メッキコンタクト及びコンタクトのメッキ方法
【課題】半田上りを防止するために必要なバリア領域を、容易、且つ低コストで、さらに確実に形成できるメッキコンタクト及びそのメッキ方法を提供する。
【解決手段】一端側に端子部が形成され、他端側に接触部が形成される本体の外表面にニッケル系下地メッキ１１を施す。つぎに、この下地メッキ１１に前記一端側から、その終端１２ａに至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面１２ｂとされる金系メッキ１２を施す。つぎに、この下地メッキ１１上に前記他端側から、前記金系メッキより厚肉であって、その終端１３ａに至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面１３ｂとされる錫系メッキ１３を施す。この際、前記金系メッキ１２の終端１２ｂに至る傾斜面１２ｂに前記錫系メッキ１３の終端１３ｂに至る傾斜面１３ｂが乗り上げる乗り上げ部１６が形成される。そして、前記乗り上げ部１６を含む前記錫系メッキ１３の終端１３ａに至る傾斜面１３ｂに露出状態となった、前記ニッケル系メッキ１１との合金層１５を形成する。
【解決手段】一端側に端子部が形成され、他端側に接触部が形成される本体の外表面にニッケル系下地メッキ１１を施す。つぎに、この下地メッキ１１に前記一端側から、その終端１２ａに至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面１２ｂとされる金系メッキ１２を施す。つぎに、この下地メッキ１１上に前記他端側から、前記金系メッキより厚肉であって、その終端１３ａに至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面１３ｂとされる錫系メッキ１３を施す。この際、前記金系メッキ１２の終端１２ｂに至る傾斜面１２ｂに前記錫系メッキ１３の終端１３ｂに至る傾斜面１３ｂが乗り上げる乗り上げ部１６が形成される。そして、前記乗り上げ部１６を含む前記錫系メッキ１３の終端１３ａに至る傾斜面１３ｂに露出状態となった、前記ニッケル系メッキ１１との合金層１５を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品であるコネクタなどの各種端子に用いられるコンタクトであって、詳しくは金や錫などのメッキ処理が施されたメッキコンタクト、及び、コンタクトのメッキ方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンタクトは、主として相手側コネクタ及びプリント配線基盤における相互間の接続に供されるコネクタ内に嵌装され、一端側には相手側コネクタと電気的接触するための端子部を、他端側にはプリント配線基盤へ半田付けにより実装接続されるための接触部を有するものとなっている。
【０００３】
前記コンタクトには、銅合金等からなるコンタクト素材の全面に亘り下地メッキとしてニッケル或いはニッケル合金メッキ（単に「ニッケル系メッキ」という）が施されており、前記端子部には、端子部における接触電気特性を向上させるため、例えば金や金合金などの接点用メッキ（単に「金系メッキ」という）が施されている。
一方、前記接触部には、接触部での半田に対する親和性を向上させるために、例えば錫や錫合金などの半田メッキ（単に「錫系メッキ」という）が施されている。
【０００４】
このような２種類のメッキが施されたコンタクトにおいて、実装時、前記接触部の溶融半田が前記端子部側へ這い上り、又は吸い上る、所謂「半田上り」が発生する。
従って、前記接触部上の溶融半田が前記端子部側に達し、つまり半田上りが発生し、前記端子部の金メッキ上に半田が付着することによって、端子部における接点電気特性が極端に劣化する。これを阻止するために、接触部と端子部との間の連設部にバリア領域を形成する必要がある。
【０００５】
従来、この種のコンタクトにおける周知技術として、例えば、連設部に半田濡れ性の低い、極薄い錫とニッケルとの合金層（単に「極薄合金層」という）をマスキングベルトを用いて設けることにより、これをバリア領域としたコンタクト（特許文献１参照）が挙げられる。
【０００６】
特許文献１は半田上りを防止する目的で連設部にバリア領域を有するコンタクトの一例を示しており、この連設部において錫系メッキに隣接した極薄合金層を有し、これをバリア領域としていることを特徴としている。
前記例では、メッキ製造方法として、マスキングベルトを利用したメッキ法、所謂「ドラム法」を採用している。しかし、この製造方法では、金系メッキ製造時にマスキング部から金系メッキ液が浸入することで、連設部で極薄い「金にじみ」が生じ、そのままでは半田上りを助勢する。
【０００７】
ここで、前記極薄合金層は、ニッケル系メッキ層上にメッキされた極薄い錫系メッキ層に対してリフロー処理をすることにより形成される。例え、リフロー処理以前に、極薄い錫メッキ層上に金にじみが達し、極薄い金メッキ層が形成された場合でも、リフロー処理と同時に極薄い金メッキ層は極薄い錫メッキ層中に溶解し、さらに半田に対して濡れ性が極端に劣化した極薄合金層がその表面に至るまで形成され、これがバリア領域として機能する。
【特許文献１】特開２００３−３４２７８２号広報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記特許文献１の構成において、極薄合金層の形成過程により極薄錫系メッキ層上の金にじみ問題を解消し、バリア領域を形成するという工程は、少なくとも金にじみが極薄合金層上に残るなどの不確実な要素を含んでいる。
また、前記工程は、極薄錫系メッキ層を形成するために利用される、高度な技術を要するマスキングベルトなどの装置の維持及び管理などを必要とし、メッキ製造工程が複雑、且つ高コストである。
【０００９】
従って、本発明は、金系メッキや錫系メッキなどのメッキ処理が施されたコンタクトにおいて、半田上りを防止するために必要なバリア領域を、容易、且つ低コストで、さらに確実に形成できるメッキコンタクト、及びこのコンタクトのメッキ方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、第１の発明は、一端側に端子部が形成され、他端側に接触部が形成されるコンタクトであって、
このコンタクトの外表面に施されるニッケル系下地メッキと、
この下地メッキ上に前記一端側から施され、その終端に至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面とされる金系メッキと、
この下地メッキ上に前記他端側から施され、前記金系メッキより厚肉であって、その終端に至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面とされる錫系メッキと、
前記金系メッキの終端に至る傾斜面に前記錫系メッキの終端に至る傾斜面が乗り上げて形成される乗り上げ部と、
前記乗り上げ部を含む前記錫系メッキの終端に至る傾斜面に露出状態で形成される、前記ニッケル系メッキとの合金層と、を備えなることを特徴としている。
【００１１】
これにより、前記金系メッキの終端に至る傾斜面に前記錫系メッキの終端に至る傾斜面が乗り上げていることにより、リフロー処理時に形成される前記合金層が前記錫系メッキの表面に至るまで確実に形成され、前記金系メッキにその表面が覆われることがない。従って、溶融半田に対して低い濡れ性を有した前記合金層が前記錫系メッキの終端に至る傾斜面に、その表面に至るまで十分に形成されることにより、半田上りを確実に阻止することができる。
【００１２】
第２の発明は、第１発明記載のメッキコンタクトであって、前記金系メッキの厚みは、０．０３〜０．１μであり、前記錫系メッキの厚みは１〜４μであることを特徴としている。
【００１３】
これにより、前記金系メッキの厚みを前記錫系メッキの厚みの１００〜１０分の１とすることで、リフロー処理の際、前記乗り上げ部における前記合金層の形成に対して、前記金系メッキが影響を及ぼさないようにする。
【００１４】
第３の発明は、第２発明記載のメッキコンタクトであって、前記錫系メッキの終端における前記金系メッキの厚みは、０．０４μ以下であることを特徴としている。
【００１５】
これにより、前記錫系メッキの終端における前記金系メッキの厚みを０．０４μ以下とすることで、溶融半田に対して低い濡れ性を有した前記合金層が前記錫系メッキの終端に至る傾斜面に、より十分に形成されることで、半田上りをさらに確実に阻止することができる。
【００１６】
第４の発明は、第１発明又は第２発明記載のメッキコンタクトであって、前記端子部は、一対の端子片を対向させて形成され、前記境界部は、前記端子片の根元に形成されることを特徴としている。
【００１７】
これにより、前記バリア領域を要する境界を最小限とすることで、より確実に接触部からの端子部への半田上りを阻止することができる。
【００１８】
第５の発明は、一端に端子部が形成され、他端側に接触部が形成されるコンタクト本体の多数を、前記接触部側の端で保持部に連設したコンタクト列によるメッキ方法であって、
このコンタクト列の全体をニッケル系メッキ槽に漬けて、コンタクト列の全体にニッケル系下地メッキを施す工程と、
前記コンタクト列を前記端子側から金系メッキ槽に漬けて、この下地メッキ上に前記一端側から前記接触部に至るまでの途中までに金系メッキを施し、その終端に至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面を形成する工程と、
前記コンタクト列を前記保持部の側から錫系メッキ槽に漬けて、この下地メッキ上に前記金系メッキに至るまでの錫系メッキを施し、その終端に至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面を形成すると共に、前記金系メッキの終端の傾斜面に前記錫系メッキの終端の傾斜面が乗り上げて乗り上げ部を形成する工程と、
リフロー処理して、前記錫系メッキの終端の傾斜面に露出する、前記錫系メッキと前記ニッケル系メッキとの合金層を形成する工程と、を備えることを特徴としている。
【００１９】
これにより、前記金系メッキの終端に至る傾斜面に前記錫系メッキの終端に至る傾斜面が乗り上げるという構成が、簡単且つ確実に形成される。従って、溶融半田に対して低い濡れ性を有した前記合金層が、前記金系メッキにその表面を覆われることなく、前記錫系メッキの終端に至る傾斜面に、その表面に至るまで十分に形成されることにより、半田上りを確実に阻止することができる。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明のメッキコンタクト、及びコンタクトのメッキ方法は、金系メッキや錫系メッキなどのメッキ処理が施されたコンタクトにおいて、金系メッキ層の終端に乗り上げるように錫系メッキ層を形成することで、下地のニッケル系メッキ層と錫系メッキ層との合金層を、錫系メッキ層の表面に至るまで確実に露出した状態で形成する構成とされるので、メッキ時にメッキ槽の液面を管理するだけで、容易、且つ低コストに、さらに確実にバリア領域を形成することができる。また、本発明は、前メッキ或いは後メッキのいずれにおいても有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照しつつ、本発明に係るメッキコンタクト及びそのメッキ方法の実施形態例について説明する。
【００２２】
まず、メッキコンタクトの構成を、図１乃至図３に基づいて説明する。
図１において、メッキコンタクト１は、所定形状の本体２の外周に所定のメッキを施して形成される。
本体２は、黄銅、りん青銅のような銅合金からなる金属板をプレス成形加工して所定形状に加工される。メッキが施された本体２は、一端側から延在し、電気的な接続を達成する端子部３と、他端側に位置し、基板に半田付けされる接触部４と、端子部３と接触部４との間の連設部５からなる。
端子部３は、可動の端子片３ａと固定の端子片３ｂとからなる一対の端子片３ａ、３ｂを対向させたコの字状となっている。接触部４は、基板に半田付けし易いようにＬ字形状になっている。
この端子部３の一端側から金系メッキ層１２が形成され、この接触部４の他端側から錫系メッキ層１３が形成される。これら金系メッキ１２と錫系メッキ１３との境界部１４は、前記端子片３ａ，３ｂの根元部に形成される。
【００２３】
本体２に対するメッキの構成を、図１のＡ−Ａ線断面図である図２、及び図２の部分拡大図である図３により更に説明する。まず、本体２の外周に、ニッケル系下地メッキ層１１が形成される。ニッケル系メッキとは、ニッケル又はニッケル合金によるメッキのことである。ニッケル系下地メッキ層１１は、通常１〜２μの厚みを有する。
本体２の端子部側（一端側）から、ニッケル系下地メッキ層１１の上に金系メッキ層１２が形成される。金系メッキとは、金又は金合金によるメッキのことである。この金系メッキ層１２は、０．０３〜０．１μの厚みを有する。
本体２の接触部側（他端側）から、ニッケル系下地メッキ層１１の上に錫系メッキ層１３が形成される。錫系メッキ層１３とは、錫又は錫合金によるメッキのことである。この錫系メッキ層１３は、１〜４μの厚みを有し、前記金系メッキ層１２の１０〜１００倍の厚みとなっている。そして、この錫系メッキ層１３の内側は、錫とニッケルとの合金層１５が形成されている。この合金層１５は、３５０℃以上の高温によるリフロー処理により、ニッケル系メッキと錫系メッキとの熱拡散によって形成される。
【００２４】
図３により、この金系メッキ層１２と錫系メッキ層１３との境界部１４近傍を更に説明する。金系メッキ層１２の端は、その終端１２ａに至るまで徐々に厚みが薄くなる傾斜面１２ｂとなっている。錫系メッキ層１３の端も、その終端１３ａに至るまで徐々に厚みが薄くなる傾斜面１３ｂとなっている。錫系メッキ層１３の終端１３ａが、金系メッキ層１２の傾斜面１２ｂに乗り上げることで、乗り上げ部１６が形成される。この乗り上げ部１６の高さは、好ましくは０．０４μ以下である。そして、錫系メッキ層１３の終端１３ａには、谷状のくぼみが形成されることが好ましい。
錫系メッキ層１３の終端１３ａに至る傾斜面１３ｂ及び乗り上げ部１６には、ニッケルと錫との合金層１５が露出状態で形成される。なお、この傾斜面１３ｂ以外の錫系メッキ層１３の表層は、錫系金属が露出したままである。
【００２５】
錫系メッキ層１３の錫系金属は、溶融半田材に対して濡れ性がある。また、金系メッキ１２の金系金属も、溶融半田材に対して濡れ性がある。ただ、合金層１５を形成するニッケルと錫との合金は、溶融半田材に対して濡れ性がなく、溶融半田の上りを阻止する作用がある。そのため、図４に示すように、基板に半田付けされる際の溶融半田１７の吸い上り現象、すなわち半田上りは、境界部１４近傍、或いは接触部４側であって境界部１４の手前で止まることとなる。
【００２６】
このようなメッキコンタクト１は、図５に示されるように、プリント基板用のコネクタ３１に好適に用いられる。コネクタ３１、ハウジング３２内に多数のメッキコンタクト１を嵌入固定し、ハウジング３２内にスライドハウジング３３をスライド可能に取り付けた構造である。このコネクタ３１は、プリント基板３５の上に設置され、メッキコンタクト１の接触部４において基板に半田付けされる。フラットケーブル３６がハウジング３２内に差し込まれ、スライドハウジング３３を押し込むことにより、フラットケーブル３６が、メッキコンタクト１の端子部３の端子片３ａに電気的に接続される。このとき、メッキコンタクト１に接触部４からの半田上りがあったとしても、境界部１４近傍、或いは接触部４側であって境界部１４の手前で半田上りが止まる為、端子部３の接触電気特性を劣化させる半田が付着することがない。
【００２７】
上述した構成のメッキコンタクト１によると、金系メッキ１２の厚みが０．０３〜０．１μと薄く形成され、しかも終端１２ａに至る傾斜面１２ｂを有するため、錫系メッキ１３の終端１３ａが乗り上げる部分の金系メッキの厚みを薄くすることができる。
また、錫系メッキ１３の厚みが１〜４μと、金系メッキ１２の１０〜１００倍の厚みに形成されるため、錫系メッキ１３の終端１３ａに至る傾斜面１３ｂは広い範囲で形成される。そのため、錫系メッキ１３とニッケル系下地メッキ１１との合金層１５も広い範囲にわたって形成される。
また、錫系メッキ１３の乗り上げ部１６の下の金系メッキ１２は薄く僅かであるため、乗り上げ部１６に至る合金層１５の形成に対して前記金系メッキ１２が邪魔することが少ない。
【００２８】
このように、半田上りに対するバリアとなる合金層１５が、金系メッキ１２が存在するにもかかわらず、広い範囲で形成されるため、半田上りに対するバリア機能が有効に作用する。
【００２９】
次に、上述したメッキコンタクトのメッキ方法を図６により説明する。
（コンタクト列のプレス成形）
まず、黄銅、りん青銅のような銅合金からなる金属板をプレス成形加工することにより、図１で示される本体２の多数が、その接触部４の側の端で保持部２１に連結されたコンタク列２２に加工される。
多数連結された本体２の各々は、一端側の端子部３と、他端側の接触部４とを有する。
この本体２は、前記接触部４側の端に設けられた保持部２１において多数連なっており、従って一度に多数の本体２を同じ条件でメッキ処理できることから、その生産性が高くなっている。
【００３０】
（ニッケル系下地メッキ工程）
次に、このコンタクト列２２の全体をニッケル系メッキ槽に漬けることで、コンタクト列２２すなわち本体２の外周に亘ってニッケル系下地メッキ層の厚みが１〜２μとなるように、ニッケル系下地メッキ１１を施す。
【００３１】
（金系メッキ工程）
次に、図６のａ方向から、コンタクト列２２を前記端子部３の側から金メッキ槽に漬けることで、ニッケル系メッキ層１１の上に、前記一端側から前記接触部４に至るまでの途中までであって、前記端子部３の端子片３ａ，３ｂの根元付近まで、金系メッキ層の厚みが０．０３〜０．１μとなるように、金系メッキ１２を施す。その際、前記金系メッキ１２の終端１２ａに至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面１２ｂとなるように、金メッキ槽の液面を管理する。
【００３２】
（錫系メッキ施工とその乗り上げ部形成工程）
次に、図６のｂ方向から、コンタクト列２２を前記接触部４の側から錫系メッキ槽に漬けることで、前記ニッケル系メッキ層１１上に、前記他端側から前記金系メッキ１２に至るまで、錫系メッキ層の厚みが１〜４μとなるように、錫系メッキ１３を施す。その際、前記錫系メッキ１３の終端１３ａに至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面１３ｂとなると共に、前記金系メッキ１２の終端１２ａに至る傾斜面１２ｂにこの錫系メッキ１３の終端１３ａに至る傾斜面１３ｂが乗り上げる乗り上げ部１６が形成されるように、錫系メッキ槽の液面を管理する。この液面管理によって、前記乗り上げ部１６の高さ、すなわち前記錫系メッキ１３の終端１３ａにおける前記金系メッキ層１２の厚みが、０．０４μ以下になり、さらに、前記錫系メッキ１３の終端１３ａに、谷状のくぼみが形成される。
【００３３】
（リフロー処理と合金層の形成工程）
次に、コンタクト列２２を３５０℃以上の高温にてリフロー処理することで、乗り上げ部１６を含む、錫系メッキ層１３の終端１３ａに至る傾斜面１３ｂにおいて、ニッケル系メッキ１１と錫系メッキ１３とが熱拡散される。これにより、前記乗り上げ部１６を含む前記傾斜面１３ｂに、その表面に至る露出状態となって、錫とニッケルとの合金層１５が形成される。
ここで、前記錫系メッキ層１３の厚みが前記金系メッキ層１２の厚みよりも１０〜１００倍であることと、前記錫系メッキ層１３の終端１３ａに至る傾斜面１３ｂが前記金系メッキ層１２の終端１２ａに至る傾斜面１２ｂに乗り上げて形成されていることと、前記錫系メッキ層１３の終端１３ａにおける金系メッキ層１２の厚みが０．０４μ以下とされることと、により前記合金層１５がより確実に、前記乗り上げ部１６を含む前記傾斜面１３ｂに、その表面に至る露出状態となって、形成される。
【００３４】
（コンタクト列からの切り離し工程）
次に、コンタクト列２２から、メッキされた本体２を切り離すことにより、所望のメッキコンタクト１を得ることができる。ここで、前述の切り離した箇所におけるメッキコンタクト１の切断面では、図２の右端に見られるように、本体２が露出しているが、メッキコンタクト１の機能には影響しない。
【００３５】
上記メッキ法によると、まず、終端に至る傾斜面を有する薄い金系メッキ１２を形成した後、液面管理法により、金系メッキ１２の終端１２ａに至る傾斜面１２ｂのより薄いところに、厚みのある錫系メッキ１３を乗り上げさせるため、厚みのある錫系メッキ１３の終端１３ａの位置を制御して、図３のようなメッキ構造を簡単且つ確実に形成できる。
【００３６】
上記実施例では、図１に示すようなコンタクトに、金系メッキ層１２に乗り上げるようにメッキされた錫系メッキ層１３を基に、バリア領域、すなわち合金層１５を形成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本願発明の技術的思考を逸脱しない範囲において自由に設計することができる。
【００３７】
このメッキが適用されるコンタクトの形状は様々なものがある。例えば短冊状の細長い直線状のコンタクトであって、その一端側に端子部が形成され、その他端側に接触部が形成されたコンタクトにも適用できる。また、Ｌ字状に折り曲げられたコンタクトであって、その一端側に端子部が形成され、その他端部に接触部が形成されたコンタクトにも適用できる。
【実施例】
【００３８】
本発明の作用効果を実証するために以下の実験を行った。
この実験では、厚さ（Ｔ）０．１２〜０．２ｍｍのばね用りん青銅とされるコネクタ用プレス材から、図１に示す形状のコンタクト１をプレス加工により作製し、その全体に亘って厚さが１μ以上になるように、下地メッキであるニッケルメッキを施した。
次いで、コンタクト１の端子部３から、その終端が徐々に薄くなる傾斜面になる、厚さが０．０３〜０．１μの接点用メッキである金メッキを施した。
【００３９】
続いて、コンタクト１の接触部４から、その終端が徐々に薄くなる傾斜面で、且つ、その終端が前記金メッキの終端に乗り上げるように液面を管理しながら、厚さが１〜４μになるように、半田濡れ性の良好な錫メッキを施した。
【００４０】
このとき、錫メッキの終端、すなわち、その厚みがゼロとなるところにおける金メッキの厚みが、０．０１μ、０．０２μ、０．０３μ、０．０４μ、０．０５μとなるものを作成し、各々本発明例１、２、３、４、５とした。
【００４１】
このようにして作製されたコンタクト列２２に対して、リフロー処理を施した。その際、コンタクト列２２の材料温度は約４００℃とした。
【００４２】
また、比較例１として、ニッケル下地メッキの全面に亘って、厚さが０．０３〜０．１μとなるように、接点用メッキである金メッキを施したものを作成した。ただし、この比較例１では、錫系メッキを施していない。
【００４３】
さらに、比較例２として、ニッケル下地メッキの全面に亘って、厚さが１〜４μになるように、半田濡れ性の良好な錫メッキを施し、約４００℃でリフロー処理を施したものを作成した。ただし、この比較例２では、金系メッキを施していない。
【００４４】
このようにして得られた、本発明例１乃至５と、比較例１及び２に係るコンタクト１を用いて、半田実装試験の模擬試験を実施した。すなわち、コンタクト１の接触部４を一般的な電子基盤に、９６．５％錫（Ｓｎ）３％銀（Ａｇ）０．５％銅（Ｃｕ）の半田を用いて、窒素（Ｎ2）などの雰囲気（約１００〜２６０℃、２〜３分）にてリフロー実装し、半田の付着状態を観察した。結果を表１に表す。
【００４５】
（実験結果）
【表１】
【００４６】
表１より、錫メッキの終端における金メッキの厚みが０．０４μ以下の場合、すなわち本発明例１乃至４の場合、接触部４からの半田上りは、境界部１４近傍、或いは接触部４側であって境界部１４の手前で停止する。
【００４７】
一方、錫メッキの終端における金メッキの厚みが０．０５μの場合、すなわち本発明例５の場合、接触部４からの半田上りは、境界部１４近傍、或いは接触部４側であって境界部１４の手前で常に停止するとは限らず、境界部１４を越える場合もある。
しかしながら、本発明例５の場合では、接触部４からの半田上りが境界部１４を越えることはあっても、端子部３であって、相手側コネクタと電気的接触する接点箇所にまで達することはない。
【００４８】
従って、錫メッキの終端における金メッキの厚みが薄いほど、好ましくは前記厚みが０．０４μ以下であってより薄いほど、半田上りがより確実に停止することが分かる。
【００４９】
又、メッキコンタクト１の全面に亘って、金メッキ、或いは錫メッキを施行した比較例１、及び２では、バリア領域が設けられていないため、メッキコンタクト１の全面に亘って半田上りが確認された。
【００５０】
とくに、本発明例３における、境界部１４近傍の各メッキ層の厚みを測定した結果を図７に示す。また、本発明例３における、半田上りの状況を図８により模式的に示す。
【００５１】
本発明例３の場合、半田上りは、境界部１４近傍で止まっていることが判る。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】メッキコンタクトの側面である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】メッキコンタクトの境界部を示す拡大断面図である。
【図４】メッキコンタクトの境界部における半田上りの停止を模式的に示す拡大断面図である。
【図５】メッキコンタクトが装着されたコネクタの側面の断面図である。
【図６】コンタクトが列設されたコンタクト列の上面図である。
【図７】本発明例３の境界部１４近傍における各メッキ厚みを測定した結果を示すグラフ図である。
【図８】本発明例３の半田上りの停止状態を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５３】
１ メッキコンタクト
２ 本体
３ 端子部
３ａ 端子片
３ｂ 端子片
４ 接触部
５ 連設部
１１ ニッケル系下地メッキ層
１２ 金系メッキ層
１２ａ 終端
１２ｂ 傾斜面
１３ 錫系メッキ層
１３ａ 終端
１３ｂ 傾斜面
１４ 境界部
１５ 合金層
１６ 乗り上げ部
１７ 溶融半田
２１ 保持部
２２ コンタクト列
３１ コネクタ
３２ ハウジング
３３ スライドハウジング
３５ プリント基板
３６ フラットケーブル
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品であるコネクタなどの各種端子に用いられるコンタクトであって、詳しくは金や錫などのメッキ処理が施されたメッキコンタクト、及び、コンタクトのメッキ方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンタクトは、主として相手側コネクタ及びプリント配線基盤における相互間の接続に供されるコネクタ内に嵌装され、一端側には相手側コネクタと電気的接触するための端子部を、他端側にはプリント配線基盤へ半田付けにより実装接続されるための接触部を有するものとなっている。
【０００３】
前記コンタクトには、銅合金等からなるコンタクト素材の全面に亘り下地メッキとしてニッケル或いはニッケル合金メッキ（単に「ニッケル系メッキ」という）が施されており、前記端子部には、端子部における接触電気特性を向上させるため、例えば金や金合金などの接点用メッキ（単に「金系メッキ」という）が施されている。
一方、前記接触部には、接触部での半田に対する親和性を向上させるために、例えば錫や錫合金などの半田メッキ（単に「錫系メッキ」という）が施されている。
【０００４】
このような２種類のメッキが施されたコンタクトにおいて、実装時、前記接触部の溶融半田が前記端子部側へ這い上り、又は吸い上る、所謂「半田上り」が発生する。
従って、前記接触部上の溶融半田が前記端子部側に達し、つまり半田上りが発生し、前記端子部の金メッキ上に半田が付着することによって、端子部における接点電気特性が極端に劣化する。これを阻止するために、接触部と端子部との間の連設部にバリア領域を形成する必要がある。
【０００５】
従来、この種のコンタクトにおける周知技術として、例えば、連設部に半田濡れ性の低い、極薄い錫とニッケルとの合金層（単に「極薄合金層」という）をマスキングベルトを用いて設けることにより、これをバリア領域としたコンタクト（特許文献１参照）が挙げられる。
【０００６】
特許文献１は半田上りを防止する目的で連設部にバリア領域を有するコンタクトの一例を示しており、この連設部において錫系メッキに隣接した極薄合金層を有し、これをバリア領域としていることを特徴としている。
前記例では、メッキ製造方法として、マスキングベルトを利用したメッキ法、所謂「ドラム法」を採用している。しかし、この製造方法では、金系メッキ製造時にマスキング部から金系メッキ液が浸入することで、連設部で極薄い「金にじみ」が生じ、そのままでは半田上りを助勢する。
【０００７】
ここで、前記極薄合金層は、ニッケル系メッキ層上にメッキされた極薄い錫系メッキ層に対してリフロー処理をすることにより形成される。例え、リフロー処理以前に、極薄い錫メッキ層上に金にじみが達し、極薄い金メッキ層が形成された場合でも、リフロー処理と同時に極薄い金メッキ層は極薄い錫メッキ層中に溶解し、さらに半田に対して濡れ性が極端に劣化した極薄合金層がその表面に至るまで形成され、これがバリア領域として機能する。
【特許文献１】特開２００３−３４２７８２号広報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記特許文献１の構成において、極薄合金層の形成過程により極薄錫系メッキ層上の金にじみ問題を解消し、バリア領域を形成するという工程は、少なくとも金にじみが極薄合金層上に残るなどの不確実な要素を含んでいる。
また、前記工程は、極薄錫系メッキ層を形成するために利用される、高度な技術を要するマスキングベルトなどの装置の維持及び管理などを必要とし、メッキ製造工程が複雑、且つ高コストである。
【０００９】
従って、本発明は、金系メッキや錫系メッキなどのメッキ処理が施されたコンタクトにおいて、半田上りを防止するために必要なバリア領域を、容易、且つ低コストで、さらに確実に形成できるメッキコンタクト、及びこのコンタクトのメッキ方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、第１の発明は、一端側に端子部が形成され、他端側に接触部が形成されるコンタクトであって、
このコンタクトの外表面に施されるニッケル系下地メッキと、
この下地メッキ上に前記一端側から施され、その終端に至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面とされる金系メッキと、
この下地メッキ上に前記他端側から施され、前記金系メッキより厚肉であって、その終端に至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面とされる錫系メッキと、
前記金系メッキの終端に至る傾斜面に前記錫系メッキの終端に至る傾斜面が乗り上げて形成される乗り上げ部と、
前記乗り上げ部を含む前記錫系メッキの終端に至る傾斜面に露出状態で形成される、前記ニッケル系メッキとの合金層と、を備えなることを特徴としている。
【００１１】
これにより、前記金系メッキの終端に至る傾斜面に前記錫系メッキの終端に至る傾斜面が乗り上げていることにより、リフロー処理時に形成される前記合金層が前記錫系メッキの表面に至るまで確実に形成され、前記金系メッキにその表面が覆われることがない。従って、溶融半田に対して低い濡れ性を有した前記合金層が前記錫系メッキの終端に至る傾斜面に、その表面に至るまで十分に形成されることにより、半田上りを確実に阻止することができる。
【００１２】
第２の発明は、第１発明記載のメッキコンタクトであって、前記金系メッキの厚みは、０．０３〜０．１μであり、前記錫系メッキの厚みは１〜４μであることを特徴としている。
【００１３】
これにより、前記金系メッキの厚みを前記錫系メッキの厚みの１００〜１０分の１とすることで、リフロー処理の際、前記乗り上げ部における前記合金層の形成に対して、前記金系メッキが影響を及ぼさないようにする。
【００１４】
第３の発明は、第２発明記載のメッキコンタクトであって、前記錫系メッキの終端における前記金系メッキの厚みは、０．０４μ以下であることを特徴としている。
【００１５】
これにより、前記錫系メッキの終端における前記金系メッキの厚みを０．０４μ以下とすることで、溶融半田に対して低い濡れ性を有した前記合金層が前記錫系メッキの終端に至る傾斜面に、より十分に形成されることで、半田上りをさらに確実に阻止することができる。
【００１６】
第４の発明は、第１発明又は第２発明記載のメッキコンタクトであって、前記端子部は、一対の端子片を対向させて形成され、前記境界部は、前記端子片の根元に形成されることを特徴としている。
【００１７】
これにより、前記バリア領域を要する境界を最小限とすることで、より確実に接触部からの端子部への半田上りを阻止することができる。
【００１８】
第５の発明は、一端に端子部が形成され、他端側に接触部が形成されるコンタクト本体の多数を、前記接触部側の端で保持部に連設したコンタクト列によるメッキ方法であって、
このコンタクト列の全体をニッケル系メッキ槽に漬けて、コンタクト列の全体にニッケル系下地メッキを施す工程と、
前記コンタクト列を前記端子側から金系メッキ槽に漬けて、この下地メッキ上に前記一端側から前記接触部に至るまでの途中までに金系メッキを施し、その終端に至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面を形成する工程と、
前記コンタクト列を前記保持部の側から錫系メッキ槽に漬けて、この下地メッキ上に前記金系メッキに至るまでの錫系メッキを施し、その終端に至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面を形成すると共に、前記金系メッキの終端の傾斜面に前記錫系メッキの終端の傾斜面が乗り上げて乗り上げ部を形成する工程と、
リフロー処理して、前記錫系メッキの終端の傾斜面に露出する、前記錫系メッキと前記ニッケル系メッキとの合金層を形成する工程と、を備えることを特徴としている。
【００１９】
これにより、前記金系メッキの終端に至る傾斜面に前記錫系メッキの終端に至る傾斜面が乗り上げるという構成が、簡単且つ確実に形成される。従って、溶融半田に対して低い濡れ性を有した前記合金層が、前記金系メッキにその表面を覆われることなく、前記錫系メッキの終端に至る傾斜面に、その表面に至るまで十分に形成されることにより、半田上りを確実に阻止することができる。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明のメッキコンタクト、及びコンタクトのメッキ方法は、金系メッキや錫系メッキなどのメッキ処理が施されたコンタクトにおいて、金系メッキ層の終端に乗り上げるように錫系メッキ層を形成することで、下地のニッケル系メッキ層と錫系メッキ層との合金層を、錫系メッキ層の表面に至るまで確実に露出した状態で形成する構成とされるので、メッキ時にメッキ槽の液面を管理するだけで、容易、且つ低コストに、さらに確実にバリア領域を形成することができる。また、本発明は、前メッキ或いは後メッキのいずれにおいても有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照しつつ、本発明に係るメッキコンタクト及びそのメッキ方法の実施形態例について説明する。
【００２２】
まず、メッキコンタクトの構成を、図１乃至図３に基づいて説明する。
図１において、メッキコンタクト１は、所定形状の本体２の外周に所定のメッキを施して形成される。
本体２は、黄銅、りん青銅のような銅合金からなる金属板をプレス成形加工して所定形状に加工される。メッキが施された本体２は、一端側から延在し、電気的な接続を達成する端子部３と、他端側に位置し、基板に半田付けされる接触部４と、端子部３と接触部４との間の連設部５からなる。
端子部３は、可動の端子片３ａと固定の端子片３ｂとからなる一対の端子片３ａ、３ｂを対向させたコの字状となっている。接触部４は、基板に半田付けし易いようにＬ字形状になっている。
この端子部３の一端側から金系メッキ層１２が形成され、この接触部４の他端側から錫系メッキ層１３が形成される。これら金系メッキ１２と錫系メッキ１３との境界部１４は、前記端子片３ａ，３ｂの根元部に形成される。
【００２３】
本体２に対するメッキの構成を、図１のＡ−Ａ線断面図である図２、及び図２の部分拡大図である図３により更に説明する。まず、本体２の外周に、ニッケル系下地メッキ層１１が形成される。ニッケル系メッキとは、ニッケル又はニッケル合金によるメッキのことである。ニッケル系下地メッキ層１１は、通常１〜２μの厚みを有する。
本体２の端子部側（一端側）から、ニッケル系下地メッキ層１１の上に金系メッキ層１２が形成される。金系メッキとは、金又は金合金によるメッキのことである。この金系メッキ層１２は、０．０３〜０．１μの厚みを有する。
本体２の接触部側（他端側）から、ニッケル系下地メッキ層１１の上に錫系メッキ層１３が形成される。錫系メッキ層１３とは、錫又は錫合金によるメッキのことである。この錫系メッキ層１３は、１〜４μの厚みを有し、前記金系メッキ層１２の１０〜１００倍の厚みとなっている。そして、この錫系メッキ層１３の内側は、錫とニッケルとの合金層１５が形成されている。この合金層１５は、３５０℃以上の高温によるリフロー処理により、ニッケル系メッキと錫系メッキとの熱拡散によって形成される。
【００２４】
図３により、この金系メッキ層１２と錫系メッキ層１３との境界部１４近傍を更に説明する。金系メッキ層１２の端は、その終端１２ａに至るまで徐々に厚みが薄くなる傾斜面１２ｂとなっている。錫系メッキ層１３の端も、その終端１３ａに至るまで徐々に厚みが薄くなる傾斜面１３ｂとなっている。錫系メッキ層１３の終端１３ａが、金系メッキ層１２の傾斜面１２ｂに乗り上げることで、乗り上げ部１６が形成される。この乗り上げ部１６の高さは、好ましくは０．０４μ以下である。そして、錫系メッキ層１３の終端１３ａには、谷状のくぼみが形成されることが好ましい。
錫系メッキ層１３の終端１３ａに至る傾斜面１３ｂ及び乗り上げ部１６には、ニッケルと錫との合金層１５が露出状態で形成される。なお、この傾斜面１３ｂ以外の錫系メッキ層１３の表層は、錫系金属が露出したままである。
【００２５】
錫系メッキ層１３の錫系金属は、溶融半田材に対して濡れ性がある。また、金系メッキ１２の金系金属も、溶融半田材に対して濡れ性がある。ただ、合金層１５を形成するニッケルと錫との合金は、溶融半田材に対して濡れ性がなく、溶融半田の上りを阻止する作用がある。そのため、図４に示すように、基板に半田付けされる際の溶融半田１７の吸い上り現象、すなわち半田上りは、境界部１４近傍、或いは接触部４側であって境界部１４の手前で止まることとなる。
【００２６】
このようなメッキコンタクト１は、図５に示されるように、プリント基板用のコネクタ３１に好適に用いられる。コネクタ３１、ハウジング３２内に多数のメッキコンタクト１を嵌入固定し、ハウジング３２内にスライドハウジング３３をスライド可能に取り付けた構造である。このコネクタ３１は、プリント基板３５の上に設置され、メッキコンタクト１の接触部４において基板に半田付けされる。フラットケーブル３６がハウジング３２内に差し込まれ、スライドハウジング３３を押し込むことにより、フラットケーブル３６が、メッキコンタクト１の端子部３の端子片３ａに電気的に接続される。このとき、メッキコンタクト１に接触部４からの半田上りがあったとしても、境界部１４近傍、或いは接触部４側であって境界部１４の手前で半田上りが止まる為、端子部３の接触電気特性を劣化させる半田が付着することがない。
【００２７】
上述した構成のメッキコンタクト１によると、金系メッキ１２の厚みが０．０３〜０．１μと薄く形成され、しかも終端１２ａに至る傾斜面１２ｂを有するため、錫系メッキ１３の終端１３ａが乗り上げる部分の金系メッキの厚みを薄くすることができる。
また、錫系メッキ１３の厚みが１〜４μと、金系メッキ１２の１０〜１００倍の厚みに形成されるため、錫系メッキ１３の終端１３ａに至る傾斜面１３ｂは広い範囲で形成される。そのため、錫系メッキ１３とニッケル系下地メッキ１１との合金層１５も広い範囲にわたって形成される。
また、錫系メッキ１３の乗り上げ部１６の下の金系メッキ１２は薄く僅かであるため、乗り上げ部１６に至る合金層１５の形成に対して前記金系メッキ１２が邪魔することが少ない。
【００２８】
このように、半田上りに対するバリアとなる合金層１５が、金系メッキ１２が存在するにもかかわらず、広い範囲で形成されるため、半田上りに対するバリア機能が有効に作用する。
【００２９】
次に、上述したメッキコンタクトのメッキ方法を図６により説明する。
（コンタクト列のプレス成形）
まず、黄銅、りん青銅のような銅合金からなる金属板をプレス成形加工することにより、図１で示される本体２の多数が、その接触部４の側の端で保持部２１に連結されたコンタク列２２に加工される。
多数連結された本体２の各々は、一端側の端子部３と、他端側の接触部４とを有する。
この本体２は、前記接触部４側の端に設けられた保持部２１において多数連なっており、従って一度に多数の本体２を同じ条件でメッキ処理できることから、その生産性が高くなっている。
【００３０】
（ニッケル系下地メッキ工程）
次に、このコンタクト列２２の全体をニッケル系メッキ槽に漬けることで、コンタクト列２２すなわち本体２の外周に亘ってニッケル系下地メッキ層の厚みが１〜２μとなるように、ニッケル系下地メッキ１１を施す。
【００３１】
（金系メッキ工程）
次に、図６のａ方向から、コンタクト列２２を前記端子部３の側から金メッキ槽に漬けることで、ニッケル系メッキ層１１の上に、前記一端側から前記接触部４に至るまでの途中までであって、前記端子部３の端子片３ａ，３ｂの根元付近まで、金系メッキ層の厚みが０．０３〜０．１μとなるように、金系メッキ１２を施す。その際、前記金系メッキ１２の終端１２ａに至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面１２ｂとなるように、金メッキ槽の液面を管理する。
【００３２】
（錫系メッキ施工とその乗り上げ部形成工程）
次に、図６のｂ方向から、コンタクト列２２を前記接触部４の側から錫系メッキ槽に漬けることで、前記ニッケル系メッキ層１１上に、前記他端側から前記金系メッキ１２に至るまで、錫系メッキ層の厚みが１〜４μとなるように、錫系メッキ１３を施す。その際、前記錫系メッキ１３の終端１３ａに至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面１３ｂとなると共に、前記金系メッキ１２の終端１２ａに至る傾斜面１２ｂにこの錫系メッキ１３の終端１３ａに至る傾斜面１３ｂが乗り上げる乗り上げ部１６が形成されるように、錫系メッキ槽の液面を管理する。この液面管理によって、前記乗り上げ部１６の高さ、すなわち前記錫系メッキ１３の終端１３ａにおける前記金系メッキ層１２の厚みが、０．０４μ以下になり、さらに、前記錫系メッキ１３の終端１３ａに、谷状のくぼみが形成される。
【００３３】
（リフロー処理と合金層の形成工程）
次に、コンタクト列２２を３５０℃以上の高温にてリフロー処理することで、乗り上げ部１６を含む、錫系メッキ層１３の終端１３ａに至る傾斜面１３ｂにおいて、ニッケル系メッキ１１と錫系メッキ１３とが熱拡散される。これにより、前記乗り上げ部１６を含む前記傾斜面１３ｂに、その表面に至る露出状態となって、錫とニッケルとの合金層１５が形成される。
ここで、前記錫系メッキ層１３の厚みが前記金系メッキ層１２の厚みよりも１０〜１００倍であることと、前記錫系メッキ層１３の終端１３ａに至る傾斜面１３ｂが前記金系メッキ層１２の終端１２ａに至る傾斜面１２ｂに乗り上げて形成されていることと、前記錫系メッキ層１３の終端１３ａにおける金系メッキ層１２の厚みが０．０４μ以下とされることと、により前記合金層１５がより確実に、前記乗り上げ部１６を含む前記傾斜面１３ｂに、その表面に至る露出状態となって、形成される。
【００３４】
（コンタクト列からの切り離し工程）
次に、コンタクト列２２から、メッキされた本体２を切り離すことにより、所望のメッキコンタクト１を得ることができる。ここで、前述の切り離した箇所におけるメッキコンタクト１の切断面では、図２の右端に見られるように、本体２が露出しているが、メッキコンタクト１の機能には影響しない。
【００３５】
上記メッキ法によると、まず、終端に至る傾斜面を有する薄い金系メッキ１２を形成した後、液面管理法により、金系メッキ１２の終端１２ａに至る傾斜面１２ｂのより薄いところに、厚みのある錫系メッキ１３を乗り上げさせるため、厚みのある錫系メッキ１３の終端１３ａの位置を制御して、図３のようなメッキ構造を簡単且つ確実に形成できる。
【００３６】
上記実施例では、図１に示すようなコンタクトに、金系メッキ層１２に乗り上げるようにメッキされた錫系メッキ層１３を基に、バリア領域、すなわち合金層１５を形成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本願発明の技術的思考を逸脱しない範囲において自由に設計することができる。
【００３７】
このメッキが適用されるコンタクトの形状は様々なものがある。例えば短冊状の細長い直線状のコンタクトであって、その一端側に端子部が形成され、その他端側に接触部が形成されたコンタクトにも適用できる。また、Ｌ字状に折り曲げられたコンタクトであって、その一端側に端子部が形成され、その他端部に接触部が形成されたコンタクトにも適用できる。
【実施例】
【００３８】
本発明の作用効果を実証するために以下の実験を行った。
この実験では、厚さ（Ｔ）０．１２〜０．２ｍｍのばね用りん青銅とされるコネクタ用プレス材から、図１に示す形状のコンタクト１をプレス加工により作製し、その全体に亘って厚さが１μ以上になるように、下地メッキであるニッケルメッキを施した。
次いで、コンタクト１の端子部３から、その終端が徐々に薄くなる傾斜面になる、厚さが０．０３〜０．１μの接点用メッキである金メッキを施した。
【００３９】
続いて、コンタクト１の接触部４から、その終端が徐々に薄くなる傾斜面で、且つ、その終端が前記金メッキの終端に乗り上げるように液面を管理しながら、厚さが１〜４μになるように、半田濡れ性の良好な錫メッキを施した。
【００４０】
このとき、錫メッキの終端、すなわち、その厚みがゼロとなるところにおける金メッキの厚みが、０．０１μ、０．０２μ、０．０３μ、０．０４μ、０．０５μとなるものを作成し、各々本発明例１、２、３、４、５とした。
【００４１】
このようにして作製されたコンタクト列２２に対して、リフロー処理を施した。その際、コンタクト列２２の材料温度は約４００℃とした。
【００４２】
また、比較例１として、ニッケル下地メッキの全面に亘って、厚さが０．０３〜０．１μとなるように、接点用メッキである金メッキを施したものを作成した。ただし、この比較例１では、錫系メッキを施していない。
【００４３】
さらに、比較例２として、ニッケル下地メッキの全面に亘って、厚さが１〜４μになるように、半田濡れ性の良好な錫メッキを施し、約４００℃でリフロー処理を施したものを作成した。ただし、この比較例２では、金系メッキを施していない。
【００４４】
このようにして得られた、本発明例１乃至５と、比較例１及び２に係るコンタクト１を用いて、半田実装試験の模擬試験を実施した。すなわち、コンタクト１の接触部４を一般的な電子基盤に、９６．５％錫（Ｓｎ）３％銀（Ａｇ）０．５％銅（Ｃｕ）の半田を用いて、窒素（Ｎ2）などの雰囲気（約１００〜２６０℃、２〜３分）にてリフロー実装し、半田の付着状態を観察した。結果を表１に表す。
【００４５】
（実験結果）
【表１】
【００４６】
表１より、錫メッキの終端における金メッキの厚みが０．０４μ以下の場合、すなわち本発明例１乃至４の場合、接触部４からの半田上りは、境界部１４近傍、或いは接触部４側であって境界部１４の手前で停止する。
【００４７】
一方、錫メッキの終端における金メッキの厚みが０．０５μの場合、すなわち本発明例５の場合、接触部４からの半田上りは、境界部１４近傍、或いは接触部４側であって境界部１４の手前で常に停止するとは限らず、境界部１４を越える場合もある。
しかしながら、本発明例５の場合では、接触部４からの半田上りが境界部１４を越えることはあっても、端子部３であって、相手側コネクタと電気的接触する接点箇所にまで達することはない。
【００４８】
従って、錫メッキの終端における金メッキの厚みが薄いほど、好ましくは前記厚みが０．０４μ以下であってより薄いほど、半田上りがより確実に停止することが分かる。
【００４９】
又、メッキコンタクト１の全面に亘って、金メッキ、或いは錫メッキを施行した比較例１、及び２では、バリア領域が設けられていないため、メッキコンタクト１の全面に亘って半田上りが確認された。
【００５０】
とくに、本発明例３における、境界部１４近傍の各メッキ層の厚みを測定した結果を図７に示す。また、本発明例３における、半田上りの状況を図８により模式的に示す。
【００５１】
本発明例３の場合、半田上りは、境界部１４近傍で止まっていることが判る。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】メッキコンタクトの側面である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】メッキコンタクトの境界部を示す拡大断面図である。
【図４】メッキコンタクトの境界部における半田上りの停止を模式的に示す拡大断面図である。
【図５】メッキコンタクトが装着されたコネクタの側面の断面図である。
【図６】コンタクトが列設されたコンタクト列の上面図である。
【図７】本発明例３の境界部１４近傍における各メッキ厚みを測定した結果を示すグラフ図である。
【図８】本発明例３の半田上りの停止状態を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５３】
１ メッキコンタクト
２ 本体
３ 端子部
３ａ 端子片
３ｂ 端子片
４ 接触部
５ 連設部
１１ ニッケル系下地メッキ層
１２ 金系メッキ層
１２ａ 終端
１２ｂ 傾斜面
１３ 錫系メッキ層
１３ａ 終端
１３ｂ 傾斜面
１４ 境界部
１５ 合金層
１６ 乗り上げ部
１７ 溶融半田
２１ 保持部
２２ コンタクト列
３１ コネクタ
３２ ハウジング
３３ スライドハウジング
３５ プリント基板
３６ フラットケーブル
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端側に端子部が形成され、他端側に接触部が形成される本体と、この本体の外表面に施されるニッケル系下地メッキと、この下地メッキ上に前記一端側から施され、その終端に至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面とされる金系メッキと、この下地メッキ上に前記他端側から施され、前記金系メッキより厚肉であって、その終端に至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面とされる錫系メッキと、前記金系メッキの終端に至る傾斜面に前記錫系メッキの終端に至る傾斜面が乗り上げて形成される乗り上げ部と、前記乗り上げ部を含む前記錫系メッキの終端に至る傾斜面に露出状態で形成される、前記ニッケル系メッキとの合金層と、を備えなるメッキコンタクト。
【請求項２】
前記金系メッキの厚みは、０．０３〜０．１μであり、前記錫系メッキの厚みは１〜４μである請求項１記載のメッキコンタクト。
【請求項３】
前記錫系メッキの終端における前記金系メッキの厚みは、０．０４μ以下である請求項２記載のメッキコンタクト。
【請求項４】
前記端子部は、一対の端子片を対向させて形成され、前記乗り上げ部は、前記端子片の根元に形成される請求項１または２記載のメッキコンタクト。
【請求項５】
一端に端子部が形成され、他端側に接触部が形成されるコンタクト本体の多数を、前記接触部側の端で保持部に連設したコンタクト列によるメッキ方法であって、このコンタクト列の全体をニッケル系メッキ槽に漬けて、コンタクト列の全体にニッケル系下地メッキを施す工程と、前記コンタクト列を前記端子部の側から金系メッキ槽に漬けて、この下地メッキ上に前記一端側から前記接触部に至るまでの途中までに金系メッキを施し、その終端に至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面を形成する工程と、前記コンタクト列を前記保持部の側から錫系メッキ槽に漬けて、この下地メッキ上に前記金系メッキに至るまでの錫系メッキを施し、その終端に至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面を形成すると共に、前記金系メッキの終端の傾斜面に前記錫系メッキの終端の傾斜面が乗り上げる乗り上げ部を形成する工程と、リフロー処理して、前記乗り上げ部を含む前記錫系メッキの終端の傾斜面に露出する、前記錫系メッキと前記ニッケル系メッキとの合金層を形成する工程と、を備えるコンタクトのメッキ方法。
【請求項１】
一端側に端子部が形成され、他端側に接触部が形成される本体と、この本体の外表面に施されるニッケル系下地メッキと、この下地メッキ上に前記一端側から施され、その終端に至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面とされる金系メッキと、この下地メッキ上に前記他端側から施され、前記金系メッキより厚肉であって、その終端に至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面とされる錫系メッキと、前記金系メッキの終端に至る傾斜面に前記錫系メッキの終端に至る傾斜面が乗り上げて形成される乗り上げ部と、前記乗り上げ部を含む前記錫系メッキの終端に至る傾斜面に露出状態で形成される、前記ニッケル系メッキとの合金層と、を備えなるメッキコンタクト。
【請求項２】
前記金系メッキの厚みは、０．０３〜０．１μであり、前記錫系メッキの厚みは１〜４μである請求項１記載のメッキコンタクト。
【請求項３】
前記錫系メッキの終端における前記金系メッキの厚みは、０．０４μ以下である請求項２記載のメッキコンタクト。
【請求項４】
前記端子部は、一対の端子片を対向させて形成され、前記乗り上げ部は、前記端子片の根元に形成される請求項１または２記載のメッキコンタクト。
【請求項５】
一端に端子部が形成され、他端側に接触部が形成されるコンタクト本体の多数を、前記接触部側の端で保持部に連設したコンタクト列によるメッキ方法であって、このコンタクト列の全体をニッケル系メッキ槽に漬けて、コンタクト列の全体にニッケル系下地メッキを施す工程と、前記コンタクト列を前記端子部の側から金系メッキ槽に漬けて、この下地メッキ上に前記一端側から前記接触部に至るまでの途中までに金系メッキを施し、その終端に至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面を形成する工程と、前記コンタクト列を前記保持部の側から錫系メッキ槽に漬けて、この下地メッキ上に前記金系メッキに至るまでの錫系メッキを施し、その終端に至る厚みが徐々に薄くなる傾斜面を形成すると共に、前記金系メッキの終端の傾斜面に前記錫系メッキの終端の傾斜面が乗り上げる乗り上げ部を形成する工程と、リフロー処理して、前記乗り上げ部を含む前記錫系メッキの終端の傾斜面に露出する、前記錫系メッキと前記ニッケル系メッキとの合金層を形成する工程と、を備えるコンタクトのメッキ方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００６−１３１９７７（Ｐ２００６−１３１９７７Ａ）
【公開日】平成１８年５月２５日（２００６．５．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３２４６７４（Ｐ２００４−３２４６７４）
【出願日】平成１６年１１月９日（２００４．１１．９）
【出願人】（３９００３３３１８）日本圧着端子製造株式会社 (457)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年５月２５日（２００６．５．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１１月９日（２００４．１１．９）
【出願人】（３９００３３３１８）日本圧着端子製造株式会社 (457)
【Ｆターム（参考）】
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