【課題】ガス管路１１８からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部１１３、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部１１５と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓１１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＮを含む半導体の形成で、高品質・高Ｉｎ組成のＩｎＧａＮを含む半導体の形成を可能とする。
【解決手段】
気相成長装置を用いて、基板上に少なくともＩｎＧａＮを含む半導体薄膜を形成する気相成長方法であって、前記気相成長装置内で第一のＮ源とＩｎ源とを反応させ、ＩｎＮ源を生成する第１のステップと、前記気相成長装置内で、第一のＮ源とは異なる第二のＮ源とＧａ源とを反応させ、ＧａＮ源を生成する第２のステップと、前記第１のステップで生成された前記ＩｎＮ源と、前記第２のステップで生成された前記ＧａＮ源とを前記基板上で反応させ、前記基板上に薄膜を形成する第３のステップとを有する気相成長方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上にＺｎＯからなる透明導電膜を高効率で製造するＺｎＯ透明導電膜製造装置を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ透明導電膜製造装置(100)は、真空状態に維持されたチャンバー(110)と、チャンバー(110)内を通過するように基板(50)を一方向(A)に搬送するとともに、任意の箇所において停止可能な基板搬送手段(120)と、チャンバー(100)内に配置されたシャワーヘッド(130)と、を備える。シャワーヘッド(130) は、第一の流路と、第一の流路の周囲に形成された第二の流路と、第一の流路及び前記第二の流路を加熱する加熱手段と、を備え、第一の流路及び第二の流路の一方からはＤＥＺｎの気体が、他方からは水蒸気が基板に対して噴霧される。 （もっと読む）

【課題】成膜ガスの加熱効率を向上させ、成膜ガスを処理基板と同等の温度まで加熱することができるガス導入路を提供することを課題とする。
【解決手段】ガス供給管３４０を流れてきたガスは、ガス予備加熱筒３６０のガス導入口３４２からガス予備加熱筒３６０内のガス流路３７４に流入する。ガス流路３７４を流れるガスが、ガス予備加熱筒３６０のガス導出口３６４へ到達するまでの間に、電磁誘導コイル２０７が誘導加熱したインナーチューブ３５０が、ガス予備加熱筒３６０を加熱し、ガス流路３７４を流れるガスは均一に加熱される。 （もっと読む）

【課題】低不純物で、段差被覆性がよく、高真空を使わない金属薄膜の製膜方法を提供する。
【解決手段】有機金属化合物原料を真空チャンバー内に載置された製膜対象物上に搬送する原料搬送工程と、反応性ガスを、加熱された金属触媒体に接触させた後に、前記真空チャンバー内に載置された前記製膜対象物上に搬送する反応性ガス搬送工程と、を有することを特徴とする金属薄膜の製膜方法を提供する。また、有機金属化合物原料または／および反応性ガスが、炭素原子、窒素原子、水素原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子および金属原子から選択される１または２以上の原子のみからなることを特徴とする金属薄膜の製膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン膜の結晶成長の速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 気相成長装置１０は、気相成長室３６と、加熱室８と、混合室３８と、トリクロロシランガスを貯蔵する第１貯蔵庫４２と、塩酸ガスと反応するシラン系ガスを貯蔵する第２貯蔵庫４０を備えている。加熱室８は、第１貯蔵庫４２と混合室３８に連通しており、トリクロロシランガスを加熱した後に混合室３８に供給している。混合室３８は、第２貯蔵庫４０と気相成長室３６に連通しており、加熱室８から供給されたガスとシラン系ガスを混合させて、その混合ガス３４を気相成長室３６に供給している。加熱室８の室内温度は、混合室３８の室内温度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】処理ガスを大量に活性化させ、かつ失活させずに供給することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを支持する基板支持体３と、触媒板５と、触媒板５に接触させて活性化させる第１処理ガスを供給する第１処理ガス供給部７０aと、触媒板５を誘導加熱する誘導加熱コイル６とを備え、基板支持体３は、触媒板５の一面側に配され、誘導加熱コイル６は、触媒板５の他面側に配され、触媒板５は、処理室１を、誘導加熱コイル６側の第１空間及び基板支持体３側の第２空間に隔てる。 （もっと読む）

【課題】分子が分極を有しない原料ガスであっても、十分に加熱してから基板に供給することで、安定して基板上に蒸着膜を形成することができる熱ＣＶＤ装置および蒸着膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ガス加熱装置９で加熱された原料ガスＧを加熱室１３内に導入し、熱化学気相成長法により加熱室１３内の基板Ｋに蒸着させる熱ＣＶＤ装置であって、上記ガス加熱装置９が、上記加熱室１３内に導入する原料ガスＧに交番磁界を与え得る交番磁界発生用コイル３３と、上記交番磁界が与えられた原料ガスＧに電磁波を照射する電磁波発生用コイル３１とを備えるとともに、電磁波発生用コイル３１の軸心に、原料ガスＧを加熱室１３内に導入するガス導入管５を設け、このガス導入管５を通過する原料ガスＧに上記電磁波の電磁エネルギーを吸収させることで当該原料ガスＧを加熱する。 （もっと読む）

【課題】マルチ・チャンバ・ツールとの関係でオゾン濃度を制御する改良されたシステム及び方法を提供する。
【解決手段】オゾン発生器２０と組み合わされた第１及び第２の濃度コントローラ２５、３５を含む。第１の濃度コントローラ２５は、イベントを検出し、それに応答して、予測制御アルゴリズムに従いオゾン発生器２０に電力指示を提供する。第１の濃度コントローラ２５は、高速（すなわち、約１秒）の応答時間を有する。第２の濃度コントローラ３５は、イベントの間はオゾン発生器２０からマスクされているが、それ以外の場合には、イベントの発生からある時間間隔が経過した後で発生器２０を制御する。第２の濃度コントローラ３５は、第１の濃度コントローラ２５よりも低速の応答時間を有するが、システムに長期的な安定性を提供し、予測制御アルゴリズムに更新されたデータを提供するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して金属膜上に低温で成膜した場合に、金属膜と成膜した膜の密着性を改善する。
【解決手段】処理室２０１と、ガス供給口４２５、４３５を有するバッファ室４２３、４３３と、第１の処理ガスを前記処理室に供給する処理ガス供給系３１０と、第２の処理ガスをバッファ室４２３、４３３に供給可能な処理ガス供給系３２０、３３０と、高周波電源２７０と、プラズマ発生用電極４７１、４７２、４８１、４８２と、からなる処理炉２０２を使用して、表面に金属膜が形成された基板を、前記プラズマ発生用電極に高周波電力が印加されない状態で、前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスに順次曝して前記金属膜の上に第１の膜を形成した後、該第１の膜が形成された前記基板を、前記第１の処理ガスおよび、前記電極に高周波電力が印加されることにより活性化された前記第２の処理ガスに交互に曝し、前記金属膜の上に第２の膜を形成する。 （もっと読む）