【目的】形成されたＳｉＣ被膜を基材から割れを生じることなしに簡単に分離することができるＣＶＤ−ＳｉＣ単体膜の製造方法を提供する。
【構成】黒鉛基材を基材保持冶具に載置し、基材面にＣＶＤ反応によりＳｉＣ被膜を成膜した後、該ＳｉＣ被膜を黒鉛基材と分離してＳｉＣ単体膜を得る方法において、黒鉛基材として、所定の形状に成形した黒鉛材に、天然黒鉛粉と液状樹脂からなる混合物を塗布し、焼成して得られる脆弱層を形成してなる黒鉛基材を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高品質なIII族窒化物単結晶を簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】下地結晶基板として、（０００１）面に対するｍ軸方向のオフ角度が０．１５°である主面を有するサファイア基板を用意し、スパッタ法により、下地結晶基板の上に厚さ２０ｎｍの下地Ｃｒ層を堆積した。次いで、基板をＨＶＰＥ装置のリアクターに配置して、１０８０℃まで昇温した後、Ｎ2のみからなるキャリアガスとＮＨ3ガスを供給しながら３０分間窒化しＣｒＮ膜を得た。窒化工程終了後に９００℃まで降温して、実質的にＨ2のみからなるキャリアガスと、ＧａとＨＣｌの反応生成物であるＧａＣｌガスと、ＮＨ3ガスとを供給しながら、ＧａＮバッファー層を約５分間成長させた。次いで、再び反応室の温度を１０４０℃まで上げ、ＧａＮ単結晶膜を成長させることにより、下地結晶基板上にＣｒＮ膜、ＧａＮバッファー層を介して厚さが約２０μｍのＧａＮ単結晶膜を得た。 （もっと読む）

【課題】下地基板から容易に剥離でき、損傷の低減されたＩＩＩ族窒化物半導体自立基板を提供する。また、結晶性に優れた大面積のＩＩＩ族窒化物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体自立基板の製造方法が、下地基板上にＩＩＩ族窒化物半導体層を気相成長させる工程と、前記ＩＩＩ族窒化物半導体層から下地基板を除去する工程とを含み、前記下地基板の裏面には下地基板の劈開方向に沿って、前記下地基板全面を横断する様に、予めパターン化した溝形状が形成されている。 （もっと読む）

指向された反応物質流、および、この流れに対して移動する基板による低大気圧化学蒸着が記述される。故に、このCVD構成を用い、所望レベルの被覆均一性を獲得し乍ら、比較的に高い析出速度が達成され得る。孔質の粒子性剥離層の如き剥離層上にひとつ以上の無機層を載置する析出手法が記述される。幾つかの実施例において、上記剥離層は、基板上へと被覆されるサブミクロン粒子の分散液から形成される。記述されるプロセスは、剥離層の使用により分離されてケイ素箔体とされ得るケイ素薄膜の形成に対して有効であり得る。上記ケイ素箔体は、ディスプレイ回路もしくは太陽電池の如き、種々の半導体系デバイスの形成に対して使用され得る。 （もっと読む）

【課題】 大面積かつ高品質のＡｌＮ単結晶などのIII族窒化物単結晶からなる基板を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 α−アルミナ単結晶の｛１ −１ ０ ２｝面または｛−１ １ ０ ４｝面と８０°〜１００°の角度で交差する面をα−アルミナ単結晶基板の主面とし、該α−アルミナ単結晶基板の主面上に、前記III族窒化物単結晶をエピタキシャル成長させることにより、該α−アルミナ単結晶基板の厚みの０．３倍以上の厚みとなる前記III族窒化物単結晶よりなる層を積層した積層基板を製造し、α−アルミナ単結晶を分離することを特徴とするIII族窒化物単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低転位密度であるとともに、キャリア濃度のばらつきが小さい表面層を十分な厚さで有するIII−V族窒化物系半導体の自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】III-V族窒化物系半導体結晶の成長の初期又は途中の段階では結晶成長界面に複数の凹凸を出しながら結晶成長を行い、次いで前記凹凸を埋めるように結晶成長を行って前記結晶成長界面を平坦化し、さらに平坦化した結晶成長界面の形状を保ったまま10μm以上の厚さにわたって結晶成長を継続するIII-V族窒化物系半導体基板の製造方法自立したIII−V族窒化物系半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

単結晶半導体材料の製造方法は、テンプレート材料を用意し、テンプレート材料の上面にマスクを形成し、マスクを使用してテンプレート材料上に複数のナノ構造を形成し、ナノ構造上に単結晶半導体を成長させることを含む。
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【課題】ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ等の窒化物バルク単結晶ウエハと同等の特性を有し、かつ電子デバイスの製造に適用可能な大面積の基板を提供する。
【解決手段】Ａｌ、ＧａおよびＩｎから選択される少なくとも１種とＮとを主成分とし、ウルツァイト型構造を有する窒化物結晶を有する窒化物薄膜から構成され、前記窒化物結晶の（０００１）面が、前記窒化物薄膜表面に平行となるように単一配向しており、面積が１０cm²以上である電子デバイス用基板。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】サファイア基板６１上に第一のＧａＮ層６２を成長させ、つづいて金属Ｔｉ膜６３を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するＴｉＮ膜６４を形成する。その後、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６を成長する。金属Ｔｉ膜６３およびＴｉＮ膜６４の作用により、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６中には空隙部６５が形成される。この空隙部６５の箇所からサファイア基板６１を剥離除去する。 （もっと読む）

【課題】結晶品質に優れ、ワープの小さな大口径の窒化物半導体自立基板を、生産性よく低コストで製造する方法等を提供する。
【解決手段】少なくとも、種基板１０１となる窒化物半導体自立基板を準備する工程と、種基板１０１上に、種基板１０１と同種の窒化物半導体をエピタキシャル成長する工程と、エピタキシャル成長を行ったエピタキシャル成長基板１０３を、エピタキシャル成長面と平行にスライスして２分割するスライス工程とを含み、１枚の種基板１０１から２枚の窒化物半導体自立基板１０４を製造する窒化物半導体自立基板の製造方法及びこの製造方法によって製造された窒化物半導体自立基板。 （もっと読む）