【課題】良好な多層膜構造体と、この多層膜構造体の効率的な製造方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】ＣＯ２、分散促進剤及びＮｉめっき液を混合分散部６０に供給してめっき分散体を生成する。このめっき分散体は、一対の電極が設けられためっき槽６１に供給される。めっき槽６１では、ＣＯ２を超臨界状態として、電極に電圧を印加して、電解めっきを行う。その後、ＣＯ２は供給したままで、分散促進剤とＮｉめっき液の供給が停止され、その代わりに洗浄液が供給されて、混合分散部６０及びめっき槽６１が洗浄される。次に、ＣＯ２は供給したままで、洗浄液の供給が停止され、この代わりに分散促進剤とＡｕめっき液が供給される。これにより混合分散部６０で生成されるめっき分散体を用いて、めっき槽６１においてめっきが行われて、Ｎｉ膜の上にＡｕ膜が積層した多層膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】被めっき物上の導電部以外の部位へのめっき成長を極力抑制することができ、かつ良好なはんだ濡れ性を確保することができるニッケルめっき浴を実現する。
【解決手段】ニッケルめっき浴が、硫酸ニッケル等の硫酸系ニッケル塩と塩化ニッケル等のハロゲン化合物とホウ酸等のｐＨ緩衝剤とを含有し、ｐＨが２．２〜５．５に調整され、かつニッケルイオンｘとハロゲンイオンｙとのモル濃度比ｘ／ｙが０．５＜ｘ／ｙ≦１．０とされている。このニッケルめっき浴を使用して製造された積層セラミックコンデンサは、外部電極６ａ、６ｂ上に優先的にニッケル皮膜７ａ、７ｂが析出し、セラミック素体１上へのめっき成長が極力抑制される。
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【課題】 電気メッキ工程でニッケル／非磁性層構造の多層金属テープを製造、既存の工程に比べて磁気ヒステリシス損失が極めて抑制され、二軸配向性に優れた低磁気ヒステリシス損失の二軸配向性多層金属テープ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、単結晶又はそれに近い配向性を有する負極と、高純度ニッケル板より構成された正極とよりなる電気メッキ浴槽で負極を回転させて、表面に二軸集合組織を有するニッケル金属層を形成させる段階と、前記負極の表面に形成されたニッケル金属層を水洗槽で洗浄する段階と、前記洗浄されたニッケル金属層を非磁性金属メッキ浴よりなるメッキ槽で負極を回転させて、その表面に非磁性金属層を形成させ、ニッケル／非磁性金属層を製造する段階と、前記ニッケル／非磁性金属層よりなる金属テープを剥離して巻き取る段階とで構成される。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウムまたはアルミニウム合金成形品の少なくとも一方の表面上に金属層を施すための、硫酸、およびニッケル、鉄およびコバルトからなる群から選択された金属イオンを含む前処理浴中でカソード活性化により該表面を前処理する工程、および該前処理された成形品に、電気めっきにより金属層を施す工程を含んでなり、該金属層が、ニッケル、鉄、コバルト、およびそれらの合金からなる群から選択される、方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 磁気ヘッドを構成する非磁性膜等を形成する方法として好適に利用することができるNiP非磁性めっき膜の製造方法およびこの方法を用いた磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 電解めっき法によりNiP非磁性めっき膜を製造する方法であって、ニッケルイオンの供給源となる試薬とリンイオンの供給源となる試薬と、カルボキシル基を有する試薬を含有するNiPめっき液を使用してめっきすることを特徴とする。 （もっと読む）

耐食性に優れた希土類磁石の製造方法およびそれに用いるめっき浴を提供する。希土類元素を含む磁石素体に、ニッケルを含む第１保護膜と、ニッケルおよび硫黄を含む第２保護膜とを順に積層する。第１保護膜は、ニッケル源と、導電性塩と、ｐＨ安定剤とを含み、ニッケル源の濃度がニッケル原子単位で０．３ｍｏｌ／ｌ〜０．７ｍｏｌ／ｌであり、導電率が８０ｍＳ／ｃｍ以上の第１めっき浴を用い、電気めっきにより形成する。これにより希土類リッチ相の溶出が抑制され、ピンホールの生成が低減される。よって、耐食性が向上する。
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【課題】フッ素樹脂基板、液晶ポリマー等の３００℃〜４００℃の高温加工プロセスを経て製造されるプリント配線板に適用出来る、高温加熱後の強度の劣化のないキャパシタ層形成材を提供する。
【解決手段】 上部電極形成に用いる第１導電層と下部電極形成に用いる第２導電層との間に誘電層を備えるプリント配線板のキャパシタ層形成材において、第２導電層に銅層の表面に異種金属層として硬質ニッケルメッキ層、コバルトメッキ層、ニッケル−コバルト合金メッキ層、２層のコバルトメッキ層／硬質ニッケルメッキ層、２層の鉄メッキ層／硬質ニッケルメッキ層、３層のコバルトメッキ層／硬質ニッケルメッキ層／コバルトメッキ層、３層の鉄メッキ層／硬質ニッケルメッキ層／コバルトメッキ層等を備える複合箔を採用する。 （もっと読む）

【課題】配線基板の電極と鉛フリーはんだの界面が応力により剥離するのを防止し、電気的接続を確実、強固に維持することが出来る長期信頼性に優れた配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】錫と銀の少なくとも２種の金属元素からなる、鉛を含まないはんだと接続されるための電極を有する配線基板の製造方法において、該電極は少なくとも（ａ）少なくともスルファミン酸ニッケル４水和物、塩化ニッケル６水和物、ホウ酸を含む水溶液をニッケルめっき液とし、液温４０〜５５℃にて、電解ニッケルめっきを行う工程、または、（ａ）少なくとも硫酸ニッケル６水和物、塩化ニッケル６水和物、ホウ酸を含む水溶液をニッケルめっき液とし、液温４０〜５５℃にて、７０ｍＡ／ｃｍ^２よりも大きいカソード電流密度で電解ニッケルめっきを行う工程、のいずれかと、（ｂ）電解金めっきを行う工程、
により形成されることを特徴とする配線基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ホウ酸を含まなくとも電子部品の電気特性を損なうことがなく、かつはんだ濡れ性の低下を招くことのないニッケルめっき浴を実現する。
【解決手段】ニッケルめっき浴が、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、及びスルファミン酸ニッケルの中から選択された少なくとも１種のニッケル化合物と、ホウ酸の代替物質としてグルコン酸等のオキシモノカルボン酸、リンゴ酸等のオキシジカルボン酸、グルコヘプトノラクトン等のラクトン化合物、及びこれらの塩の中から選択された少なくとも１種を含有し、水素イオン指数ｐＨが２〜７に調製されている。
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本発明によるサテンニッケル皮膜の析出のためのめっき浴は少なくとも１つの第４級アンモニウム化合物と少なくとも１つのポリエーテルを含み、少なくとも１つのポリエーテルは少なくとも１つの強疎水性側鎖を有する。先行技術のめっき浴と比較して、この酸めっき浴は、操業期間、または加熱および冷却サイクル、またはろ過サイクルを延ばすことができ、活性炭を用いずに浴を連続的に操業するのに必要なろ過を行なうことができ、サテン光沢仕上げを生成するのに先行技術の浴よりも低いニッケルの濃度しか必要とせず、投入されている湿潤剤に対する浴の鋭敏性を低減させることができる利点を有する。 （もっと読む）