【課題】真空チャンバ内で複数枚の基板を同時に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、基板配置部材上に配置される複数枚の基板について、基板品質を向上させる。
【解決手段】基板配置部材上に配置される複数枚の基板の２次元画像を取得し、この２次元画像を用いて、異なる波長の反射光強度によって各基板上の膜厚情報を取得し、この膜厚情報をフィードバックして成膜することによって、膜厚分布を均一化し、平均膜厚の再現性を良好なものとし、２次元画像の反射光強度の二次元分布によって基板上に付着するパーティクルによる基板上の配置位置情報を取得し、この配置位置情報をフィードバックして基板の配置位置を制御することによって、パーティクルによる不良基板の発生を低減する。 （もっと読む）

シリコン系薄膜太陽電池のための可動堆積ボックス（０２）は、可動チャンバに設けられた少なくとも１群のカソード板（２０３）および１枚のアノード板（２０８）からなる電極アレイを含み、給電ソケット（２０３−１）がカソード板（２０３）の裏側の中心領域の円または半円凹部表面に位置付けられ、平坦な中間部分を有する給電要素（２０１）の円または半円端面（２０１−１）が信号給電ソケット（２０３−１）に接触し、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電し、アノード板（２０８）が接地され、カソード板のシールドカバー（２０４）がスルーホール（２０４−１）を有し、カソード板（２０３）から絶縁される。
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【課題】高周波電圧印加時の表面電流によるジュール発熱を抑制し、プラズマ放電処理の均一性を確保し、加熱による電極の破壊が防止され、更に、電極軸受け部材を互い違いに配置することで、軸受け部材間のアーク放電も防止された、プラズマ放電装置を提供する。
【解決手段】母材２００ａの表面に非磁性導電性被膜２００ｂを施し、さらに、該非磁性導電性被膜の表面を誘電体２００ｃで覆ったプラズマ放電装置に用いる誘電体被覆電極であって、該母材のヤング率が１５０ＧＰａ〜２８０ＧＰａであることを特徴とする誘電体被覆電極、プラズマ放電装置及び大気圧プラズマ処理方法。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電極間に一様な電界分布を発生させる高周波プラズマ発生装置を得る。
【解決手段】非接地電極と接地電極から成る一対の電極と、非接地電極に設けられた複数の給電点と、複数の給電点から非接地電極に高周波電力を供給するための電力供給手段とを備え、非接地電極と接地電極に挟まれたプラズマ生成領域でプラズマを発生させる高周波プラズマ発生装置において、非接地電極は方形の形状を有し、複数の給電点は非接地電極の対称面に対して互いに対称な位置となるような非接地電極の端部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】小さい膜厚比が得られる成膜ガスと、大きい膜厚比が得られる成膜ガスとを用いて、所定膜厚比の酸化膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】穴８７の側壁及び底面を除いた基板８１の表面に形成される酸化膜８８の膜厚の、穴８７の底面に形成される酸化膜８８の膜厚に対する膜厚比が所定の膜厚比となるように、穴８７の側壁及び底面を除く基板８１の表面に、穴８７の底面よりも厚い膜厚の酸化膜８８を形成するに当たり、テトラエトキシシラン及び酸素の混合ガスをプラズマ化して酸化膜８８ａを形成した後、テトラエトキシシラン及び酸素の混合ガスよりも高い膜厚比が得られる、シラン及び亜酸化窒素の混合ガスをプラズマ化して酸化膜８８ｂを形成し、テトラエトキシシラン及び酸素から形成される酸化膜８８ａと、シラン及び亜酸化窒素から形成される酸化膜８８ｂとによって、所定膜厚比の酸化膜８８を形成する。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマＣＶＤでは、成膜レートがプラズマギャップ（電極−成膜用基板間距離）に非常に敏感である。１ｍ角を越える大型基板に大気圧プラズマＣＶＤで薄膜を形成する場合、基板のうねり等のために電極−成膜用基板間距離が変動すると、成膜レート、膜厚が変動し、それによって太陽電池の出力が変動するしてしまう。
【解決手段】
大気圧プラズマＣＶＤ装置において、ガス供給手段で電極とテーブルとの間に大気圧中でＣＶＤ原料ガスを供給しながら電極とテーブルとの間に大気圧中で高周波電力を印加することにより電極と試料との間にプラズマを発生させた状態で駆動手段で電極をテーブル手段に沿って移動させている間に電極とテーブルとの両方を制御して電極とテーブルとの間隔を制御することにより、基板にうねりがあっても基板上に均一な膜厚の薄膜を形成できるようにした。 （もっと読む）

【課題】優れたガスバリア性のみならず、基板との密着性にも優れる窒化ケイ素膜を成膜してなるガスバリアフィルム、ならびに、その成膜方法および装置を提供する。
【解決手段】基板側の平均密度が表面側の平均密度よりも高く、かつ、中央領域の平均密度が、その間であるガスバリア膜を有するガスバリアフィルム、および、プラズマＣＶＤにおいて、成膜中に、基板の搬送方向と同方向に原料ガス流を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】アンテナおよびプラズマ間の容量結合を大幅に低減する結合窓構成及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】絶縁材料から形成される第１の層５０４と、第１の層５０４に接続された第２の層５０６であって、プロセス中においてプロセスチャンバ内に存在するプラズマに対して実質的に抵抗となる材料から形成され、前記プロセスチャンバの内周面の一部を形成する前記第２の層５０６と、を備え、第１の層５０４および第２の層５０６は、アンテナから前記プロセスチャンバ内部へのＲＦエネルギの通過を許容するように構成されていることとを備え、第２の層５０６は、導電材料から形成され、電気的に浮動するように構成されている結合窓構成５００である。結合窓構成５００のイオン衝突は低減され微粒子汚染が低減される、また高密度のプラズマとなる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置１において、基材Ｗの端部の波状変形や異常なアーク放電を防止する。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバと、真空チャンバ内に配備されると共に電源の両極が接続され且つ成膜対象であるシート状の基材Ｗが巻き掛けられる真空チャンバから絶縁された成膜ロール２と、基材Ｗが巻き掛けられていない成膜ロール２の端部２ａ、２ｂを成膜ロール２近傍に発生したプラズマ５から遮蔽する遮蔽部材４と、を備え、成膜ロール２の軸方向の端部２ａ、２ｂは中央部２ｃより小径に形成されていて、端部２ａ、２ｂの外周面と中央部２ｃの外周面との間には段差面２ｄが設けられており、遮蔽部材４がその外周面が成膜ロール２の中央部２ｃの外周面と面一になるように成膜ロール２の端部を覆っており、遮蔽部材４と段差面２ｄとの間には成膜ロール２の軸方向に基材Ｗが成膜ロール２に当接しない間隙が備えられている。 （もっと読む）

【課題】均一性の向上した誘導結合型プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】複数のコイル１，２をプラズマ・チャンバの誘電体ウィンドウ上に配置し、単一の高周波発生器３１０で電力を供給し、単一の整合回路網３２０によって調整する。各コイルは平面的か、または平面的と立体的ならせん状の組合せのいずれかである。各コイルの入力端部は入力側調整コンデンサＣ_１，Ｃ_２に接続され、出力端部は出力側調整コンデンサを介して接地に終端される。プラズマへの高周波の最大誘電結合の場所は、主として出力側コンデンサによって決定され、入力側コンデンサは、主として各コイルへの電流の大きさを調整するために使用される。各コイル内の電流の大きさおよび最大誘導結合の場所を調整することによって、異なる半径方向方位角領域内のプラズマ密度を変化させ制御することができ、したがって半径方向に方位角的に均一なプラズマを得ることができる。 （もっと読む）