【課題】凹部のない大面積で高品質なＣＶＤダイヤモンド単結晶及びこれを実現する製造方法の提供。
【解決手段】主面が｛１００｝であるダイヤモンド単結晶基板の｛１００｝側面同士を近接させて４枚以上配置し、該配置した単結晶基板の主面にダイヤモンドを気相合成により成長させた後、該単結晶基板を除去して１枚の大面積ＣＶＤダイヤモンド単結晶を製造する方法であって、前記ダイヤモンド単結晶基板の配置が、近接する任意の４枚の単結晶基板の、隣接する２枚の単結晶基板Ａ１とＡ２とからなる単位Ａと、他の２枚の単結晶基板Ｂ１とＢ２とからなる単位Ｂとにおいて、Ａ及びＢが対向する側の面がそれぞれ同一平面上にあり、かつＡ１とＡ２が対向する側面間の間隔の真中の面と、Ｂ１とＢ２が対向する側面間の間隔の真中の面とが、単位Ａと単位Ｂが対向する面の方向にずれている配置であることを特徴とする大面積ＣＶＤダイヤモンド単結晶を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンおよび炭化ケイ素基板上に堆積されたＧａＮフィルムにおける応力の制御方法、およびこれによって生成されたＧａＮフィルムを提供する。
【解決手段】典型的な方法は、基板を供給すること、および供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上にグレーデッド窒化ガリウム層を堆積させることを含む。典型的な半導体フィルムは、基板と、供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上に堆積されたグレーデッド窒化ガリウム層とを含む。 （もっと読む）

【課題】非常に優れた形態的特徴を有し、例えばマイクロエレクトロニクスおよび／またはオプトエレクトロニクスデバイスおよびデバイス前駆体構造体を製作するための基板として使用される（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルに適合できる犠牲型板１２を設けるステップと、単結晶（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６を型板１２上に堆積して、犠牲型板１２と（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６との間の界面１４を含む複合犠牲型板／（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を形成するステップと、複合犠牲型板／（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を界面修正して、犠牲型板１２を（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６から分割し、独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を生じるステップにより、独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品を製造する。 （もっと読む）

【課題】高品質のデバイス層が作製可能で、かつＧａＡｓ基板の剥離が容易な化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハ１０において、ＧａＡｓ基板１とデバイス層３の間に劈開性の優れた層状化合物からなる剥離層２を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、当該基板から当該材料層を剥離できるようにすること。
【解決手段】基板１と前記材料層２との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通して、パルスレーザ光をワーク３に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク３において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。重畳する照射領域におけるそれぞれのレーザ光の大きさを、材料層２を基板１から剥離させるに必要な分解閾値を超えるエネルギーとなるような大きさとすることで、基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、材料層を基板から確実に剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】 成長用基板の上に形成する半導体層が薄くても、再現性よく半導体層から成長用基板を分離する方法が望まれる。
【解決手段】 成長用基板の上に、Ｖ族元素として窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり、成長用基板の表面に離散的に分布する支柱と、支柱によって成長用基板の上に支えられ、Ｖ族元素として窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり、面内方向に連続する半導体層とを形成する。半導体層の上に、Ｖ族元素として窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる機能層を形成する。機能層の上に、支持基板を形成する。支持基板を形成した後、機能層から成長用基板を分離する。 （もっと読む）

【課題】保持基板上に成長したＩＩＩ族窒化物結晶を、結晶品質を劣化させることなく剥離することができる
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）保持基板２０上の表側主面に、第１のＩＩＩ族窒化物結晶層２２を形成する工程と、（ｂ）前記保持基板２０裏側主面からレーザ光を照射して、前記第1のＩＩＩ窒化物結晶層２２の裏面側をレーザ加工する工程と、（ｃ）前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面に第２のＩＩＩ族窒化物結晶層２４を成長する工程と、（ｄ）前記保持基板２０と前記第1のＩＩＩ族窒化物層２２の界面から分離する工程とを備え、（ｅ）前記工程（ｂ）において、前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面にレーザ加工時に発生する分解ガスを放出するガス放出構造体を設ける。これにより、レーザ加工部の基板全体に対する面積を大きくすることができるので、剥離の際の応力による結晶のクラックを低減できる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長用基板上に直接ＧａＮ系半導体厚膜層を成長させるＧａＮ系半導体基板の製造方法により、ＧａＮ系半導体基板を生産性よく製造できる技術を提供する。
【解決手段】９００℃〜１０５０℃の成長温度で窒化物系化合物半導体層を直接エピタキシャル成長させる際に、成長温度までの昇温プロセスにおいて表面粗さが１０ｎｍを超えて劣化しないエピタキシャル成長用基板を用いる。
具体的には、１２００℃以上１４００℃以下で５〜２０時間保持するインゴットアニール処理を施されたＮＧＯ基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】自立基板の反りを低減した窒化物半導体自立基板及びそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体自立基板は、連続成長した窒化物半導体結晶からなる窒化物半導体自立基板において、窒化物半導体自立基板の内部に、基板表面と平行な断面において１０個／ｃｍ²以上から６００個／ｃｍ²以下の密度でインバージョンドメインを有し、前記基板表面は、０個／ｃｍ²以上から２００個／ｃｍ²以下の密度でインバージョンドメインを有し、前記窒化物半導体自立基板の内部のインバージョンドメインよりも前記基板表面に到達するインバージョンドメインの密度が少ない。 （もっと読む）

【課題】光デバイス若しくは素子中に、又は光デバイス若しくは素子として、使用するのに適したＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料を提供する。
【解決手段】低く均一な複屈折性、均一で高い屈折率、歪みの関数としての低い誘起複屈折性又は屈折率変動、低く均一な光吸収、低く均一な光散乱、高い光（レーザ）損傷閾値、高い熱伝導率、高度な平行度及び平坦度を有しながら高度の表面研磨を示す加工性、機械的強度、磨耗抵抗性、化学的不活性等の特性の少なくとも１つを示すＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料であって、前記ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料の製造方法は実質上結晶欠陥のない基板を提供するステップと、原料ガスを提供するステップと、原料ガスを解離して、分子状窒素として計算して３００ｐｐｂ〜５ｐｐｍの窒素を含む合成雰囲気を作るステップと、実質上結晶欠陥のない前記表面上にホモエピタキシャルダイヤモンドを成長させるステップとを含む。 （もっと読む）