【課題】プラズマ処理装置のステージ電極の表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。
【解決手段】ステージ電極２０を電極本体２１と電極板２２とに分割する。電極本体２１の周端面２１ｅと電極板２２の周端面２２ｅとは互いに面一になっている。ステージ電極２０の外周に沿って複数の枠部材３０を設ける。これら枠部材３０を進退機構５によって退避位置と進出位置との間で進退させる。枠部材３０を進出位置に位置させると、枠部材３０の位置決め面３３が上記周端面２１ｅ，２２ｅに当接し、電極板２２が位置決めされる。また、枠部材３０の段差３１によって被処理物９が位置決めされる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のステージの表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。
【解決手段】ステージ２０を、ステージ本体２１とその上側の表面板２２とに分割する。ステージ２０を挟んで両側には、処理ヘッド１０の移動に用いる一対のレール６１が設けられている。このレール６１上にステージ保守用クレーン３０を設置する。クレーン３０のフレーム３１の一対の支え部３２の下端部にスライダ３４をそれぞれ設け、これをレール６１にスライド可能に嵌合する。フレーム３１の天井部３３に吊具５１を昇降可能に垂下し、これに連結部５２を設ける。好ましくは、連結部５２をボルト５５にて表面板２２の端面に連結する。 （もっと読む）

【課題】水素又は塩化水素を含むパージガス用いるとともに、ＳｉＣヒータを備える成膜装置において、ＳｉＣヒータの劣化を抑制することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】ウエハ７０の表面にシリコン膜を成長させる成膜装置１０であって、ウエハ７０を設置可能なウエハステージ１４、１６と、ウエハステージ内に配置されており、ウエハ７０を加熱するＳｉＣヒータ４２と、ウエハ７０の被成膜面に、シリコン膜の原料ガスを供給する原料ガス供給手段６０、６２、６４と、ウエハステージ内に形成されており、ウエハの裏面と外周面の少なくとも一部に、水素または塩化水素を含むパージガスを供給するパージガス流路３２、３０、３６と、ウエハステージ内に形成されており、ＳｉＣヒータ４２に、ＳｉＣヒータ４２に対して不活性なガスを供給する不活性ガス流路４４、４８を有している。 （もっと読む）

【課題】基板載置領域における基板の位置ずれの発生を抑えることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に設けられ、水平面に沿って回転する回転テーブル２に形成された凹部２４の内部に、ウエハＷを載置するための載置部材２００を着脱自在に設け、該載置部材２００に、ウエハＷの下面と載置部材２００の表面との間の空間と、この空間の外側領域と、の間でガスを通流させるためにウエハＷを前記表面から浮かせた状態で保持する突起２０１を形成する。真空容器の内部にて圧力変動が発生したとしても、ウエハＷの下面に処理ガスを速やかに通気させることによって、ウエハＷの下面側において局所的にガス圧が高まりウエハＷが持ち上がって正常な位置からウエハＷが移動してしまう現象の発生を抑える。 （もっと読む）

【課題】反応ガスの気流を基板上に効率よく集めて、エピタキシャル膜の成長速度を増大させることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１の上部に設けられて反応ガス２５をチャンバ１内に供給する供給部４と、チャンバ１内に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２内に設けられて半導体基板６が載置されるサセプタ７と、サセプタ７を支持する回転筒２３とを有する。回転筒２３の回転によってサセプタ７を回転させながら、半導体基板６上に所定の膜が成膜される。ライナ２は、サセプタ７の周縁部上部を包囲するとともに、サセプタ７と一緒に回転するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】トレイの表面粗さに関係なくプラズマ処理時及びその前後に基板をトレイに確実に固定することができ、しかも必要なときにはトレイから基板を容易に剥離することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板１４をトレイ１５上に載置し、該トレイ１５を支持台１３上に載置して基板１４表面をプラズマにより処理するプラズマ処理方法において、シート状の基材の両面に熱剥離粘着層が設けられた熱剥離接着部材１６でトレイ１５と基板１４を接着する。熱剥離粘着層は常温で粘着性を有するため、プラズマ処理前後はトレイ１５と基板１４が確実に固定され、処理後はトレイ１５を所定の剥離温度以上に加熱するだけで、基板１４及び熱剥離接着部材１６をトレイ１５から容易に取り外すことができる。また、熱剥離接着部材１６の両面に同じ熱剥離粘着層を設けたため、熱剥離接着部材１６はトレイ１５及び基板１４に対して均等な接着力で接着する。 （もっと読む）

【課題】成長条件とを駆使し、基板上への成長膜厚を均一にする方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１２０内に、支持台１１０上に載置された基板１０１が収容され、この基板１０１上に成膜するためのガスを供給する第１の流路及びガスを排気する第２の流路が接続された気相成長装置を用い、基板上に半導体層を気相成長する際に、成膜するための反応ガス及びキャリアガスの流量と濃度、チャンバ内の真空度、基板温度及び基板を回転する回転速度を制御して、半導体層の膜厚を均一にする。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好なIII族窒化物半導体単結晶を製造できるサセプタを提供する。
【解決手段】基材５１と、立設部（種結晶保持部）５２とを備える種結晶保持材５において、基材５１表面と、種結晶保持部５２表面とが異なる材料で構成され、基材５１の表面は、立設部５２表面よりも、III族窒化物半導体多結晶が付着しやすい材料で構成されており、立設部５２は、基材５１の表面に設けられ、基材５１の表面から立設部５２が突出している。立設部５２は、基材５１に対し着脱可能であってもよいが、着脱できないものであってもよい。立設部５２の先端面で種結晶２を保持する。基材５１の立設部５２側表面であって、少なくとも立設部５２の基端部側の周囲の部分（被覆材料５１２）は、種結晶２と同種のIII族窒化物半導体で構成される。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプローブの先端部に抵抗率が１０^−２Ω・ｍ以下、硬度が６００Ｈｖ以上のＤＬＣ膜を被覆する技術及びプラズマ処理装置を提供し、この導電性ＤＬＣを被覆したコンタクトプローブ及びこのプローブを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】コンタクトプローブ基材の先端部に加わる高電界を緩和する構造の支持手段にコンタクトプローブ基材を挟止し、プラズマ処理装置内で前記プローブ基材表面をクリーニングする工程と、前記基材表面に窒素イオンと炭素イオンを照射して基材金属の窒化物と炭化物の混合被膜を形成する工程と、炭化水素ガス放電プラズマを発生させ、コンタクトプローブの先端部に導電性ＤＬＣ被膜を形成する工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】流体圧源の消費電力を低減させつつ、適切に駆動部にかかる負荷を低減させることができる処理装置等の技術を提供すること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１００は、処理室１０と、処理室１０内で被処理基板１を保持する保持機構４０と、保持機構４０を昇降させる昇降機構５０とを備える。昇降機構５０は、保持機構４０を支持し、保持機構４０を昇降させる昇降台５１と、昇降台５１を昇降させる駆動部６０と、シリンダ７０と、シリンダ７０に圧力油を供給するアキュムレータ８２を含む油圧回路８０とを有する。シリンダ７０は、アキュムレータ８２から圧力油が供給されることで、昇降台５１等の重力や、処理室１０の内外の圧力差等に起因して、昇降台５１からボールネジ軸６２に作用する力に対抗する反力を発生する。これにより、油圧ポンプ８１の消費電力を低減させつつ、適切に駆動部６０にかかる負荷を低減させることができる。 （もっと読む）