【目的】本発明はクリーニング寿命が長く、稼働率が高い反応検出装置を実現する。
【構成】反応室２に設けられている透明部材でなる窓８の内側に、開口部１１を有するシヤツタ手段６を設ける。反応室２内部の反応を観察するときだけ、シヤツタ手段６の開口部１１を窓８と対向する位置に移動させて反応室２内部の反応を観察できるようにする。反応室２内部の反応を観察するとき以外は、シヤツタ手段６の開口部１１以外の部分で窓８の全面を覆う。これにより、きれいな状態にある窓を介して発光スペクトルの発光強度を観察できるので安定した終点判定を行うことができると共に、反応室２をクリーニングする回数を格段的に低減することができる。 （もっと読む）

［目的］処理ガスを均一な濃度および均一な流れで被処理体へ吹き付けて、均一に成膜する。
［構成］ガス室２４の内側には、垂直方向に所定の間隔をおいて３つの仕切り板３２，３４，３６が配設され、ほぼ同一の流路面積を有する３段のガス流制御室４４，４６，４８が画成される。ガス供給管２８，３０よりガス導入室２６内に導入されたＷＦ6,Ｎ2 ガスおよびＨ2 ガスは、いっしょに最上段のガス流制御室４４へ導かれここで均一に混合される。混合処理ガス（ＷＦ6,Ｎ2 ，Ｈ2 ）は、中段のガス流制御室４６に入り、この室４６の底の第２の仕切り板３４によって半径方向に均一な濃度および均一な流れのガス流に整流され、次に下段のガス流制御室４８を比較的早い流速で通り抜けて、第３の仕切り板３６の各通気孔３６ａよりきめ細かなガス流として半導体ウエハ１２へ吹きつけられる。 （もっと読む）

本発明は、材料処理された基板を製造する方法に関し、ａ）少なくとも１つの基板を排気された真空容器の中へ入れ、ｂ）基板の処理されるべき表面を、その表面で吸着される反応性ガスに暴露し、ｃ）反応性ガスへの表面の暴露を終了し、ｄ）表面に吸着された反応性ガスを反応させる方法であって、ｄ₁）反応性ガスが吸着されている表面を、０ｅＶ＜Ｅ_IO≦２０ｅＶの基板表面におけるイオンエネルギＥ_IOと、０ｅＶ＜Ｅ_eo≦１００ｅＶの電子エネルギＥ_eoとで低エネルギのプラズマ放電に暴露し、ｄ₂）吸着されている反応性ガスを、少なくとも、プラズマ生成されたイオンと電子の相互作用の下で反応させることを特徴とする。 （もっと読む）