【課題】半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制できる半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、シリコンからなり且つ中央領域と外周領域とを有する半導体基板１と、前記半導体基板１上に形成された窒化物系化合物半導体からなる化合物半導体層５と、を備える半導体ウェハの製造方法であって、
前記半導体基板１の前記外周領域に設けられたテーパ部１２の上に前記化合物半導体層５が成長することを阻止する成長阻止層４を形成するステップと、
前記成長阻止層４が形成された前記半導体基板の少なくとも前記中央領域上に前記化合物半導体層５を成長させるステップと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バリア金属膜とＣＶＤ法によって形成される金属導体膜である銅膜との間の密着性に優れた半導体デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に直接にまたは絶縁体膜を介してバリア金属膜を形成する工程と、該バリア金属膜上にＣＶＤ法によって銅膜を形成する工程とを含む半導体デバイス製造方法において、該バリア金属膜を形成する工程と該銅膜を形成する工程との間に、加熱条件下アンモニア、水素、またはシランのうちの少なくともいずれか１つを含む第１の還元性ガスに暴露する工程と、該銅膜を形成する工程の後に、加熱条件下第２の還元性ガスに暴露する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜効率を低下させることなく、成膜動作の停止状態における加熱室を真空排気するための消費エネルギーを低減したインライン成膜装置を提供する。
【解決手段】基板を導入および又は導出する移載室２，５、導入した基板を加熱する加熱室３、基板上に成膜を生成する成膜処理室４の各処理室を直列に配列し、基板を各処理室に順次移動させて成膜動作を行う成膜装置１であり、移載室、加熱室、および成膜処理室は、各室を個別に真空排気する真空排気機構を備える。加熱室が備える真空排気機構は、成膜装置の成膜動作の実行状態において連続駆動し、成膜動作の停止状態において断続駆動する。成膜動作の停止状態で真空排気機構を断続駆動することによって、真空排気機構を常時駆動する場合と比較して加熱室を真空排気するための消費エネルギーを低減する。 （もっと読む）

【課題】薄膜と被成膜基材との密着性を十分に確保できる被成膜基材への薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、プラスチック又はプラスチックにＳｉＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３の少なくとも一方を分散させた材料からなる被成膜基材２の表面に酸素プラズマ処理、オゾン処理及び紫外線照射処理のいずれかの処理を施した後に、前記被成膜基材２の表面上に、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法及び蒸着法のいずれかの方法により薄膜を成膜することを特徴とする被成膜基材への薄膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶ウエハに新たな炭化珪素単結晶層を形成する工程において、ｃ軸方向に貫通する転位３を、基底面（０００１）に沿った第１方向の欠陥に変換させ、第１方向に交差し、かつ基底面（０００１）に沿った第２方向に欠陥の伝播方向を制御することで、単結晶基板中に含まれる貫通らせん転位３を基底面内欠陥４に構造転換し、基底面内欠陥４を結晶の外部に排出させ、元の炭化珪素単結晶基板よりも貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶層。 （もっと読む）

【課題】透明性を向上させたＳｉＮxＯyＣz膜、および成膜速度を向上させた薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】被成膜基材２にＲＦバイアスを印加し、１ターンのコイル６にＩＣＰ出力を印加して誘導結合プラズマを発生させ、誘導結合プラズマによって有機金属を含む原料ガスを分解するＣＶＤ法を用いることによりＳｉＮxＯyＣz膜を形成する。ＳｉＮxＯyＣz膜は、x、y及びzそれぞれが下記式（１）〜（３）の範囲である。０．２＜x＜１．５・・・（１）、０．３＜y＜０．８・・・（２）、０．０３＜z＜０．４・・・（３） （もっと読む）

【課題】デフォーカスや発塵を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ｐ型半導体基板１０の外周部の一部にオリエンテーションノッチ３２を形成する。ｐ型半導体基板１０の裏面にオートドープ防止膜３４を形成する。オリエンテーションノッチ３２及びオートドープ防止膜３４を形成した後に、ｐ型半導体基板１０の表面にｐ型又はｎ型の半導体層３６をエピタキシャル成長させる。オリエンテーションノッチ３２の近傍におけるｐ型半導体基板１０の外周とオートドープ防止膜３４との間隔を、オリエンテーションノッチ３２の近傍以外におけるｐ型半導体基板１０の外周とオートドープ防止膜３４との間隔よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＤ法やＣＶＤ法では、膜厚の増加に対しガスバリア性が飽和しやすい問題に対して、更に高いガスバリア性を持った透明、もしくは半透明なガスバリア性積層体の製造方法とガスバリア性積層体を提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム基材１１の少なくとも一方の面に、物理成膜法もしくは化学気相成長法のいずれか、またはその両方を用いて下地層１２を形成する工程と、下地層１２の表面に、原子層堆積法を用いてガスバリア層１３を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】特殊な材料からなる基板及び電極を用いることなく、ＰＺＴ圧電薄膜層の結晶配向の制御を適切に行うことが可能な圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０１上に、酸化膜１０４を形成する工程と、酸化膜１０４上に、チタンと白金を順次積層して下部電極層１３０を形成する工程と、下部電極層１３０の表面に、上記白金からなるヒロック１３５を形成する工程と、下部電極層１３０上に、ヒロック１３５を成長核として、（１００）面配向のチタン酸鉛からなるシード層１４０を形成する工程と、シード層１４０上に、（００１）面又は（１００）面配向のチタン酸ジルコン酸鉛からなる圧電薄膜層１５０を形成する工程と、圧電薄膜層１５０上に、上部電極層１６０を形成する工程と、を有して構成した。 （もっと読む）

【課題】太陽電池基板の自然酸化膜除去処理を、太陽電池の製造工程の中で高いスループットで行うことができる方法を提供する。
【解決手段】平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて太陽電池基板の表面に反射防止膜を成膜する方法であって、処理用ガス供給装置から第１処理用ガスを供給するとともに高周波電力源から高周波電極に第１周波数の高周波電力を印加し、高周波電極と基板電極との間に窒素イオンを含むプラズマを発生させ、この窒素イオンによって太陽電池基板の酸化膜を除去する除去工程と、処理用ガス供給装置から第２処理用ガスを供給するとともに高周波電力源から高周波電極に第２周波数（＞第１周波数）の高周波電力を印加し、高周波電極と基板電極との間に太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜するプラズマを発生させ、このプラズマによって太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜する成膜工程とを連続して行う。 （もっと読む）