【課題】ＴＦＴ特性が良好であり、しかも面内均一性等も良好な薄膜電界効果型トランジスタを低コストで提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極、絶縁膜、活性層、ソース電極およびドレイン電極が形成され、活性層上にソース電極およびドレイン電極が設けられた薄膜電界効果型トランジスタの製造方法である。本発明の製造方法は、エッチング液として、りん酸、酢酸および硝酸を含む混酸水溶液を用いて、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程を有する。この活性層は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含むアモルファス酸化物半導体で構成されるものであり、かつＺｎ濃度が２０％未満であり、Ｉｎ濃度が４０％以上であり、Ｇａ濃度が３７％以上である。 （もっと読む）

【課題】制御された表面構造を有する金属基板と電気触媒被膜を含み、中間層のないガス発生用の電極の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は電解及び電気冶金の工業的分野におけるガス発生用の電極に関する。この電極はマクロ‐粗さ及びミクロ‐粗さの組合せにより特徴づけられる表面構造を有する金属基板から形成され、これにより表面の触媒層の粘着性が向上し、臨界運転状態下においても前記触媒層の分離と基板の不動態化が防止される。 （もっと読む）

【課題】インジウム系金属膜、アルミニウム−ランタニウム系合金膜及びチタニウム系金属膜からなる三重膜用エッチング液組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対して、過酸化水素１重量％〜１５重量％、無機酸０．１重量％〜１０重量％、含フッ素化合物０．０１重量％〜５重量％、及び水残部を含むことを特徴とする、 （もっと読む）

【課題】適切にマスクを清浄する方法を提供する。
【解決手段】マスクを清浄するための方法および装置が、説明される。一実施形態において、本発明は、マスクを清浄する方法である。その方法は、マスクを清浄溶液の中に配置することを含む。また、この方法は、予め定められた攪拌レベルで予め定められた時間だけ清浄溶液を攪拌することを含む。 （もっと読む）

【課題】 エッチング液の安定性を確保しエッチング工程上のマージンを保障して費用を節減することができるエッチング液組成物及びこれを利用したアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のエッチング液組成物は、過硫酸アンモニウム（（ＮＨ₄）₂Ｓ₂Ｏ₈；ammonium persulfate）０．１〜３０質量％、無機酸０．１〜１０質量％、酢酸塩０．１〜１０質量％、フッ素含有化合物０．０１〜５質量％、スルホン酸化合物０．０１〜５質量％、アゾール系化合物０．０１〜２質量％、及び総量が１００質量％となる量の水を含む。 （もっと読む）

本発明は、
Ａ）約０．０２５重量％〜約０．８重量％の活性酸素を提供する高濃度モノ過硫酸カリウム；
Ｂ）組成物の約０．０１重量％〜約３０重量％のＢ１）有機酸、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩、もしくは有機酸のホモポリマー、またはＢ２）ホスホニウム、テトラゾリウム、もしくはベンゾリウムのハロゲンもしくは硝酸塩、またはＢ３）成分Ｂ１）とＢ２）との混合物；および
Ｃ）組成物の約０重量％〜約９７．４９重量％の水
を含んでなるエッチャント組成物；ならびに前記組成物を使用する基材のエッチング方法を提供する。
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【課題】成膜中に塵や不純物ガスを発生しない部品を提供する。
【解決手段】枠体１１の処理面１４をサンドブラスト処理してから、該処理面１４をリン酸を含む処理液でエッチングすると、サンドブラスト処理の際に、処理面１４に付着した付着物は、処理面１４に露出するチタンが処理液に溶解することで除去され、清浄な付着面１５が得られる。付着面１５はアンカー効果を発現する程表面粗さが大きいから、成膜中に薄膜２１が剥がれない。また、枠体１１が加熱されても、リン酸を放出しないから、不純物が発生しない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多孔性チタンフォームまたは多孔性チタン合金フォームをエッチングするためのプロセスに関する。
【解決手段】清浄で乾燥したフォーム製品が、約０．５〜約５体積パーセントのＨＦおよび約５〜約２０体積パーセントのＨＮＯ_３を含む酸性水溶液中に、所望の表面粗さに達成するのに十分な時間、浸漬される。エッチングされたフォームを加熱して、残留するチタン酸塩を除去する。このエッチングプロセスは、フォームの表面での多孔度を増大させるが、エッチング剤は、フォームの内部に完全には浸透しないので、適切な機械的特性が維持される。このエッチングプロセスは、フォーム表面における摩擦係数も増大させる。このフォームは、連続気泡型整形外科または歯科インプラントを構成してもよく、あるいは、基材の表面上のコーティングを構成してもよい。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル配線板のような銅配線の下層にＮｉ−Ｃｒ合金の下地金属層を備えるような構成体のエッチング処理において、銅を含有する金属を溶解することなくＮｉ合金、Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｒ単体を選択的に溶解し、且つエッチング廃液の問題点を解決するエッチング液を提供する。
【解決手段】過マンガン酸塩と塩酸を含む酸性溶液からなり、銅合金又は銅単体を溶解することなく、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金或いはＣｒ単体を選択的に溶解するエッチング液で、０．０５〜１０重量％の過マンガン酸塩、０．００５〜２重量％の塩酸を含有する酸性溶液で、導電性の銅配線を備える配線板のエッチング工程で用いられるものである。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰのスループットを上昇させることや、メンテナンスコストの上昇を抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】層間絶縁膜にコンタクトホール３２を形成する工程と、キャップＳｉＯ_２膜１６にバリアメタル層２１およびタングステン層２２を堆積する工程と、バリアメタル層２１およびタングステン層２２の残膜値ＲＴが所定値以上となるように、タングステン層２２の上層部をウェットエッチングにより除去する工程と、キャップＳｉＯ_２膜１６の表面に残存するタングステン層２２をタングステンＣＭＰにより除去する工程とを備える。ＣＭＰに先立ってウェットエッチングを行うことにより、ＣＭＰでの必要研磨量を減少させることができる。 （もっと読む）