水素、亜酸化窒素若しくは炭化水素ガスなどの燃料ガスのみ又は燃料ガスと酸化ガスの両方を含むガス流を処理する方法が記載されている。前記ガス流は、複数のポンプ段階を有する真空ポンプ配列を介して運ばれる。最後のポンプ段階の直前又は直後に、ガス状の酸化剤を前記ガス流に加えて前記燃料ガスを酸化させる工程が行われる。このようにして前記ガス流を処理することにより、前記燃料ガスの制御不能な燃焼のリスクを最小限にすることができる。 （もっと読む）

【課題】繰り返し使用されるアモルファスシリコンを主成分とする光受容部材の形成に用いられる基体ホルダーを磨耗劣化させることなく、またビーズなどの画像欠陥の原因となるものを使用せず基体ホルダーに付着した物質を効果的に除去可能な基体ホルダー処理方法及び処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アモルファスシリコンを主成分とする光受容部材の形成に用いられる基体ホルダーに付着した物質を、パルスレーザー光を照射して除去する工程を含むことを特徴とする基体ホルダーの処理方法。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板を巻回してなる供給ロールから基板を送り出して、基板を搬送しつつプラズマＣＶＤによって成膜を行い、成膜済の基板をロール上に巻回する成膜において、成膜を停止することなく、基板への成膜中に電極のクリーニングを行なうことができる成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤによって成膜を行なう成膜部を、基板の搬送方向に、複数、配列して設けると共に、各成膜部に電極のクリーニング手段を設け、所定のタイミングで少なくとも１つの成膜部による成膜を停止して気密に閉塞してクリーニングを行なうと共に、この成膜部の停止時には、他の成膜中の成膜部で成膜条件を変更して停止分を補完して所定の成膜レートを確保することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】化学気相成長法による成膜時に発生するパーティクルを除去すること。
【解決手段】本発明は、基板Ｓを配置するチャンバ１０と、チャンバ１０内に反応ガスを導入するガス導入部４０と、チャンバ１０内から反応ガスを排出するガス排出部５０と、チャンバ１０内に配置された基板Ｓに反応ガスの反応による成膜を行っている途中もしくは成膜が完了した段階でチャンバ１０内のパーティクルをガス排出部５０から排出するパーティクル排出処理を制御する制御部６０とを備える成膜装置である。 （もっと読む）

【課題】パーティクル低減効果に優れ、生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ウェハ１０を反応炉１内にロードする工程と、反応炉１内でウェハ１０に成膜を行う工程と、成膜後のウェハ１０を反応炉１よりアンロードする工程と、ウェハ１０をアンロード後、反応炉１内にウェハ１０がない状態で、反応炉１の外側に反応炉１を覆って設けられた強制冷却機構４０により、反応炉１内を強制冷却する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高温環境下で長期間使用した場合も変形を低減あるいは防止することができるサセプターサポートシャフトを提供する。
【解決手段】サセプターサポートシャフト３０において、３本の支柱３２は、主柱３１の先端部で主柱３１に固設されて支持されるばかりでなく、補強部材３４により相互に接続されて相互に支持される。すなわち、主柱３１との連接箇所と補強部材３４との連接箇所の２箇所において支持される。従って、支柱３２の機械的負荷に対する強度は相当に改善され強化されており、エピタキシャル成長を行う高温環境下で、大量のウエーハＷに対してエピタキシャル成長処理を行うために長期間にわたって使用したとしても、支柱３２の変形を防止することができる。
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【課題】本発明の実施形態は、洗浄剤をチャンバに導入する前に窒化アルミニウム又は酸化ベリリウムのいずれかを含有するセラミックカバー基板をサセプタ上にローディングすることで、洗浄作業中にサセプタを保護する方法及び装置を提供する。
【解決手段】一実施形態においては１６０Ｗ／ｍ−Ｋより高い熱伝導率と、約１１インチから約１３インチの範囲内の直径を有する円形形状と、約０．０３０インチから約０．０６０インチの範囲内の厚さと、約０．０１０インチ以下の平面度を有する窒化アルミニウムセラミックウェハを含む窒化アルミニウムセラミックカバー基板を提供する。熱伝導率は約１８０Ｗ／ｍ−Ｋ、約１９０Ｗ／ｍ−Ｋ、又はそれより高くてもよい。厚さは約０．０３５インチから約０．０５０インチの範囲内であってもよく、平面度は約０．００８インチ、約０．００６インチ、又はそれより低くてもよい。 （もっと読む）

【課題】 処理室内の金属を腐食させず、耐熱性非金属部材（例えば石英部材）に付着した膜のエッチングレートが大きく、エッチングの際に耐熱性非金属部材から剥がれた石英粉が処理室に残らないようにする。
【解決手段】 内部に耐熱性非金属部材を有する処理室内に基板を収容し、成膜用ガスを供給して、基板に対して成膜を行う工程と、成膜後の基板を取り出した後の処理室内にクリーニングガスを供給して、耐熱性非金属部材に付着した付着物を除去する工程と、処理室内にＦ_２ガス、または、Ｆ_２ガスとＨＦガスとを供給して、付着物除去後に耐熱性非金属部材の表面に残留した残留物を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】気相成長膜を積層形成する所要時間を短縮し、効率的に気相成長法による積層形成の半導体素子を製造することを可能とする気相成長装置および気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、ウェーハＷが挿入されるチャンバ２と、前記チャンバ２内に原料ガス、キャリアガスもしくはドーパントガスのうち少なくともいずれかを導入するガス導入手段３と、前記ガス導入手段３により前記ウェーハＷ上に気相成長膜を形成する気相成長膜形成手段１と、前記チャンバ２内をキャリアガスでパージするパージ手段３と、前記ウェーハＷを所定の回転速度で回転させる回転駆動手段６と、前記ウェーハＷを加熱する加熱手段８と、を備え、前記回転駆動手段６は、前記気相成長膜形成手段１における第一の回転速度が、前記パージ手段における第二の回転速度より速い回転速度に制御することを特徴とする。 （もっと読む）

反応チャンバ（１）と、反応チャンバにプロセスガスを導入するためのガス流入口（２）と、残留ガス排出口（３）と、反応チャンバから残留ガス排出口を介して残留ガスを排出するためのポンプ（４）とを備えるＨＶＰＥリアクターの構成であって、ポンプは、反応チャンバにおいて約１００ミリバール以下の圧力を生じ、維持することができる。本発明によれば、リアクターの構成は、ポンプの内面の残留ガスの物質の起こり得る寄生性の堆積を溶解するために、ポンプに溶解流体を供給するための手段（６、７、Ｖ２、Ｖ３）を備える。 （もっと読む）