【課題】ＧａＮ結晶体およびＧａＡｓ基板の外周に形成される窒化物堆積物を効率よく除去して、窒化ガリウム独立基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウムと異なる材料から成る基板９上に気相成長法で成長された窒化ガリウム結晶体２４から窒化ガリウム独立基板を製造する方法であって、成長によって、基板９および窒化ガリウム結晶体２４の側面上に窒化物堆積物２６が形成される。この方法は、窒化物堆積物２６を外周加工により除去する工程と、この外周加工の後に、基板９を窒化ガリウム結晶体２４から剥離して、基板９および窒化ガリウム結晶体２４を互いに独立させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム基板を製造するための窒化ガリウム結晶体および基板の側面に形成される窒化物堆積物を効率よく除去して、窒化ガリウム結晶体を製造する方法および窒化ガリウム基板を製造する方法が提供される。
【解決手段】窒化ガリウムと異なる材料から成る基板９上に気相成長法で成長された窒化ガリウム結晶体２４から窒化ガリウム基板を製造する方法であって、成長によって、窒化ガリウム結晶体２４の側面および基板９の側面上に窒化物堆積物２６が形成される。この方法は、窒化物堆積物２６を外周加工により除去する工程と、この外周加工の後に、基板９をエッチングにより除去する。エッチング後に残余の窒化物堆積物２６ｅを除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＣＶＤ−ＳｉＣの基材として、繰り返し使用でき、ＣＶＤ−ＳｉＣから簡単に除去でき、ＣＶＤ−ＳｉＣにクラック、割れ、不純物汚染を発生させたりしない基材を採用した、生産性に優れた炭化ケイ素部材の製造法を提供する。
【解決手段】基材上に薬液で溶解可能な中間層を形成後、前記中間層の表面にＣＶＤ法で炭化ケイ素膜を成膜して炭化ケイ素体とした後、前記中間層を薬液で溶解させて除去し前記基材から前記炭化ケイ素体を分離させることを特徴とする炭化ケイ素部材の製造法。 （もっと読む）

【目的】シリコン基板上に高品質の化合物半導体を結晶成長することを可能とする。
【構成】 この改善策として、シリコン基板に薄い異種半導体結晶を結晶成長させ、その上から酸素のイオン注入を行うことによりシリコン表面を酸化させてSiO₂を形成させる。熱処理によって異種半導体を結晶化させ、その上に必要な厚さの異種半導体及びその半導体で構成される半導体装置を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体と良好な格子整合性を有する元基板を利用して、結晶欠陥の少ない高品質な窒化物半導体基板を簡易な方法で製造すること。
【解決手段】 第１の窒化物半導体結晶２０２を格子定数がａ軸方向に０．３０ｎｍから０．３６ｎｍまで、ｃ軸方向に０．４８ｎｍから０．５８ｎｍまでの化合物半導体元基板２０１の（ＡＢＣＤ）［Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に−４〜４の整数。］面上に成長させ、次いで元基板を除去し、第１の窒化物半導体結晶上に第２の窒化物半導体結晶２０４を成長させる。 （もっと読む）

本発明は工具または部品から硬質材料層系を除去するための方法および装置であり、除去方法を改善するために、クロムおよびアルミニウムを含有する少なくとも１つの層が基材に直接被着され、該基材は強力な酸化剤を含むアルカリ溶液を用いて膜除去される。
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閉成状態の複数の部品からなるマンドレル（１０，３０，４０）の内面上へのニッケル蒸着を使用して、ニッケル成形品、即ちシェルを成形するための方法と装置。閉成状態の複数の部品からなるマンドレル（１０，３０，４０）は、別の蒸着チャンバの必要性を省き、ニッケル蒸着が、中空、若しくは部分的に中空のニッケル成形品（１２，３２，３３，３４）を得るように、複数の部品からなる完全な、若しくは部分的なマンドレルの内面の形状に、ニッケルシェル（１２，３２，３３，３４）を成形する。
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