【課題】プラズマ処理装置において、簡易かつ低コストの構成で、プロセスガスの導入位置を基板の配置（特にバッチ処理の場合）や基板のサイズ（特に枚葉処理の場合）に応じて高い自由度で設定可能とし、それによって高生産性と品質安定化を達成する。
【解決手段】チャンバ３の上部開口に配置された天板７には、ガス供給口７ｄとガス導入口７ｊ，７ｋが設けられている。天板７の上面７ａには、ガス供給口７ｄとガス導入口７ｊ，７ｋを接続するために、供給ガス溜め部７ｅ、共通導入溝部７ｇ、分配ガス溜め部７ｆ、分岐溝部７ｉ、及び個別ガス溜め部７ｈが設けられ、これらの上部開口は天板７の上面７ａに配置された蓋部材８により閉鎖されている。個々のガス導入口７ｊ，７ｋは基板サセプタ６に保持された基板２の中央領域の上方に位置している。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜の諸性質を、それぞれの用途における要求特性などに応じて、二次的に改質することを目的とするものである。
【解決手段】基材の表面に、膜厚３μｍ超の厚膜ＤＬＣを被覆してなる部材において、この厚膜ＤＬＣは、水素が１３〜３０原子％、残部が炭素である微粒子の堆積層からなるものであって、残留応力が１．０ＧＰａ以上、硬さ（Ｈｖ）が７００〜２８００の熱処理ＤＬＣの膜であることを特徴とする厚膜ＤＬＣ被覆部材。 （もっと読む）

【課題】機能性微粒子の純度を高めつつ、機能性微粒子を含む機能膜を基材の表面に安定して形成すること。
【解決手段】開放型で不活性ガスを用いて雰囲気制御を行うヘッド２４を用いて、液中の機能性微粒子４をミストジェット技術にて所望の分布で基板３上に吐出させる工程と、その後に大気圧プラズマ化学輸送法により薄膜８を成膜させる工程とを交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】処理室内の放電を防止する。
【解決手段】バッチ式リモートプラズマ処理装置は、複数枚のウエハ１を保持したボート２が搬入される処理室１２に高周波電源３１が接続された一対の電極２７、２７が近接して配置され、処理室１２の両電極間には誘電体製のガス供給管２１が配置されている。処理室１２はシールキャップ１９で閉塞され、ヒータ１４で加熱され、排気管１６で排気され、ボート２は回転軸２０で回転される。プロセスチューブ１１はＳＵＳ製のマニホールド１５で支持し、筐体８はマニホールド１５を絶縁体１５Ａを介して支持する。排気管１６は絶縁体１６Ａを介してマニホールド１５に接続する。シールキャップ１９と回転軸２０は絶縁体１９Ａと２０Ａでマニホールド１５と処理室１２から絶縁する。マニホールド１５がアースから電気的にフローティングするので、放電は起きない。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１と、真空容器１１の壁の外面１１１Ａと内面１１１Ｂの間に、外面１１１Ａから、該壁を貫通させることなく孔を設けることにより形成された空洞であるアンテナ配置部１１３Ａと、アンテナ配置部１１３Ａに配置された高周波アンテナ２１と、高周波アンテナ２１と真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ増強化学気相成長とＴＥＯＳを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】該方法には、ＴＥＯＳ酸化物プラズマを生成するために用いられる高周波パルス電源を供給することにより、基板上の二酸化ケイ素の堆積速度を制御するステップが含まれる。得られた二酸化ケイ素膜は、薄膜トランジスタを形成する応用において電気的及び機械的膜特性が良好である。 （もっと読む）

【課題】コイルとプラズマ間の容量結合を減らし、プラズマチューブ内表面の腐食を有意に減らすＲＦプラズマソースの提供。
【解決手段】プラズマソース２００は、第１コイルセグメント２０４と第２コイルセグメント２０６を有するコイル２０２、コイル２０２に接続されたＲＦ電源２０８、および第１コイルセグメント２０４と第２コイルセグメント２０６間に配設されたエンクロージャ２１０を備える。さらに中間コイルセグメント２２２は、第１コイルセグメント２０４、第２コイルセグメント２０６間に電圧ノード（接地に関連する低電圧領域）を提供する。 （もっと読む）

【課題】 高価な測定装置を用いることなく、小型で、簡便な方法によりプラズマの電子密度及び電子温度の測定が可能な測定プローブ及び測定装置を実現する。
【解決手段】 測定プローブ１０は、長さが異なる複数のスリット１３、１４を備え、絶縁膜１５、１６を設けることにより各スリットに対応して１つの測定プロープで複数の共振周波数を持つように構成されている。これにより、プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eの共振周波数依存性から当該プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eを算出することができる。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板や絶縁膜に損傷が与えられるのを抑制しつつ、被処理基板に良好に絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 電磁波入射面Ｆを有する真空容器２の内部に被処理基板１００を配設する。希ガス及び酸素ガスのうちの少なくとも一方を含む第１のガスは、電磁波入射面Ｆからの距離が１０ｍｍ未満となる位置から真空容器２の内部に導入し、有機シリコン化合物を含む第２のガスは、電磁波入射面からの距離が１０ｍｍ以上となる位置から真空容器２の内部に導入する。真空容器２の内部に、電磁波入射面Ｆから電磁波を入射させることにより真空容器の内部で表面波プラズマを生じさせ、被処理基板１００に酸化シリコンを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成領域へのエネルギ伝送の効率化と、電界強度分布の均一化を図ることにより、大面積で高品質な膜を均一に製膜することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに対向して配置され、間にプラズマ処理が施される基板が配置される放電用のリッジ部であるリッジ電極２１，２１を有するリッジ導波管からなる放電室２と、高周波電力を放電室２に供給する電源５と、内部導体４１および外部導体４２からなり、電源５から放電室２へ高周波電力を導く同軸線路４Ａと、リッジ部３１，３１を有するリッジ導波管からなり、放電室２が延びる方向Ｌに隣接して配置され、同軸線路４Ａから放電室２へ高周波電力を導く変換部３Ａと、が設けられ、リッジ部３１，３１の一方は、内部導体４１と電気的に接続され、リッジ部３１，３１の他方は、外部導体４２と電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）