【課題手段】長期にわたって優れた転写性およびクリーニング性を維持できる中間転写体およびその製造方法、ならびに画像形成装置を提供すること。
【解決手段】ポリフェニレンスルフィドおよびポリアミドを含有する基材１７５上に、体積固有抵抗１×１０^７〜１×１０^１３Ωｃｍの半導電性無機層１７６を有する中間転写体１７０。ポリフェニレンスルフィドおよびポリアミドを含有する基材１７５上に無機層１７６をプラズマＣＶＤ法により形成する中間転写体の製造方法。上記中間転写体を備えた画像形成装置。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつエッチング耐性に優れた窒化シリコン系絶縁膜を形成する。
【解決手段】基材上にシラン系ガス（ＤＣＳ）、窒化性ガス（ＮＨ３）及びホウ素含有ガス（ＢＣｌ３）を、Ｎ２パージを逐次行いながらこの順で供給してホウ素含有窒化シリコン層を形成する工程と、このホウ素含有窒化シリコン層に、プラズマにより活性化された窒化性ガス（活性化ＮＨ３）を供給する工程とを含み、これらの工程をこの順で繰り返し行う成膜方法。 （もっと読む）

【課題】イオン種等の荷電粒子の影響を回避し得る反応種生成方法、および反応種生成装置、並びに反応種による処理方法、および反応種による処理装置を提供する。
【解決手段】希ガス１を励起種に励起させるための第１の反応容器１１と、第１の反応容器１１内でプラズマを生成させるための電源１２及び電極１３と、第１の反応容器１１にて希ガス１を励起させるときに生成された荷電粒子が、第１の反応容器１１外に漏れるのを抑制する接地されたメッシュ１４と、第１の反応容器１１にて励起された希ガス１を移送させる流路と、励起された希ガス１とプロセスガス３とが混合される第２の反応容器１６と、プロセスガス３をプロセス領域４に導入するプロセスガス供給流路１５とを備える。プロセス領域４にて、励起された希ガス１によってプロセスガス３から励起された希ガス１に比べて短寿命である反応種を生成する。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ低コストの構成で、基材上への均一なガス供給を可能にして高質の表面処理を実現する。
【解決手段】基材１２を特定方向に搬送しながら、その表面に向けて表面処理用ガスを供給することにより、基材１２の表面処理を行う。具体的には、円筒状外周面を有して当該外周面が基材１２の表面に隙間２３をおいて対向し、基材１２の搬送方向と略直交する方向の軸を中心に回転する回転体２４と、回転体２４を当該回転体２４が基材１２の表面に対向する部位を残して覆う覆い部材１４と、この覆い部材１４が基材１２の表面に対向する面と当該基材１２の表面との間に電界を形成する手段とを備える。覆い部材１４内に供給された表面処理用ガスが回転体２４の回転に伴いその外周面に巻き込まれて隙間２３に導かれかつこの隙間２３から電界形成領域に供給されてプラズマを生じさせるように、回転体２４及び覆い部材１４が配置される。 （もっと読む）

【課題】真空容器に着脱が容易で真空容器内に高密度な放電プラズマを生成する誘導結合型アンテナユニットを提供する。また、これらの誘導結合型アンテナユニットを複数個用いた任意の面積で生産性の高いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本誘導結合型アンテナユニットは、誘電体筐体１１と、該筐体の蓋体１２と、該蓋体に装着したＵ字形のアンテナ導体１４とからなり、該アンテナ導体のＵ字形部分が前記筐体内に収容され、一体化された構造とする。アンテナ導体として金属パイプを採用し、そのＵ字形部分に細孔１５を設け、前記筐体内に冷却ガスを噴射させてアンテナ導体及び誘電体筐体を冷却できる構成とする。該アンテナユニットをプラズマ処理装置の真空容器壁に設けた開口部に容易に着脱できる構造とする。また、当該誘導結合型アンテナユニットを複数個配列して任意の処理面積を有する生産性の高いプラズマ処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性のみならず、耐酸化性にも優れるガスバリア膜の製造方法、および、これを利用する太陽電池用ガスバリアフィルム、および、ディスプレイ用ガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】ガスバリア膜の成膜のためのプラズマ放電を開始した後に、所定の時間が経過する前のプラズマを、前記ガスバリア膜の製造に用いないことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

アルミニウム合金製、特にダイカスト・アルミニウム合金製の部品（１）を被覆する方法が記載され、前記方法は前記- washing the pre-treated parts (1) ; and部品（１）を前処理する工程；- washing the pre-treated parts (1) ; and前処理した前記部品（１）を洗浄する工程；及び前記部品上に少なくとも１つの第１層（３）及び少なくとも１つの第２層（５）を蒸着する工程を含み、前記第１及び第２層（３，５）の各層は可変相対的モル分率を有する２つの構成成分：１）金属材料、及び２）周期律表のIVA族の元素の酸化物に基づく材料の混合物から成る。前記方法によって製造された、アルミニウム合金製の部品（１）が更に記載される。 （もっと読む）

【課題】電極間距離の微調整を容易かつ効率的に行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバーＭ１と、チャンバーＭ１内に配置されてプラズマ放電を発生させる平板形の第１電極１１ｅおよび第２電極１２ｅと、第１電極１１ｅと第２電極１２ｅを平行に対向してそれぞれ支持する第１支持部１３および第２支持部１４と、第１および第２支持部１３、１４にて支持された第１電極１１ｅと第２電極１２ｅを相対的にねじで移動させて電極間距離Ｌ１を微調整する微調整機構Ａとを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１と、真空容器１１の壁の内面１１１Ａと外面１１１Ｂの間に配置された高周波アンテナ２１と、前記高周波アンテナ２１と前記真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】反応室内のプラズマ密度を均一にすることができる半導体製造装置を提供する
【解決手段】基板が処理される処理室５２と、この処理室５２内に設けられ、プラズマを生成するプラズマ室７６と、処理室５２の外側に設けられた複数の高周波アンテナ８４と、プラズマ室７６と複数の高周波アンテナ８４に挟まれる位置に、所定の間隔を隔てて配置され、高周波アンテナ８４により発生する電場を遮断するシールド９０と、を有し、複数の高周波アンテナ８４の接近部（位置Ｐ）に向けて、シールド９０の間隔が狭くなっている。 （もっと読む）