【課題】半導体の誘電性欠陥においてバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】導電母線および集電ラインのための導電パターンと、半導体の前面上の導電パターンの間のスペースを覆う誘電層とを有し、当該誘電層が１以上の欠陥を含有する半導体において、少なくとも誘電層を１種以上の酸化剤と接触させ、並びに、導電パターン上に金属層を選択的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】基体上に良好な物理−機械的特性を有する均一で光沢性の高い金属層を提供する。
【解決手段】以下の式を有する添加剤消費抑制有機化合物をめっき液に添加する：


式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は独立して、水素；ハロゲン；（Ｃ１−Ｃ２０）直鎖、分枝、または環状アルキル；（Ｃ２−Ｃ２０）直鎖、分枝、または環状アルケニル；（Ｃ２−Ｃ２０）直鎖、または分枝アルキニル；−ＣＮ；ＳＣＮ；−Ｃ＝ＮＳ；−ＳＨ；−ＮＯ２；ＳＯ２Ｈ；−ＳＯ３Ｍ；−ＰＯ３Ｍ；（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルフェニル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，−フェニル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，式中ｘは１から５００の整数であり、Ｒ６は水素、（Ｃ１−Ｃ４）アルキルまたはフェニルである。 （もっと読む）

【課題】基体上に良好な物理−機械的特性を有する、均一で光沢性の高い金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法を提供する。
【解決手段】以下の式を有する、メッキ浴添加剤の分解を防止する複素原子含有有機化合物をメッキ浴中に組み入れる：Ｒ１−Ｘ−Ｒ２（Ｘは、−Ｓ（Ｏ）ｎ−Ｓ（Ｏ）ｐ−Ｓ（Ｏ）ｑ−Ｓ（Ｏ）ｕ−Ｓ（Ｏ）ｖ−Ｓ（Ｏ）ｗ−、−（Ｓ（Ｏ）ｚ）ｍ−（ＣＨ２）ｙ−（Ｓ（Ｏ）ｚ’）ｍ’−、または−ＳＯ２−Ｓ−（ＣＨ２）ｙ−Ｓ−ＳＯ２−、ｎ，ｐ，ｑ，ｕ，ｖ，ｗ，ｚおよびｚ’はそれぞれ独立して０から２の整数、ｍおよびｍ’は独立して１から６の整数、ｙは２から４の整数である、またはＳ，Ｏ，Ｎから選択されたヘテロ原子、または（Ｃ１−Ｃ６）アルキルもしくはトシル基で置換されたＮであり、Ｒ１およびＲ２はそれらが結合している原子と一緒になって５から１８員の複素環を形成することができる）。 （もっと読む）

【課題】難めっき素材と銀めっき皮膜の間にニッケル層という余計な層を介すことなく、ハロゲン化物を含有しないめっき浴を用いて難めっき素材上に直接、密着が十分である銀めっき皮膜を良好な作業環境のもとで得ることのできる銀めっき方法を提供する。
【解決手段】酸化皮膜を形成し易く、その酸化物皮膜がめっき皮膜の密着性を阻害するような素地に対して銀めっき皮膜を施す方法であって、少なくとも（Ａ）脱脂処理を行う工程、（Ｂ）強酸性の溶液で酸化皮膜を除去する工程に引き続き、ニッケル又はニッケル合金のストライクめっきを施す工程を経ることなく、（Ｂ）に引き続いて、（Ｃ）実質的にハロゲン化物イオンもシアンイオンも含まず、ホスフィン類を含む酸性の銀めっき浴を用いて銀めっきを行う工程、を含むことを特徴とする銀めっき方法。 （もっと読む）

【課題】改良されたレベリングおよび均一電解性を与える金属メッキ組成物および方法を提供する。
【解決手段】銅、錫、ニッケル、金、銀、パラジウム、白金、インジウム、これらの合金のイオン源、および下記式（Ｉ）を有する１以上の化合物を含む金属メッキ組成物を用いてメッキを行う。Ｈ−Ａ’ｐ−Ｑ−[Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）Ｚ−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ａ]ｕ−Ｈ（Ｉ）（式中、Ａ’は、−（ＮＨ−（ＣＨ２）ｘ’）ｙ’；−ＮＨ（ＣＨ２）ｘ’−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ’）ｗ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ’−；または−ＮＨ−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ’−Ｏ）ｗ’−Ｃ２Ｈ４−、Ａは、−（（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ）ｙ−；−（ＣＨ２）ｘ−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ）ｗ−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ−；または−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ−Ｏ）ｗ−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−、Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３、Ｑは、ｐ＝１のとき−ＮＨ−、またはｐ＝０のとき、−Ｏ−。） （もっと読む）

【課題】従来公知の銀−炭素粒子複合めっき製造技術を用いて製造する場合よりも高い生産効率で、耐摩耗性の高い複合めっき皮膜を備えた複合めっき材を製造することを可能にする。
【解決手段】複合めっき材を製造する際に、酸化処理を行った塊状の炭素粒子と、銀マトリクス配向調整剤を添加した銀めっき液を使用して、銀層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を被めっき材上に形成する。また、前記銀マトリクス配向調整剤がセレンイオンを含むようにする。特に、前記銀マトリクス配向調整剤としてセレノシアン酸カリウムを用いる。また、前記銀マトリクス配向調整剤の濃度がセレンに換算して５〜２０ｍｇ／Ｌに設定する。 （もっと読む）

【課題】めっき皮膜中の炭素粒子の含有量が多く、優れた耐摩耗性の複合めっき材を提供する。
【解決手段】酸化処理を行った後にシランカップリング処理を施した炭素粒子を有機溶媒中に分散させた電気泳動浴に、素材を浸漬して電気泳動を行うことにより、素材上に炭素粒子の堆積層を形成した後、この炭素粒子の堆積層を形成した素材を銀めっき液に浸漬して電気めっきを行うことにより、炭素粒子の堆積層を覆うように銀めっき層を形成する。このように銀めっき層を形成すると、炭素粒子間に銀が入り込んで、銀層中に炭素粒子を含む複合材からなる複合めっき皮膜が素材上に形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は基板に銀あるいは銀合金層を堆積するためのシアン化物を使用しない電解質組成と前記シアン化物を使用しない電解質組成の助けでこのような層を堆積する方法に関する。本発明に従う電解質組成は少なくとも１つの銀イオン源、スルホン酸および／あるいはスルホン酸の誘導体、湿潤剤およびヒダントインからなる。このような電解質組成から本発明に従う方法の手段によって堆積される銀あるいは銀合金層は曇っていてそして延性がある。 （もっと読む）

【課題】感光性デバイス上の電気的接触部をめっきする方法、太陽電池上の電気的接触部をめっきする方法を提供する。
【解決手段】太陽電池などの、半導体ウェーハ１０の裏面１１は例えば銀などで金属化し、前面１２はバスバー１４および電流収集線１５からなる金属パターンを銀含有伝導性ペースト上に堆積された銀の層から構成する。金属パターンは前面とオーム性接触をしている。ウェーハ前面は、例えば窒化ケイ素または他の誘電体材料をはじめとする反射防止コーティングでコーティングし、半導体ウェーハを入射光に付させながら、シアン化物非含有めっき浴を用いて、金属層、特に銀層が焼成伝導性ペースト上に堆積される。ウェーハ裏面は電源からめっきセルに電位を適用することによって、ウェーハ前面と裏面に同時に行われる。 （もっと読む）

【課題】非シアンの酸性のめっき浴を用いて、パターンめっきにおけるレジストの溶解がなくかつ密着性の良好な銀めっきを施す方法を提供する。
【解決手段】非シアンの酸性の銀めっき浴（Ａ）を用いて銀めっきを行う銀めっき方法において、当該の銀めっき工程に先立って、非シアンの酸性のストライク浴（Ｂ）を用いてストライクめっきする工程を含む銀めっき方法。 （もっと読む）