【課題】ウエハが載置される部分に切削痕ができないサセプタ基材の加工方法及びサセプタ基材を提供する。
【解決手段】回転刃物を用いて切削加工を行うサセプタ基材１１の加工方法であって、回転刃物１５の軸先端がＲ形状であり、回転刃物１５がサセプタ基材１１の上面の法線２３に対して所定角度傾斜させて前記サセプタ基材の切削加工を行い、サセプタ基材１１の切削加工が行われた凹部に切削痕のない加工面２７を形成する。 （もっと読む）

【課題】成長を繰り返しても、エピタキシャル層の面内不均一が生じにくい半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】予め、成長炉１内をＧａＳｅからなる層状構造結晶でコーティングして、成長炉１内にＧａＳｅコーティング層５を形成しておき、成長炉１内で、ＧａＡｓ基板２上に気相成長によりエピタキシャル層２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】処理の均一性を確保しつつ基板保持具の搭載枚数を従来よりも増やす基板保持具を提供する。
【解決手段】被処理基板ｗに所定の熱処理を施す熱処理方法において、基板保持具１１に裏面を上面にした被処理基板ｗを上下方向に所定の間隔で保持し、表面を上面にした被処理基板の周縁部を支持環３４で支持した単板ユニット３５を構成し、上記基板保持具１１は、被処理基板ｗの周囲を取り囲むように配置された複数本の支柱２７と、該支柱２７に被処理基板ｗを保持する爪部３６と、上記単板ユニット３５の支持環３４の外周に適宜間隔で突設された突片を介して単板ユニット３５を支持するユニット支持部３７とを有することにより、上記被処理基板ｗの裏面同士の間隔を表面同士の間隔よりも狭くしている。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に棚状に積載された複数の基板に対して成膜ガスを供給して成膜処理を行うにあたり、パーティクルの発生や基板と基板保持具との張り付きを抑えることのできる縦型熱処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの各々の収納位置毎に、ウエハＷの周方向に互いに離間した位置において当該ウエハＷの周縁部を下方側から各々支持する複数の主保持部３３ａと、これら主保持部３３ａに対してウエハＷの周方向に離れた位置に設けられ、各々の主保持部３３ａに支持されるウエハＷの周縁部に対して前記傾斜軸方向において下方側から臨む位置に配置された補助保持部３３ｂと、を設けて、このウエハボート１１が１回転する度に、ウエハＷの姿勢が各々の主保持部３３ａで支持される姿勢と主保持部３３ａの少なくとも１つ及び補助保持部３３ｂにより支持される姿勢との間で変わるようにする。 （もっと読む）

【課題】基板表面内で半導体層の組成が均一な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、加熱手段の上に配置されたトレイ１の、前記加熱手段とは反対側の表面上にある基板搭載部３に搭載された基板４上に、ＩＩＩ族元素とＶ族元素とからなる化合物半導体の積層構造を有機金属気相成長法により成長する工程を含む。前記化合物半導体の積層構造を構成する少なくとも１つのＩＩＩ族元素と、前記化合物半導体層の積層構造を構成する少なくとも１つのＶ族元素と、を有する化合物半導体膜２が、前記積層構造の成長前に予め前記基板搭載部３の表面上に形成されている。前記基板４が、前記化合物半導体膜２を介して前記基板搭載部３に搭載されて、前記積層構造が前記基板４上に成長される。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積（ＡＬＤ）式薄膜堆積装置において反応物質パルスに続くパージ期間に反応物質残りの少ない堆積装置を提供する。
【解決手段】堆積チャンバ内に画定された空間内に載置されたウエハ上に薄膜を堆積させるように構成され、前記空間と連通するガス流入口と、さらに、密閉面６０５を含む密閉部６０４とを備え、前記堆積チャンバと、前記ウエハを前記空間内において支持するように形成されたサセプタ６０２であって、サセプタ６０２が密閉面６０５に対して密閉を行う第１の位置と、サセプタ６０２が密閉面６０５に対して密閉を行わなくなる下方の第２の位置との間を、前記堆積チャンバに対して鉛直方向に移動するように形成されたサセプタ６０２と、を備える。前記第１の位置において、密閉面６０５とサセプタ６０２との間の界面と、サセプタ６０２上に配置された前記ウエハの上面との間の垂直方向の距離が、約２ミリメートル未満である。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ全面に亘って均一にプラズマ処理を施すことが可能な信頼性の高いウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 ウエハ搭載面１ａを有するセラミックス基体１と、セラミックス基体１内においてウエハ搭載面１ａからの深さが互いに異なるように埋設されている円形状ＲＦ電極２及び円環状ＲＦ電極３と、円形状ＲＦ電極２及び円環状ＲＦ電極３にそれぞれ電気的に接続される第１及び第２外部端子５、６と、円環状ＲＦ電極３と第２外部端子６との間に介在してこれらを電気的に接続する複数の接続回路１１とを備えたウエハ保持体１００であって、複数の接続回路１１は、円環状ＲＦ電極３と同じ深さにおいて放射状で且つ円環状ＲＦ電極３の中心軸に関して実質的に回転対称に形成されている。 （もっと読む）

【課題】反応ガス下で基板を回転させる横型ＭＯＣＶＤ炉を用いて結晶性が高く、かつ、面内のＡｌ組成分布が均一な化合物半導体ウェハを得る。
【解決手段】公転速度を高めることにより、膜厚方向における組成（ｘ値）の均一性を高めることができることは明らかであるが、これにより、成長層（ＡｌＧａＮ）の結晶性は充分とはならない。これに対して、本実施の形態のエピタキシャル成長方法では、膜厚方向における組成の均一性が最適とならない条件で公転を行い、成長層の結晶性を向上させる。実状態の速度比（成長温度（基板温度）における反応ガス流束と基板の交播速度との比）が１７２．０より大きく８５９．８以下となる場合、かつ１回転当たりの成長原子層数が１０層以上である場合に特に良好な結果（高い結晶性、高いキャリア濃度）が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、半導体層の組成の均一性を向上させ製造歩留りを改善できる半導体成長装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体成長装置は、基板の上に半導体層を成長する半導体成長装置であって、前記基板の載置部を第１主面に有するサセプタと、前記サセプタの第２主面側を加熱するヒータと、前記第１主面に沿って流れる前記半導体層の原料ガスを供給する原料供給部と、前記載置部における前記原料ガスの上流側に隣接した前記サセプタの表面を覆う補助サセプタと、を備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁性セラミックスと導電性セラミックスとの間の熱膨張率差が極めて小さく、この熱膨張差によるミスマッチが生じる虞がなく、破損やクラックや剥離や破壊等の不具合が生じる虞がないセラミック部材を提供する。
【解決手段】本発明のセラミック部材１は、酸化イットリウムを主成分とし、カーボンナノチューブ等の繊維状導電性物質を０．１体積％以上かつ３体積％以下含有してなる導電性セラミックス２と、酸化イットリウムを主成分とする絶縁性セラミックス３とを、無機系接着材からなる接着層４を介して接着し一体化した。 （もっと読む）