【課題】鉛フリーのめっき材料を採用しながら、めっき層１６にウィスカが発生するのを抑制でき、かつはんだ付け性も良好なるめっき部材を得る。
【解決手段】基材１５の表面に鉛フリーの材料（Ｓｎ−Ｃｕ合金等）からなるめっき層１６を有するめっき部材において、前記めっき層１６は２層以上の層構造（ａ１〜ａ３）とされており、各層を形成するめっき粒子（Ｐ１〜Ｐ３）の平均粒径は各層ごとに異なっており、かつ単位体積２０を最大平均粒径のめっき粒子Ｐ３で充填したと仮定したときの単位体積に対するめっき粒子が占める割合をめっき粒子体積率１００％と定義したときに、前記めっき層１６のめっき粒子体積率を８０〜９０％とする。 （もっと読む）

【課題】深さの異なるビアに銅めっきを充填する際、浅いビアがほぼ充填した段階で表面に付着した光沢剤を薬品あるいはプラズマで除去し、再度、前処理および、めっきを行なうことにより、複雑な工程を行なうことなく、浅いビアと深いビアをフラットに埋めるめっき方法。高密度の回路を形成するには深さの異なるビアを配置し、かつ、両方の深さのビアをフラットに充填する必要がある。しかしながら、従来技術では、深い部分だけ別にめっきをする必要があったが、工程的に複雑となり、生産性、コスト、品質に悪影響を及ぼす。
【解決手段】ビアフィルめっき液の特性、表面のめっき析出を抑え、ビア内の析出を促進するという特性を利用し、浅いビアが埋まった時点で光沢剤効果をリセットすることにより、複雑な工程を追加することなく、深さの異なるビアをフラットに充填する。 （もっと読む）

【課題】深さの異なるビアに銅めっきを充填する際、浅いビアの開口面積を深いビアの開口面積より広くし、複雑な工程を行なうことなく、浅いビアと深いビアをフラットに埋めるめっき方法。高密度の回路を形成するには深さの異なるビアを配置し、かつ、両方の深さのビアをフラットに充填する必要がある。しかしながら、従来技術では、深い部分だけ別にめっきをする必要があったが、工程的に複雑となり、生産性、コスト、品質に悪影響を及ぼす。
【解決手段】ビアの単独の開口面積を浅いビアを深いビアより広く設計することにより、深さの異なるビアをフラットに充填する。さらに、必要に応じ、深いビアの開口面積を開口側をビア底側より広く、また、接続面積を要する部分は、深いビアについては、狭い面積のビアを並列に配置することにより対応する。 （もっと読む）

【課題】電解銅めっき法（例えば、サブトラクティブ法（パネルめっき法））では不可能であった高アスペクト比の微細パターンを形成可能とする電解銅めっき方法を提供する。
【解決手段】プリント基板５−１’のスルホール用の穴２２−１〜２２−３と対応させた位置に穴２１−１〜２１−３をあけた遮蔽板９’を使用して電解めっきを行い、プリント基板表面５−１’には電解めっきの電流が流れないようにする。特に高アスペクト比となる多層プリント基板でこのめっき方法が有効である。 （もっと読む）

【課題】錫または錫合金からなる錫めっき層を含むめっき皮膜において、ウィスカの発生及び成長を極力抑制することができるようにする方法の提供。
【解決手段】Ｓｎ（錫）またはＳｎ合金からなるＳｎめっき層２を形成し、Ｓｎめっき層２の表面にＳｎより高い融点の金属からなる中間層３を形成し、中間層３の表面に、めっき皮膜の最表面に配置され、Ｓｎめっき層２よりも膜厚の小さいＳｎまたはＳｎ合金からなるＳｎめっき層４を形成する。めっき皮膜の最表面に配置されるＳｎめっき層４は薄膜化されるため、ウィスカの発生が抑制され、中間層３はＳｎめっき層２からのＳｎめっき層４へのＳｎ原子の供給を断つのでウィスカの成長を抑制する。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子部品等の端子材料等のフープめっきに係るものであり、特にめっき厚の異なる部位を同一フープ内に形成する差厚めっきの製造方法および製造装置に係るものであり、接触の信頼性と防錆等異なっためっき厚の要求に対応した低コストの差厚めっき方法とその製造装置を提供するものである。
【解決手段】本発明のめっきの製造方法は、陽電極１２と、これに対向して配置された陰電極となるフープ状薄板２０と、第１、第２の露出部２０ａ，２０ｂを残して覆うように形成したマスク２１、各露出部２０ａ，２０ｂに対応する開口２２ａを有するスパージャー２２とからなり、前記露出部２０ａ，２０ｂに当接するめっき液１０ａの流量を制御してめっき厚の異なる部位を容易に形成するものである。 （もっと読む）

【課題】 レジスト膜によるマスクなしに、形状の制御された高密度の配線を有する配線板を製造する。
【解決手段】 絶縁基板上に銅配線を有する配線板の製造方法において、絶縁基板上の配線やバンプを形成する部分に凹凸形状を有する下地金属膜を形成する工程と、電気めっきによって下地金属膜の凹凸を有する部分に銅または銅合金のめっき膜を形成する工程とを含み、めっき液中にめっき反応を抑制する物質を加えることで、前記絶縁基板の表面とめっき膜側面との角度を９０度以下とする。 （もっと読む）

第１および第２の陽極を浴内に入れた電気めっき溶液の浴を有する電気めっきシステムを提供することによって、ディスクドライブサスペンション構成要素の両側における露出した導体領域を同時に電気めっきするための方法。サスペンション構成要素は、電気めっき溶液の浴中で第１および第２の陽極間に位置決めされる。第１の電気めっき電流が、第１の陽極と構成要素の第１の表面における露出した導体領域との間に生成される。第２の電気めっき電流が、第２の陽極と第２の表面における露出した導体領域との間に生成される。それによって、導電性材料の層が、構成要素の両側における露出した導体領域にめっきされる。時間および大きさなどの、第１および第２のめっき電流のパラメータを制御することによって、導体の対向する側面に、同じかまたは異なる厚みに導電性材料の層をめっきすることができる。
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【課題】 摩擦係数が低く（低挿入力）、高温・腐食・振動環境下においても接触抵抗を低く維持できる嵌合型端子用導電材料を得る。
【解決手段】 Ｃｕ板条からなる母材の表面に、Ｃｕ含有量が２０〜７０ａｔ％で平均の厚さが０．２〜３．０μｍのＣｕ−Ｓｎ合金被覆層と平均の厚さが０．２〜５．０μｍのＳｎ被覆層がこの順に形成された導電材料。その材料表面はリフロー処理されていて、少なくとも一方向における算術平均粗さＲａが０．１５μｍ以上で、全ての方向における算術平均粗さＲａが３．０μｍ以下であり、前記Ｓｎ被覆層の表面に前記Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層の一部が露出し、その材料表面露出面積率が３〜７５％である。この導電材料は、粗面化した母材表面に、必要に応じてＮｉめっき層、さらにＣｕめっき層及びＳｎめっき層を形成した後、リフロー処理を行うことにより製造する。 （もっと読む）

【課題】半田上りを防止するために必要なバリア領域を、容易、且つ低コストで、さらに確実に形成できるメッキコンタクト及びそのメッキ方法を提供する。
【解決手段】一端側に端子部が形成され、他端側に接触部が形成される本体の外表面にニッケル系下地メッキ１１を施す。つぎに、この下地メッキ１１に前記一端側から、その終端１２ａに至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面１２ｂとされる金系メッキ１２を施す。つぎに、この下地メッキ１１上に前記他端側から、前記金系メッキより厚肉であって、その終端１３ａに至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面１３ｂとされる錫系メッキ１３を施す。この際、前記金系メッキ１２の終端１２ｂに至る傾斜面１２ｂに前記錫系メッキ１３の終端１３ｂに至る傾斜面１３ｂが乗り上げる乗り上げ部１６が形成される。そして、前記乗り上げ部１６を含む前記錫系メッキ１３の終端１３ａに至る傾斜面１３ｂに露出状態となった、前記ニッケル系メッキ１１との合金層１５を形成する。 （もっと読む）