【課題】基材基板上に窒化ガリウム（ＧａＮ）など窒化物半導体膜を成長させて得られる窒化物半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材基板上に窒化物半導体膜を成長させる際に加えられる応力が基板の周辺部に行くほど大きいという点を考慮し、基材基板の裏面に複数のトレンチを、該応力の吸収軽減に適するように形成する。すなわち、基材基板の裏面に形成される複数のトレンチ間のピッチを基板の中心部から周辺部に行くほど徐々に狭くするか、トレンチの幅を基板の中心部から周辺部に行くほど徐々に広くするか、トレンチの深さを基板の中心部から周辺部に行くほど徐々に深く形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上単結晶Ｓｉ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉウエハ上にゲルマニウム含有材料を堆積させて犠牲Ｇｅ含有膜を形成させたあと、単結晶Ｓｉ膜を、犠牲Ｇｅ含有膜上に形成する。前記単結晶Ｓｉ膜表面に透明基板を接着することによって、接着基板を形成する。前記接着基板をＧｅエッチング溶液に浸漬し、犠牲Ｇｅ含有膜を除去することにより、透明基板をＳｉウエハから分離する。その結果、上部に単結晶Ｓｉ膜が形成された透明基板が得られる。任意で、Ｇｅエッチング溶液を分散させるための溝を形成し、Ｇｅ含有膜の除去を促進してもよい。 （もっと読む）

【課題】手間を要さず、下地基板を剥離することができるIII族窒化物半導体基板の製造方法、およびこの製造方法により製造されたIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】本実施形態の自立基板の製造方法は、以下の工程を含むものである。(i)下地基板１０上に、炭化アルミニウム層１１を形成する工程、(ii)上記炭化アルミニウム層１１を窒化する工程、(iii)窒化された上記炭化アルミニウム層１２の上部にIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程、(iv)上記III族窒化物半導体層から、上記下地基板１０を除去し、上記III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体基板を得る工程。 （もっと読む）

【課題】元素分析前処理用容器であって、耐熱性と、耐酸性等の耐薬品性に優れ、かつ高純度な元素分析前処理用容器を提供する。また、ＩＣＰ法による分析装置で用いられる誘導結合プラズマトーチであって、精密な元素分析を可能とし、かつ耐久性に優れる誘導結合プラズマトーチ、及びこれを具備するＩＣＰ法による元素分析装置を提供する。
【解決手段】元素分析の前処理で使用される容器であって、該容器が、化学気相成長（ＣＶＤ）法によって製造されたセラミック容器であることを特徴とする元素分析前処理用容器。また、少なくとも、誘導コイルとノズルを具備する、ＩＣＰ法による元素分析装置で用いられる誘導結合プラズマトーチであって、前記ノズルが、ＣＶＤ法によって製造されたセラミックノズルであることを特徴とする誘導結合プラズマトーチ。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる際の結晶性を向上できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、下地基板の上に第１バッファー層を形成する第１バッファー層形成工程と、前記第１バッファー層の上に、複数の開口を有するマスクを形成するマスク形成工程と、前記第１バッファー層の表面において前記複数の開口により露出された複数の領域に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の第２バッファー層を形成する第２バッファー層形成工程と、前記複数の第２バッファー層の上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】単結晶基材の上にＡｌＮ系III族窒化物からなる単結晶層を形成した積層体から単結晶基材を除去して、自立基板を得る方法を提供する。
【解決手段】単結晶サファイア基材１ａの上にＡｌＮ系III族窒化物エピタキシャル膜からなる成長用下地層１ｂを設けた基板１の上に、ＡｌＮ系III族窒化物からなる単結晶層２を形成した積層体３を、基材１ａのみが基材１ａを構成する単結晶サファイアに対する酸化能を有さない非酸化雰囲気に曝される状態で、１４００℃以上の温度に加熱することで、基材１ａの熱分解を生じさせ、掃拭や吸引などによって除去容易な物質を生成させる。単結晶層２側は加熱によって転位が低減するので、ＡｌＮ系III族窒化物単結晶からなる結晶品質の優れた自立基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】通常のバルク結晶の測定で得られる、平均化された電気特性の値通りの性能を得ることが可能なIII−Ｖ族窒化物系半導体基板及びIII−Ｖ族窒化物系発光素子を提供する。
【解決手段】基板面内の任意の場所でｎ型不純物濃度の最小値が５×１０^１７ｃｍ^−３以上としたIII−Ｖ族窒化物系半導体基板とする。また、このIII−Ｖ族窒化物系半導体基板上に、少なくともIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層を形成してIII−Ｖ族窒化物系発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】凹凸形状の微細加工に適し、製造効率を向上させた複合金属箔、複合金属箔の製造方法、成形金属箔及び成形金属箔の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】凹凸形状を有する複合金属箔ならびに成形金属箔の製造において、作製すべき複合金属箔ならびに成形金属箔の凹凸形状に対応する凹凸形状をキャリア基材表面に形成する工程と、前記凹凸形状が形成されたキャリア基材の表面に沿うようにして気相成長法を用いて被覆金属層を形成する工程とを含む製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の元素の精製、複合化および成長、例えば、高温でシリコン等を溶解する分子線エピタキ法（ＭＢＥ）において用いる一体もの、複数片のるつぼを提供する。
【解決手段】るつぼは、るつぼを作り上げる複数片を固定して接合する外側の被覆層を有する。本発明は、返り勾配を有する熱分解窒化ホウ素からなる構造を含む一体ものを製造する方法も提供し、前記方法により黒鉛マンドレルの複雑な張出し構造の必要がないようにする、または高温で焼成することにより黒鉛マンドレルの取り外しの必要がないようにする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体膜を、窒化物半導体膜のエピタキシャル成長用の基板とは異なる、所望の材質の基板に形成する半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】第一の基板１に第一の窒化物半導体膜２を形成し、第一の窒化物半導体膜２の上に第一の窒化物半導体膜２よりも融点の高い第二の窒化物半導体膜３を形成する。次に、第二の窒化物半導体膜３の表面にキャリアー基板４を貼り合わせ、張り合わせられた第一の基板１、第一の窒化物半導体膜２、第二の窒化物半導体膜３及びキャリアー基板４を含むウェハを、第一の窒化物半導体膜２の融点より高く、かつ第二の窒化物半導体膜３の融点より低い温度で加熱処理して第一の窒化物半導体膜２を融解し、第一の基板１を除去する。更に、キャリアー基板４上に張り合わされた第二の窒化物半導体膜３の表面に第二の基板６を張り合わせ、キャリアー基板４を除去する。 （もっと読む）