【課題】主にアルミニウム系通常配線を有するＬＳＩの製造工程ＢＥＯＬプロセスでは、配線の信頼性に関して、ＥＭ耐性およびＳＭ耐性の向上が特に重要である。アルミニウム系配線に関する不良の中でも、配線メタル膜の膨張や欠けの発生は、ＥＭ耐性およびＳＭ耐性を大きく劣化させる要因となる。
【解決手段】本願発明は、層間絶縁膜を成膜するプラズマＣＶＤチャンバのウエハ・ステージ上に於いて、アルミニウム系配線メタル膜のパターニングの後であって層間絶縁膜の成膜前に、ウエハのデバイス面に対して、不活性ガスを主要な成分の一つとして含む雰囲気下、アルミニウム系配線メタル膜および層間絶縁膜の成膜温度よりも高いウエハ温度において、プラズマ・アニール処理を実行することにより、配線メタル層の側壁部の付着物が完全に除去され、膨張不良の原因が取り除かれ、更に、不動態化の進行、ストレス開放等により、欠け不良を抑制するものである。 （もっと読む）

【課題】水晶発振素子のパルスの立ち上がり時の不安定な発振状態に固体差がある場合においても、プラズマ電極への高周波の給電を複数個所から安定してパルス的に行うこと。
【解決手段】高周波発振器１１２、１１６は、発振素子を駆動する電圧をオン／オフさせつつ発振素子を駆動することで生成した発振信号から所定の振幅以上の発振信号を抽出し、高周波増幅器１１１、１１５は、高周波発振器１１２、１１６にて抽出された所定の振幅以上の発振信号をそれぞれ増幅することにより、パルス状の高周波電圧を生成し、複数の給電点１０９、１１３に印加する。 （もっと読む）

【課題】複数のプラズマの高周波電源の電力を投入することでエネルギー密度を高めるとともに、高周波電力が同時に供給されることによって処理が不均一となる現象を抑制する。
【解決手段】プラズマを発生させる電極１２０に複数の高周波電源１１８，１１９が接続されたプラズマ処理装置であって、いずれかの高周波電源の高周波信号を生成する発振器１１２，１１６にはその発振が連続する時間に比べて１０％以下の時間の停止と前記停止後に再発振とを繰り返し行わせるリセット回路１１７を接続したプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】高周波電源の異常を検出することが出来るプラズマ処理装置及び基板処理方法の提供。
【解決手段】高周波電源２の出力側に設置された反射波パワーメータ６及び進行波パワーメータ８によって検出される反射波電力、進行波電力および供給電力の設定に基づき、高周波電源２の異常を検出する機能を備えてお
り、例えば、高周波電源２の４．５ＫＷの設定出力に対し、１０００ｍｓ経過後、進行波電力の値が４４５５〜４５４５Ｗの範囲（±１％の範囲）にない場合、または、反射波電力の値が進行波電力の値の３％以上に達した場合は、高周波電源２の異常と判別する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを発生する反応空間に対して遠近方向に、また平面的にも広い範囲でプラズマ処理が可能な大気圧プラズマを小さな入力電力で発生することができる大気圧プラズマ発生方法及び装置を提供する。
【解決手段】反応空間１に第１の不活性ガス５を供給するとともに高周波電源４から高周波電界を印加することで、反応空間１からプラズマ化した第１の不活性ガスから成る一次プラズマ６を吹き出させ、この一次プラズマ６が衝突するように、第２の不活性ガスを主とし適量の反応性ガスを混合した混合ガス８が存在する混合ガス領域１０を形成し、プラズマ化した混合ガスから成る二次プラズマ１１を発生させるようにした。 （もっと読む）

【課題】高密度で均一なプラズマが生成される誘導結合プラズマ装置を提供する。
【解決手段】プロセス・チャンバに電気エネルギを結合して該プロセス・チャンバ内でプロセス・ガスからプラズマを発生させるための要素１０であって、要素１０は、長さ方向に沿って順次配置された多数のコイル・ターン３２を有する単一のコイルで構成される導電性要素１０であり、コイル・ターンの少なくとも一つ３４ａは、プラズマ処理システムの誘電体ウインドウにほぼ平行な第１平面３６に配向され、コイル・ターン３２の少なくとも一つ３４ｂは、第１平面３６と角度をなす第２平面３８に配向されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマによって生成される活性種量を増大することができる基板処理装置および半導体デバイスの製造方法を提供する
【解決手段】処理容器２０３と、処理容器２０３内へ所望の処理ガスを供給するガス供給部２３２ａ、２３２ｂと、処理容器２０３から余剰の処理ガスを排出するガス排出部２４６と、処理容器２０３内にて複数の基板２００を積層した状態で載置する基板載置部材２１７と、処理ガスを励起するためのプラズマを生成する、高周波電力が印加される電極３０１とを有し、電極３０１は、平行に配置された２本の細長い直線部３０２、３０３と、直線部３０２、３０３のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部３０４と、を備え、直線部３０２、３０３が基板２００の側方に、基板２００の主面に対し垂直な方向にわたって延在して配置される。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の投入時に発生した反射電力を速やかに極小値に導いて高周波電力を再現性良く安定に供給できるようにする。
【解決手段】高周波電力を負荷２に供給可能な高周波電源１１とマッチングボックス１２とをスイッチング稼働可能に設ける。高周波電源とマッチングボックスとの間に高周波反射電力検知器１３と制御信号発生器１４を設け、制御信号発生器１４から、高周波電源１１に対し基本制御信号を出力し、マッチングボックス１２と高周波反射電力検知器１３に所定時間の遅れをもって外部制御信号を出力する。それに同期して反射電力信号が制御信号発生器１４に帰還されるようにし、この反射電力信号が最小値となるように負荷の時間的変動に対する外部制御信号の制御信号パラメータを調節してマッチングを行う。 （もっと読む）

堆積ガスをプラズマ相へと転換し、真空チャンバ内で基板搬送方向に動いている基板上に薄膜をプラズマ相から堆積させるためのプラズマ堆積ソースが説明される。プラズマ堆積ソースは、真空チャンバ内に設置された多領域電極デバイスであって、動いている基板の反対側に配置された少なくとも１つのＲＦ電極を含む多領域電極デバイスと、ＲＦ電極にＲＦ電力を供給するＲＦ電力発生器とを含む。ＲＦ電極は、ＲＦ電極の一方の端部に配置された少なくとも１つのガス注入部およびＲＦ電極の反対側の端部に配置された少なくとも１つのガス排出部を有する。規格化されたプラズマ体積は、電極表面と反対側の基板位置との間に画定されるプラズマ体積を、電極長さで除算することによって与えられる。規格化されたプラズマ体積は、堆積ガスの欠乏長さに合わせて調節される。
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【課題】プラズマ電位が低く，より安定した高密度のプラズマを容易に形成し，プラズマ処理の均一性をより簡単かつ的確に制御する。
【解決手段】処理室１０２内でウエハを載置する載置台１１０と，載置台に対向するように板状誘電体１０４を介して配設された内側アンテナ素子１４２Ａと外側アンテナ素子１４２Ｂとからなる平面状の高周波アンテナ１４０と，高周波アンテナを覆うように設けられたシールド部材１６０とを備え，各アンテナ素子はそれぞれ両端を開放するとともに中点又はその近傍を接地し，それぞれ別々の高周波電源からの高周波の１／２波長で共振するように構成した。 （もっと読む）