【課題】ＣｌＦ_３を使用するにあたってＣｌＦ_３の濃度減少抑制することができる装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一部にＣｌＦ_３が暴露されることによるフッ化物の皮膜が形成されている金属材料により構成される反応室１１と、前記反応室１１に接続されている前記金属材料からなる配管１３とを備える装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ−Ａｌ系合金の耐高温酸化性を量産に適した方法で向上させるための表面処理方法およびＴｉ−Ａｌ系合金を提供する。
【解決手段】Ａｌを１５原子％以上５５原子％以下含有するＴｉ−Ａｌ系合金基材をフッ素源ガスを含むガス雰囲気中に加熱保持してその表面に０．１μｍ以上１０μｍ以下の厚さのフッ素濃化層を形成させ、かつそのフッ素濃化層中のFの最高濃度を２原子%以上３５原子%以下とすることで、高温酸化雰囲気に曝された際にＴｉ−Ａｌ系合金基材表面が酸素透過性の極めて低いＡｌ_２Ｏ_３皮膜で覆われることにより、優れた耐高温酸化性を示す。軽量で高温強度の高いＴｉ−Ａｌ系合金の最大の欠点である耐高温酸化性の低さを向上させることが量産に適した方法で実施できることによって、例えば過吸気用タービンホイールやエンジンバルブ、ガスタービンのタービンブレード等へ好適に利用できる。 （もっと読む）

【課題】 不純物等の混入を防止しつつナノワイヤーを簡便に製造することのできるナノワイヤーの製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係るナノワイヤーの製造方法は、基板１上にＺｎを付着させてＺｎ薄膜２を形成する工程と、Ｚｎ薄膜２の表面側を酸化によりＺｎＯとすることによって、基板１上にＺｎ層２ｂ及びＺｎＯ層２ａを形成する工程と、ＺｎＯ層２ａを、Ｏ_２を含みＺｎの融点よりも高くＺｎＯの融点よりも低い温度の大気に曝すことによって、ＺｎＯ層２ａの粒界にＺｎＯの核４を形成してこの核４から大気中に延びるナノワイヤー５を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】厚膜で密着力が高いＣｒ−Ｎ膜を形成する。
【解決手段】母材にウエット方式によるクロムめっき膜を厚膜に形成した後、このクロムめっき膜をドライ方式によりラジカル窒化処理して、厚膜で密着力が高いＣｒ−Ｎ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐食性を有するフッ化不動態膜をステンレス材以外の鉄鋼基材に形成することが可能なフッ化不動態膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】炭素鋼又は特殊鋼（但しステンレス鋼は除く）からなる基材をベーキングし、次いで、５０℃以上１５０℃未満の温度においてフッ素化処理を行うことを特徴とするフッ化不動態膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】耐食性に優れ、かつ厚膜で安定なフッ化ニッケル膜からなる最表面層を有する金属材料を提供すること、および前記フッ化ニッケル膜をより低温で形成できる金属材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】上記金属材料は、表面が金属からなる基材の表面に、めっきによりニッケル−タングステン合金めっき皮膜またはニッケル−モリブデン合金めっき皮膜を形成し、次いで、該皮膜とフッ化ガスとを反応させることにより製造できる。 （もっと読む）

【課題】銅めっきのシード層を形成後、めっき膜の形成工程までの保管期間中に、シード層の腐食を防止して良質なめっき膜を形成する。
【解決手段】銅からなるシード層２を形成後、シード層２を硫化処理してシード層２の表面に銅の硫化物からなる保護膜３を形成する。この状態でシード層２を保管する。その後、保護膜３を除去してシード層２を露出させ、シード層２を電極としてめっき膜７を形成する。保護膜３が形成されたシード層２は、腐食ガスが混入した雰囲気でも腐食することなく保管することができる。さらに、保護膜３をアルカリ溶液等で除去して表出したシード層２をめっき用電極として利用し、良質のめっき膜７を形成することができる。 （もっと読む）

【目的】本発明では，粉体を，ガス放電によって，加速し薄膜を制作することである．導体でない粉体も，高温高速のプラズマ流によって，加速され，成膜し，幅広い材料分野での使用を可能にする方法として提供する．
【構成】粉体は，電極間にあらかじめ置いてある．またガスは，内蔵あるいは電磁バルブ等によって，放電電圧が印加される直前に投入される．このため，粉体が有る場合，２度以上，時には１００回程度の放電を，真空を破ることなく繰り返し行うことが出来る．更に電磁バルブ等でガスを投入する際，粉体を気流によって巻きあげることによって，導体粉体を電極間に置いた場合でも，電極間の短絡がおきることを防ぐことが出来る特長をもっている．また，粉体が絶縁物であっても，ガスが放電加速を担うので，成膜することが出来る． （もっと読む）

【課題】
近年における半導体製品の高集積化等に伴い、半導体加工装置用の部材には、より高い耐食性を有することが望まれている。本発明は、耐食性、特に耐ハロゲン腐食性に優れた皮膜を形成する耐食処理方法と、その処理が施された半導体加工装置用部材を提供することを目的とする。
【解決手段】
Mg薄膜もしくはMg−Al合金薄膜を表面に有する金属製基材またはMg合金製基材の表面を、弗素ガスまたは弗素化合物系ガス、水溶液状態もしくは溶融塩状態の弗素化合物のいずれかに接触させることによって、上記基材表面にMgＦ₂膜またはMgＦ₂を主成分とする防食膜を形成させる。この防食膜は、部材の表面を緻密かつ均等に覆うので、腐食性の強い弗素以外のハロゲン成分に対しても優れた耐食性を発揮して、環境の汚染源となる腐食生成物の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】作製コストを低減し、かつ、歩留りを向上させることが可能な多孔質構造体を提供する。
【解決手段】この多孔質構造体は、多孔質構造を有するとともに、表面近傍の領域２ａにアルミニウムの靭性を低下させることが可能な元素（酸素）が含有された酸化アルミニウム膜２を備えている。そして、酸化アルミニウム膜２の表面近傍の領域２ａの元素（酸素）の含有率は、酸化アルミニウム膜２の表面近傍の領域２ａ以外の領域の元素（酸素）の含有率よりも高い。 （もっと読む）