【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、再現性に優れたプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。真鍮ブロック５は開口部１２を先端として先細形状に構成され、放射光の光軸４３が真鍮ブロック５によって遮られない位置に、基材２の表面温度を測定するための放射温度計受光部４２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、小型で簡潔な構成のプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。蓋６の下面にマニホールド８、１０やガス供給穴９、１１となる溝が形成されており、２つの部材の表面に沿って染み出してくる構成である。 （もっと読む）

【課題】基板上に堆積された薄膜の膜厚の均一性を向上する。
【解決手段】プラズマ装置１００は、アンテナ２１〜２４を備える。アンテナ２１〜２４は、反応容器１１０の天板１１２に固定される。アンテナ２１，２４は、基板ホルダー１２０との距離が１２ｃｍに設定され、アンテナ２２，２３は、基板ホルダー１２０との距離が２５ｃｍに設定される。アンテナ２１〜２４は、一方端が平板部材６０に接続され、他方端が接地電位ＧＮＤに接続される。高周波電源１７０は、高周波電力を整合器１６０を介して平板部材６０に供給する。 （もっと読む）

【課題】膜厚方向に亘って緻密な薄膜を得ること。また、良好なデバイス構造を得ること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させることにより、Ｓｉ含有ガスとＯ3ガスとを用いてウエハＷに反応生成物を形成する成膜ステップと、プラズマにより前記反応生成物を改質する改質ステップと、からなる成膜−改質処理を複数回行うと共に、薄膜の形成途中にてプラズマの強度を変更する。具体的には、反応生成物の積層膜厚が薄い時（成膜−改質処理を開始した初期）にはプラズマの強度を小さくすると共に、反応生成物の積層膜厚が増加する程（成膜ステップの回数が増える程）、ウエハＷに供給するプラズマの強度を段階的に大きくする。あるいは、反応生成物の膜厚が薄い時にプラズマの強度を強くして、その後弱くする。 （もっと読む）

【課題】リッジ電極及び基板の熱変形を抑制し、大型の基板にも安定した製膜処理が行える真空処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマが生成される排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、高周波電力を方形導波管の基本伝送モードであるＴＥモードに変換して放電室２に伝送し、排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂの間にプラズマを発生させる一対の変換器と、基板側リッジ電極２１ｂの外面側に設置されて温度を均等に加熱する均熱温調器４０と、排気側リッジ電極２１ａの外面側に設置されてプラズマ処理が施される基板Ｓの板厚方向の熱流束を制御する熱吸収温調ユニット５０とを有し、基板Ｓを排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂの間に設置してプラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】軽量かつコンパクトで簡素な構造により、変換器の内部における反射波とプラズマの発生を防止して、放電室において安定したプラズマを発生させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに平行に対向し、その間にプラズマ処理が施される基板Ｓが配置される放電用のリッジ電極２１ａ，２１ｂを有したリッジ導波管からなる放電室２と、この放電室２の長さ方向両端に隣設されて、互いに平行に対向する一対の平板状のリッジ部３１ａ，３１ｂを有したリッジ導波管からなる変換器３Ａ，３Ｂと、高周波電源５Ａ，５Ｂと、電源接続用の同軸ケーブル４Ａ，４Ｂと、変換器３Ａ，３Ｂの内部において対向するリッジ部３１ａ，３１ｂの間に充填される充填材３５とを備え、充填材３５は、同軸ケーブル４Ａ，４Ｂが変換器３Ａ，３Ｂに接続される電源導入部Ｃの近傍の範囲で電源導入部Ｃと同心円の円柱状に設置されてなる構成の真空処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】簡素かつコンパクトで安価な構造により、変換器と放電室との境界部における反射波の発生を抑制し、高品質なプラズマ処理を行うことができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに平行に対向し、その間にプラズマが生成される一対のリッジ電極２１ａ，２１ｂを有したリッジ導波管からなる放電室２と、放電室２の両端に隣設されて互いに平行に対向する一対の平板状のリッジ部３１ａ，３１ｂを有したリッジ導波管からなる変換器３Ａ，３Ｂと、高周波電力をリッジ部３１ａ，３１ｂに供給する電源手段とを有し、一対のリッジ電極２１ａ，２１ｂのリッジ電極対向間隔ｄ１が、一対のリッジ部３１ａ，３１ｂの対向間隔ｄ２よりも狭く設定されてリッジ段差Ｄが存在し、このリッジ段差Ｄの部分に、一対のリッジ部３１ａ，３１ｂと一対のリッジ電極２１ａ，２１ｂの間を、各々の対向間隔を漸減させて接続する漸減部３２ａ，３２ｂを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機材料の表面にプラズマＣＶＤによって無機膜を成膜する際に、目的とするガスバリア性を有するガスバリア膜を、安定して形成することを可能にする。
【解決手段】第１のプラズマ励起周波数で無機膜を成膜し、その後、前記第１のプラズマ励起周波数よりも低い周波数の第２のプラズマ励起周波数で無機膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】プラズマプロセス装置において反応生成物の堆積による光学窓の曇りを防ぎ、装置内の観察継続の為に必要なメンテナンス作業の頻度を抑制する。
【解決手段】反応チャンバ１と、反応チャンバ１からの光の一部が投影される光学窓８を有するビューポート９とを備えたプラズマプロセス装置において、ビューポート９内に設けられ、シャッター１１及び光透過性を有する複数の保護窓１２を備えるプレート１３と、保護窓１２及びシャッター１１のうちの一つが反応チャンバ１から光学窓８への光路上に位置するようにプレート１３の位置を切り換える切換手段１５とを有するプラズマプロセス装置を提供する。これにより、観察時、非観察時のいずれにおいても反応生成物が光学窓８に堆積しなくなる。プレート１３のメンテナンス作業は必要となるが、その頻度は従来のメンテナンス作業と比べて大幅に抑制される。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理ガスが流通する流路５１（第２の配管５０）に介装され、前記流路５１
を開閉可能なバルブ５２と、前記流路５１から前記処理ガスが供給され、前記処理ガスを
大気圧下でプラズマ化するプラズマ発生部１６と、前記プラズマ発生部１６及び前記バル
ブ５２に接続され、前記バルブ５２の開放時から一定の遅延時間経過後に前記プラズマ発
生部１６を駆動させる制御部６０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）