一態様における方法は、第１熱伝導率を有する第１ダイアモンド層と、第１熱伝導率よりも高い第２熱伝導率を有する第２ダイアモンド層とを有する窒化ガリウム（ＧａＮ）層を製造するステップを含む。この製造するステップは、第２ダイアモンド層を第１ダイアモンド層上に堆積させるために、マイクロ波プラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを用いるステップを含む。 （もっと読む）

【課題】元来有する細孔機能を維持しながら担持された金属が有する機能を発現可能なミクロポーラス炭素系材料を提供する。
【解決手段】ミクロポーラス炭素系材料５であって、０．７ｎｍ以上２ｎｍ以下の範囲内の３次元の長周期規則構造と、ミクロ細孔２ａとを有するミクロポーラス炭素系材料であって、ミクロ細孔２ａ表面に遷移金属４が担持されている。この材料を、遷移金属を含む多孔質材料の表面及びミクロ細孔内に有機化合物を導入し、この有機化合物を化学気相成長法により炭化して遷移金属を含むミクロポーラス炭素系材料と多孔質材料の複合体を得る工程と、多孔質材料を除去する工程とを有する方法、又は多孔質材料の表面に有機化合物を導入して化学気相成長法によりミクロポーラス炭素系材料を得て、このミクロポーラス炭素系材料を遷移金属塩溶液中に浸漬・含浸し、ミクロポーラス炭素系材料の表面に遷移金属を担持する方法により得る。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体発光素子及び化合物半導体発行素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】、Ｓｉ−Ａｌ合金基板１０１と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面及び下面に設けられた保護層１２０と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面に設けられた保護層１２０上に順に積層されているｐ型半導体層１０４、活性層１０５及びｎ型半導体層１０６とを含む化合物半導体発光素子１００を提供する。また、化合物半導体発行素子１００の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族窒化物系半導体基板の面内の結晶軸の傾きの分布を低減することがで
きるIII−Ｖ族窒化物系半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】異種基板１の中心Ｏにおける、異種基板表面１ａの法線ｎに対して異種基板１の基準となる結晶面の結晶軸ａが傾斜している角度αと、その傾斜方向に異種基板１の中心Ｏから半径方向に２０ｍｍの位置Ｐにおける、異種基板表面１ａの法線ｎに対して結晶軸ａが傾斜している角度ηとの関係が、０.０２°＜｜η−α｜であり、且つ、異種基
板１ａ面内の各点において異種基板表面１ａの法線ｎに対し結晶軸ａが異種基板１の半径方向の外側に傾斜している異種基板１を用い、この異種基板１上にIII−Ｖ族窒化物系半
導体結晶をヘテロエピタキシャル成長させるIII−Ｖ族窒化物系半導体基板の製造方法で
ある。 （もっと読む）

【課題】反りやクラックの抑制された窒化ガリウム層を有する半導体基板を、低コスト、高効率で製造することができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】面方位が（１１１）のシリコン基板１０を準備する工程と、シリコン基板１０の両面に窒化ガリウム層１２をエピタキシャル成長させる工程と、窒化ガリウム層１２がエピタキシャル成長されたシリコン基板１０を、エピタキシャル成長面と平行にスライスして２分割するスライス工程とを含み、１枚のシリコン基板１０から２枚の窒化ガリウム層１２が形成された半導体基板１３を製造する。 （もっと読む）

【課題】品質に優れ、平坦で厚い化合物半導体を成長させるための方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥを利用し、ナノ構造層を使用して高品質の平坦かつ厚い化合物半導体（１５）を異種基板（１０）上に成長させる。半導体材料のナノ構造（１２）は、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）又はハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）によって基板（１０）上に成長させることができる。化合物半導体の厚膜（１５）又はウェハは、ＨＶＰＥを使用したエピタキシャル横方向成長によってナノ構造（１２）上に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】下地基板の無極性面上に高品質のIII族窒化物半導体層を成長させ得る、III族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ｍ面の無極性面を主面とする下地基板１０の当該無極性面上に炭素とアルミニウムとを含む中間層１１を形成する工程と、中間層１１の少なくとも一部を窒化して窒化膜１１Ｎを形成する工程と、窒化膜１１Ｎの上部にIII族窒化物半導体層１２，１３をエピタキシャル成長させる工程と、III族窒化物半導体層１２，１３から下地基板１０を剥離させてIII族窒化物半導体層１２，１３を含むIII族窒化物半導体基板１４を得る工程と、を含むIII族窒化物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

少なくとも、１０μｍに等しいかそれより大きな厚さを有するドープダイアモンドベースの薄膜（１０６）と、少なくとも一つの半導体か前記半導体ベースの層を含む積層に基づく層（１０２）と、前記ドープダイアモンドベースの薄膜上、すなわち、前記ドープダイアモンドベースの薄膜と前記半導体ベースの層との間に位置する真性ダイアモンドベースの薄膜（１０４）と、を備えている基板（１００）。
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【課題】 本発明の目的は半導体をその基板から分離する方法を提供することである。
【解決手段】 複数の棒状体を基板上に形成し、複数の棒状体上で半導体層をエピタキシー成長させ、更に、複数の棒状体の間の空隙にエッチング液を注入することによって、半導体層をその基板から分離する。複数の棒状体の間の空隙がエッチングの反応面積を大幅に増加させることができるため、本発明による方法によれば、エッチングによって半導体層を基板から分離する効率を向上させ、製造工程のコストを低減させることができ、しかも、基板に使われる材料も前記分離方法に制限されない。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物の結晶体の基板を製造する際における剥離バッファー層をエッチングするための時間を短縮する方法を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、下地基板の上にバッファー層を形成するバッファー層形成工程Ｓ１と、バッファー層の上に、バッファー層の一部を覆うマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程Ｓ２と、バッファー層及びマスクパターンを覆うように、ＩＩＩ族窒化物の結晶体を成長させる成長工程Ｓ５と、マスクパターンの第１のエッチャントを用いてマスクパターンを選択的にエッチングすることにより、バッファー層の第２のエッチャントを供給するための経路を形成する経路形成工程Ｓ６と、経路を介して第２のエッチャントを供給してバッファー層を選択的にエッチングすることにより、結晶体を下地基板から分離する分離工程Ｓ７とを備える。 （もっと読む）