ層との分離にレーザーリフト・オフ工程を適用しなくてもよい、窒化ガリウムのような化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に複数の球形のボール２０をコーティングする工程と、球形のボール２０がコーティングされた基板上１０に化合物半導体エピ層３０を成長させつつ、球形のボール２０下部にボイド３５を形成する工程と、ボイド３５に沿って基板１０と化合物半導体エピ層３０とが自家分離されるように、化合物半導体エピ層３０が成長した基板１０を冷却させる工程と、を含む化合物半導体基板の製造方法。球形のボール処理により転位減少効果を持つ。また、自家分離を利用するので、基板と化合物半導体エピ層との分離にレーザーリフト・オフ工程を適用しなくてもよい。 （もっと読む）

【課題】二種類の材料系を分離する方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例による二種類の材料系の分離方法は、サファイアバルクを提供するステップと、サファイアバルク上に窒化物系を形成するステップと、サファイアバルクと窒化物系との間に少なくとも二つの中空通路を形成するステップと、中空通路のうち少なくとも内表面をエッチングするステップと、サファイアバルクと窒化物系を分離するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】表面品質の良好な半導体デバイスを製造し、製造歩留まりを向上させ、製造コストの低下を図ることができる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】成長基板１１上に、互いに間隔をおいて成長基板１１の表面側に隆起してなる底部１３１と該底部１３１の上に続いて形成する先端部１３２とを有する複数の突起１３、１３、・・・を形成する工程と、複数の隣り合う突起の間に成長基板１１側とキャビティ１６が画成されるようベース層１５を、複数の突起１３、１３、・・・のそれぞれの先端部１３２、１３２、・・・に跨るように横方向へ成長させる工程と、半導体デバイスとして、ベース層１５を直接厚く成長させて、厚膜層１７を形成する工程と、複数の突起１３、１３、・・・のそれぞれの底部１３１、１３１、・・・を除去し、厚膜層１７を半導体デバイスとして成長基板１１から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に特に自立基板製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。
【解決手段】サファイア、SiC、Siのいずれかからなる基板上にAlN単結晶層を0.1μm以上10μｍ以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板又はAlN単結晶基板の上に金属層を成膜する工程と、該金属層をアンモニア混合ガス雰囲気で加熱窒化処理を行ない、略三角錐ないし三角台形状の複数の微結晶を有する金属窒化物層を形成する工程と、該金属窒化層上にIII族窒化物半導体層を成膜する工程を有することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】緑色単色の発光が得られる閃亜鉛鉱型窒化物半導体自立基板および、当該閃亜鉛鉱型窒化物半導体自立基板を用いた発光装置とを提供する。
【解決手段】（００１）面を有するＧａＡｓ基板１０の裏面にＳｉＯ２保護層２０を、表面に約１０ｎｍのＧａＮバッファ層１２を成長させる。アニールのあと、ＧａＮバッファ層１２上に１８００ｎｍのＧａＮ層１４を成長させる。つづいて、ＨＶＰＥ法によりＧａＮ層１４の上に所定膜厚のＧａＮ層１６を成長させたあと、成長基板１のＧａＡｓ基板１０及びＧａＮバッファ層１２を研磨、エッチング等により除去してＧａＮ自立基板を得た。ＧａＮ層１６の厚さが２００μｍでＧａＮ層１４の表面のウルツ鉱構造の割合が５％、ＧａＮ層１６の厚さが５００μｍでウルツ鉱構造の割合が１．５％まで低下した。これらの閃亜鉛鉱型窒化物半導体自立基板を用いることにより、発光の単色性のよい発光装置の製造が可能となる。 （もっと読む）

【課題】粗研磨を実施したときのクラックの発生率を低下することができるＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板及びＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板は、異種基板上にファセット面で成長したＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の第１の領域と、異種基板上に所定の面方位で成長したＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の第２の領域とを有し、第１の領域は、第２の領域に対して１０％以下の面積比を有する。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、液相法により少なくとも１種類の金属元素を含有する溶媒とＩＩＩ族元素とを含む結晶成長用液体２を用いて第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、金属元素の少なくとも１種類を含む結晶処理用液体４中で第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を熱処理する工程と、熱処理がされた第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０上に気相法により第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）