【課題】 成膜ドラムを用いるロール・トゥ・ロールを利用する、ＣＣＰ−ＣＶＤによる機能性フィルムの製造において、高品質な膜を成膜することができ、かつ、高密度なプラズマに起因する基板の熱損傷も防止できる製造方法を提供する。
【解決手段】 所定の中央領域と、この中央領域の外側の領域とで、ドラム表面温度を異なる温度とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の大型化に対応でき、かつ、処理室内におけるプラズマ分布の制御性を良好にすることが可能な誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 処理室内のプラズマ生成領域に誘導結合プラズマを発生させる高周波アンテナ１１ａ、１１ｂと、プラズマ生成領域と高周波アンテナとの間に配置される金属窓３と、を備え、金属窓３が、この金属窓３の周方向θに沿って２以上に互いに電気的に絶縁されて分割される第１の分割がされ（３ａ、３ｂ）、かつ、第１の分割がされた金属窓３が、さらに周方向θと交差する方向ｒ１、ｒ２に沿って互いに電気的に絶縁されて分割される第２の分割がされている（３ａ１〜３ａ４、３ｂ１〜３ｂ４）。 （もっと読む）

【課題】互いに異なるガスをガス種に応じて適切にプラズマ化でき、高品質の薄膜を成膜できるプラズマ処理装置及び被処理体のプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空槽１と、真空槽１の内部空間８において被処理体４を保持するステージ３と、真空槽１内に配置され、内部空間８を被処理体４が配置される第１の空間８ａと第２の空間８ｂとに仕切る仕切部７と、仕切部７に設けられ、第１の空間８ａに向けてガスを放出するガス放出孔７ｃと、ガス放出孔７ｃに真空槽１外から第１のガスを導入する第１のガス導入部と、第２の空間８ｂに真空槽１外から第２のガスを導入する第２のガス導入部と、第１の空間８ａに容量結合プラズマを発生させる容量結合電極と、第２の空間８ｂ内部に配置され、第２の空間８ｂに誘導結合プラズマを発生させる誘導結合プラズマ発生源とを備える。 （もっと読む）

【課題】イットリア材料のフッ化を抑制できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理室７と、処理室７にガスを供給する手段１０と、処理室７を減圧する排気手段１２と、プラズマ生成のための高周波電力２０，２１と、被処理体４に入射するイオンを加速するための高周波バイアス電力２２，２３と、表面がイットリア１７で覆われている内壁材を処理室側壁に有するプラズマ処理装置において、処理室内のイットリアのフッ化度合いを検知可能なフッ化検知センサー３０を設置し、また、密度の高いプラズマに曝される側壁部分に石英製の円筒状の部品４１を設置し、また、処理室側面の下方に導電率の高い材料をアース５２として設置し、エッチング処理間のクリーニングにおいて、イットリア材料１７，３７のフッ化の緩和を基準にクリーニング時間を調整できるようにした。 （もっと読む）

【課題】長尺基材の表面にプラズマＣＶＤ法によって薄膜を形成するにあたり、活性種をできる限り多く基材表面に供給して、高品質の薄膜を生産性高く形成できるプラズマＣＶＤ装置およびプラズマＣＶＤ方法を提供すること。
【解決手段】真空容器内に、冷却ドラムと、該冷却ドラムに対向して配置したプラズマ発生電極とを備え、長尺基材を前記冷却ドラム表面に沿わせて搬送しながら前記基材表面に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、前記冷却ドラムと前記プラズマ発生電極とで挟まれる成膜空間を前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側から挟み込み、前記長尺基材の幅方向に延在する２枚の側壁を設け、前記側壁は前記プラズマ発生電極とは電気的に絶縁されており、前記２枚の側壁のうちいずれか一方の側壁に、プラズマの発生を抑制しながらガスを供給するプラズマ発生抑制型ガス供給口と、プラズマの発生を促進させながらガスを供給するプラズマ発生促進型ガス供給口とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、生産コストの低減に必要な、高速で基板サイズの大面積化が可能なプラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】導波管を備えた空洞共振器１と、高周波電源２０と、インピーダンス整合器３２と、３端子サーキュレータ５０と、該３端子サーキュレータ５０に接続された無反射終端器５２及び反射波検知器５４とから成るプラズマ表面処理装置で、インピーダンスの整合を取るに際し、供給電力のアンテナ２からの反射波が最小に、かつ、該空洞共振器内部に放射される電力が最大になるように調整可能としたことを特徴とする。リッジ６１を有する導波管を用いることも特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電磁波を入射する入射窓の冷却ムラを抑制し、かつ、冷却に使用する空気流量を減らすことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】アンテナ１５からの電磁波をチャンバ内部に入射する入射窓（天井板）を有するプラズマ処理装置において、アンテナ１５の上方に、入射窓（天井板）を冷却する空気を供給する噴出孔３１ａ〜３１ｆを複数設けると共に、噴出孔３１ａ、３１ｂ、３１ｄ、３１ｅを、アンテナ１５の周囲で密に配置した。 （もっと読む）

【課題】安定してプラズマを発生させることができる原子層堆積装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、成膜容器と、薄膜の原料である原料ガスを成膜容器に供給する原料ガス供給部と、原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを成膜容器に供給する反応ガス供給部と、成膜容器の内部にプラズマを発生させるために高周波電流を供給する高周波電源と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御し、かつ、高周波電源が高周波電流を供給するタイミングを制御する制御部と、点火プラグを備える点火室と、成膜容器と点火室との間に配置されるバルブと、を備えることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】互いに異なるガスをガス種に応じて適切にプラズマ化でき、高品質の薄膜を成膜できるプラズマ処理装置及び被処理体のプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空槽１と、真空槽１内に配置され、真空槽１の内部空間８を被処理体４が配置される第１の空間８ａと第２の空間８ｂとに仕切る仕切部７と、仕切部７に設けられ、第１の空間８ａに向けてガスを放出するガス放出孔７ｂ１と、ガス放出孔７ｂ１に真空槽１外から第１のガスを導入する第１のガス導入部と、第１の空間８ａに真空槽１外から第２のガスを導入する第２のガス導入部と、第２の空間８ｂ側に配置され、内部空間８に高周波放電によってプラズマを発生させるアンテナ５ｂを備えるプラズマ処理装置を用い、互いに異なるエネルギーでプラズマ化された第１のガスと第２のガスとにより被処理体４上に薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 埋め込み用の高屈折率の部材の剥がれを低減し、高屈折率の部材に生ずる内部応力によりウエハの変形を低減する。
【解決手段】 光電変換部を有する基板と、基板の上部に配され、光電変換部に対応したコアと、クラッドとからなる導波路と、を有する固体撮像装置の製造方法において、高密度プラズマＣＶＤ法によって、クラッドの開口にコアとなる部材を形成する第１の工程及び第２の工程を有し、第２の工程は、第１の工程の後に、高密度プラズマＣＶＤ法の基板の表面側の高周波パワーに対する基板の裏面側の高周波パワーの比率が第１の工程に比べて高い条件でコアとなる部材を形成する。 （もっと読む）