【課題】反り返りがなく、面内のオフ角のばらつきが小さな窒化物系化合物半導体層を再現性よく成長させることができる窒化物系化合物半導体基板の製造方法、及び半導体デバイスの作製に好適な窒化物系化合物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】成長用基板上に窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる窒化物系化合物半導体基板の製造方法において、成長用基板として、（０１１）面を≒［０１０］方向に０〜２°（０°を除く）のオフ角で傾斜させた主面を有する希土類ペロブスカイト基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】 成長終了後の冷却時に基板やエピタキシャル層の破壊を防止することのでき、エピタキシャル層の形状を保ったまま基板から剥離することのできる窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 単結晶基板（例えば、ＮｄＧａＯ₃単結晶基板）上に窒化ガリウム系化合物半導体（例えば、ＧａＮ）の結晶をエピタキシャル成長させた後、降温速度を毎分５℃以下、好ましくは毎分２℃以下（例えば毎分１．３℃）の条件で冷却するようにした。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板から窒化物半導体エピタキシャル層を分離する際に窒化物半導体エピタキシャル層に与えるダメージが低く高品質な窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法を提供する。
【解決手段】本窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法は、転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下の窒化物半導体基板１０上に、ガスおよび電解液の少なくともいずれかにより化学的に分解する化学的分解層２０を介在させて、少なくとも１層の窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程と、窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程中およびこの工程後の少なくともいずれかにおいて、ガスおよび電解液の少なくともいずれかを用いて化学的分解層２０を分解させることにより、窒化物半導体基板１０から窒化物半導体エピタキシャル層３０を分離する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】単結晶体の製造装置内の気密性の低下を抑制した単結晶体の製造方法および単結晶自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法による単結晶の製造方法であって、ＩＩＩＢ族元素金属を融解させてＩＩＩＢ族元素金属の融液１１を形成する工程と、前記融液１１中にハロゲンガスを供給するための供給管５を入れ、前記供給管５の内径よりも小さいバブル７を前記融液１１内に供給してＩＩＩＢ族元素のハロゲン化物ガスを抽出する工程と、窒素含有ガスと前記ＩＩＩＢ族元素のハロゲン化物ガスとを種基板３上に供給して、前記窒素含有ガスと前記ＩＩＩＢ族元素のハロゲン化物とを種基板３上で反応させて単結晶体を成長させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基材上にエピタキシャル成長させた窒化物半導体層を剥離する窒化物半導体自立基板の製造において、成長させた窒化物半導体層を簡易な方法で容易に剥離させることができ、欠陥の少ない高品質の窒化物半導体自立基板を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】好ましくは４００μｍ以上の厚さを有し、少なくとも、表面に凹凸１１を形成した、サファイア、Ｓｉ、ＳｉＣのいずれかを材質とする基材１０を準備し、前記基材１０の凹凸１１が形成された表面上に窒化物半導体層１２を前記基材厚以上の厚さでエピタキシャル成長させた後、前記基材１０から剥離させることにより窒化物半導体自立基板１３を製造する。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な無極性面成長のIII族窒化物半導体層を得ることができる基板を提供すること。
【解決手段】基板１は、下地基板１１と、この下地基板１１上に形成された炭化アルミニウム層１２とを備える。炭化アルミニウム層１２の下地基板１１と反対側の面には、炭化アルミニウム層１２の｛１−１００｝面１２１が露出している。
炭化アルミニウム層の｛１−１００｝面１２１は、下地基板１１の主面１１０に対して傾斜している。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化アルミニウム単結晶自立基板を効率良く製造できる方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶等からなるベース基板１１を準備する工程、準備した前記ベース基板１１の単結晶面上に厚さ１０ｎｍ〜１．５μｍの窒化アルミニウム単結晶層１２を形成する薄膜エピタキシャル成長工程、前記工程で得られた窒化アルミニウム単結晶層１２の上に、窒素含有量が前記窒化アルミニウム単結晶層よりも少ない窒化アルミニウム多結晶層１３を形成する多結晶層成長工程、及び前記工程で得られた積層基板から前記ベース基板１１を除去するベース基板除去工程を含んでなる、積層体１４の製造工程の後、第二の窒化アルミニウム単結晶１５を層状に成長させる工程、さらに該窒化アルミニウム単結晶層１５の少なくとも一部を分離して、自立基板として使用可能な窒化アルミニウム単結晶基板１６を得る工程を含む、窒化アルミニウム単結晶自立基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 単結晶シリコン膜のリフトオフが良好であり、かつ高純度の太陽電池用単結晶シリコン膜を得ることができる単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板７１を用意し、この単結晶シリコン基板７１上に同一の物質で結晶欠陥を含んだ単結晶シリコン犠牲層７２を形成し、この単結晶シリコン犠牲層７２上に同一の物質でこの単結晶シリコン犠牲層７２より結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を形成し、前記単結晶シリコン犠牲層７２を溶解し、結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を製造する。 （もっと読む）

【課題】多結晶成長を抑制し、効率よく非極性面を主表面とする窒化物半導体基板を製造可能な窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板であるＧａＮ基板の製造方法は、ＧａＮからなり、｛１−１００｝面に対するオフ角が４．１°以上４７．８°以下である主表面を有する下地基板を準備する工程（Ｓ１０、Ｓ２０）と、下地基板の主表面上に、ＧａＮからなる半導体層をエピタキシャル成長させる工程（Ｓ４０）と、半導体層から、主表面がｍ面であるＧａＮ基板を採取する工程（Ｓ５０）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】過度に複雑な、成長後の加工処理(post growth processing)が最小限に抑えられ、第２のいっそう厚い層と比べて非常に異なる特性を有する薄いダイヤモンド層を有する構造体を合成することが可能となる方法を提供する。
【解決手段】互いに接触している少なくとも２つの層（２０，２２）であって、各々の層は広いバンドギャップの材料でできており、各々の層は少なくとも１つの性質が他の層と相違している前記少なくとも２つの層（２０，２２）を有する生成物を製造する方法。 （もっと読む）