【課題】基体上に良好な物理−機械的特性を有する、均一で光沢性の高い金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法を提供する。
【解決手段】以下の式を有する、メッキ浴添加剤の分解を防止する複素原子含有有機化合物をメッキ浴中に組み入れる：Ｒ１−Ｘ−Ｒ２（Ｘは、−Ｓ（Ｏ）ｎ−Ｓ（Ｏ）ｐ−Ｓ（Ｏ）ｑ−Ｓ（Ｏ）ｕ−Ｓ（Ｏ）ｖ−Ｓ（Ｏ）ｗ−、−（Ｓ（Ｏ）ｚ）ｍ−（ＣＨ２）ｙ−（Ｓ（Ｏ）ｚ’）ｍ’−、または−ＳＯ２−Ｓ−（ＣＨ２）ｙ−Ｓ−ＳＯ２−、ｎ，ｐ，ｑ，ｕ，ｖ，ｗ，ｚおよびｚ’はそれぞれ独立して０から２の整数、ｍおよびｍ’は独立して１から６の整数、ｙは２から４の整数である、またはＳ，Ｏ，Ｎから選択されたヘテロ原子、または（Ｃ１−Ｃ６）アルキルもしくはトシル基で置換されたＮであり、Ｒ１およびＲ２はそれらが結合している原子と一緒になって５から１８員の複素環を形成することができる）。 （もっと読む）

【課題】柔軟性を有するニッケルスタンプを提供する。
【解決手段】本発明の一実施例に係るニッケルめっき液は、６００〜６５０ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケルと、５〜６ｇ／Ｌの塩化ニッケルと、２５〜３５ｇ／Ｌのホウ酸と、を含む。このような本発明の一実施例に係るニッケルめっき液は、それ自体の応力が減少され、柔軟性を有するニッケルスタンプを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】均一電着性に優れ、ホウ素を用いることが無く、めっきコストも低廉なニッケルめっき浴を提供する
【解決手段】本発明のニッケルめっき浴は、ニッケルイオン源としての塩化ニッケル及び／又は硫酸ニッケルをニッケルイオン濃度換算で1ｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌ含み、クエン酸をクエン酸・一水和物換算で５０ｇ／Ｌ〜３００ｇ／Ｌ含み、ｐＨがアンモニアによって６．５〜１０に調節されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 特に、メッキ浴中にサッカリンナトリウムを加えなくメッキされた膜と、メッキ浴中にサッカリンナトリウムを加えてメッキされた膜とを積層することで、例えば、膜特性を劣化させることなく、自然酸化抑制機能を備えたＮｉを有するメッキ膜及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 下側メッキ膜１は、メッキ浴中にサッカリンナトリウムを加えることなくメッキ形成され、上側メッキ膜２は、メッキ浴中にサッカリンナトリウムを加えてメッキ形成されたものである。前記上側メッキ膜２中であって、膜表面２ａよりも下方の位置にＮｉＳ層４が存在する。これにより、膜特性を劣化させることなく、自然酸化抑制機能を備えた積層構造にできる。 （もっと読む）

【課題】改良されたレベリングおよび均一電解性を与える金属メッキ組成物および方法を提供する。
【解決手段】銅、錫、ニッケル、金、銀、パラジウム、白金、インジウム、これらの合金のイオン源、および下記式（Ｉ）を有する１以上の化合物を含む金属メッキ組成物を用いてメッキを行う。Ｈ−Ａ’ｐ−Ｑ−[Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）Ｚ−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ａ]ｕ−Ｈ（Ｉ）（式中、Ａ’は、−（ＮＨ−（ＣＨ２）ｘ’）ｙ’；−ＮＨ（ＣＨ２）ｘ’−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ’）ｗ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ’−；または−ＮＨ−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ’−Ｏ）ｗ’−Ｃ２Ｈ４−、Ａは、−（（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ）ｙ−；−（ＣＨ２）ｘ−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ）ｗ−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ−；または−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ−Ｏ）ｗ−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−、Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３、Ｑは、ｐ＝１のとき−ＮＨ−、またはｐ＝０のとき、−Ｏ−。） （もっと読む）

【課題】有機系錯化剤を使用せず、セラミックスやその保護コート層の浸食の少ない中性領域のｐＨを備え、従来通りの生産性が得られるニッケルめっき液、及び、そのニッケルめっき液を用いた電気ニッケルめっき方法を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、スルファミン酸ニッケルと、復極剤及び応力調整剤の各成分とを含み、アンモニアでｐＨ５．３〜ｐＨ６．４の中性領域に溶液ｐＨを調整したことを特徴とするニッケルめっき液を用いる。更に、当該ニッケルめっき液にｐＨ緩衝剤を含有させれば、中性領域にありながら、水酸化ニッケルの沈殿が生成しにくい、安定したニッケルめっき液となる。そして、従来と同様の設備と当該ニッケルめっき液を用い、めっき条件を従来同様の設定として、チップ部品等の被めっき物へニッケルめっきを施す。 （もっと読む）

【課題】電気特性の低下を十分に抑制できるセラミックス電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＭｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属原子の酸化物を含むセラミックス電子部品素体の表面に導電層を形成する工程、導電層上に、めっき液を用いて、ニッケルめっき層５を形成する工程を経てセラミック電子部品１００を製造するセラミック電子部品の製造方法であって、めっき液が、ニッケル塩と、ニッケルイオンと錯体を形成するアミン化合物とを含み、ｐＨが６〜１２であるセラミックス電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】陰極電解処理によるニッケルヤケメッキの電流密度をさげて容易に電解処理ができ、リセックタブルフューズ材料として好適な金属箔の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】金属箔の少なくとも一方の面に、陰極電解ニッケルメッキ処理を施してニッケル平滑メッキ層を設け、該ニッケル平滑メッキ層の面にニッケル粗化処理を施して微細ニッケル粒子層を設けることを特徴とする金属箔の表面処理方法である。
前記ニッケル粗化処理は、硫酸浴にニッケル化合物が溶解され、更に添加金属として微量の銅、クロム、鉄の少なくとも一種類が添加されている電解浴で電解処理することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】伸び率が８％以上と高いニッケル電気めっき膜およびその製法を提供する。
【解決手段】めっき浴における硫酸ニッケル（六水和物）と塩化ニッケル（六水和物）との混合比〔硫酸ニッケル（六水和物）／塩化ニッケル（六水和物）〕をｇ／Ｌ基準で２５０／５０〜１９０／１１０の範囲内に設定することにより、形成されるニッケル電気めっき膜を、ビッカース硬さが２１０以下、平均結晶粒径が２．５μｍ以上、Ｘ線回折により求められる（１１１）面１のピーク強度〔Ａ〕と（２００）面２のピーク強度〔Ｂ〕の比〔Ａ／Ｂ〕が３以上、伸び率が８％以上のニッケル電気めっき膜にする。 （もっと読む）

【課題】熱処理法や加熱法を用いないで、めっき膜を強化することのできる複合めっき技術を提供することを課題とする。
【解決手段】めっき液を（水＋硫酸ニッケル＋塩化ニッケル＋ほう酸＋光沢剤＋界面活性剤＋カーボンナノファイバ＋ＳｉＣ微粒子）とした。
【効果】硬質微粒子を添加したことにより、所望の機械的性質を得ることができる。硬質微粒子を添加することでカーボンナノファイバの添加量を大幅に減少させることができる。カーボンナノファイバの添加量が少なければ、めっき膜の平滑性を維持することができる。 （もっと読む）