【課題】割れやクラックを生じることなく、複数枚の窒化物半導体自立基板を取得可能な構造を有する窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】厚さ２ｍｍ以上に同種の窒化物半導体層が積層され、且つ前記積層された同種の窒化物半導体層は、不純物濃度の低い窒化物半導体層１と不純物濃度の高い窒化物半導体層２とが交互に２周期以上積層されて構成されている窒化物半導体結晶１０を製造する。この後、積層形成された前記窒化物半導体結晶１０を、前記不純物濃度の低い窒化物半導体層１を切断位置にしてスライスする窒化物半導体自立基板。 （もっと読む）

【課題】高誘電率のセラミックス粒子と低誘電率のポリマーで構成されるフィルムキャパシタにおいて、セラミックス粒子の代わりに、比誘電率が1桁以上も高いと予測できる新規な構造の人工超格子ナノ粒子を提供する。
【解決手段】２種類以上の化学組成の異なる酸化物を溶液中で、化学組成の異なる粒子上にエピタキシャルに成長させることにより、球状の核の同心円上に化学組成の異なる酸化物の２種類以上を交互に積層し、球状とした人工超格子ナノ粒子であり、前記酸化物はチタン酸バリウム、またはチタン酸ストロンチウムを含み、前記酸化物のチタン源として、ジイソプロポキシドジアセチルアセトナート（Ti(iPrO)2(AcAc)2、TPA）を用いる。 （もっと読む）

【課題】常温で磁性と強誘電性とを同時に示す超格子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも２種類の強誘電性酸化物薄膜が積層されてなり、各層の前記酸化物薄膜が奇数枚の原子層からなる常温磁性強誘電性超格子とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法などのプロセスを用いる必要なく、高配向の酸化モリブデン薄膜を容易に形成することができる酸化モリブデン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】６価のモリブデン酸化物のアンモニア溶解液に酸を供給して得られる析出物をアルコールに分散させた後、この析出物を含有するアルコールを基板に供給し、乾燥・焼成して薄膜を形成する。アルコールとしては、エチレングリコール、モリブデン酸化物としては、ＭｏＯ３を使用する。 （もっと読む）

【課題】導電窒化タンタル膜を制御可能に形成する方法を提供すること。
【解決手段】タンタルソース物質、水素のプラズマ励起種、及び窒素ソース物質の交互的パルスを順に、反応空間内で基板と接触させるステップを含む。水素のプラズマ励起種はタンタルの酸化状態を低減し、それによって、基板上に実質的に導電性の窒化タンタル膜を形成する。いくつかの実施の形態では、水素のプラズマ励起種は、形成された金属の膜の中のハロゲン化残留物と反応し、該残留物を除去する。 （もっと読む）

【課題】情報保存容量の超高密度化及び長期的な情報保存が可能な強誘電体保存媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】相異なる分極特性を有する酸化物の単位原子層を積層して、積層（垂直）方向への特定イオンの規則的な配列を通して人工格子の単位構造（スーパーセル）の結晶構造及び対称性を調節することによって異方性（anisotropic）の大きなスーパーセルを形成する。スーパーセル自体が単一分極を有する一つのブロックとして垂直方向に上下２方向にのみ電気分極が発現されるようにし、かかる特徴を有するスーパーセルブロックからなる酸化物人工格子を製造する。酸化物人工格子が１８０°ドメイン構造のみを有するようにすることで、異方性の大きな単一の分域（ドメイン）をナノスケールに形成することができ、情報保存容量の超高密度化及び長期的な情報保存が可能となる。 （もっと読む）

【課題】均一かつ細密に充填したＳＡＭを大面積の基板に形成することを可能とする装置及び方法を提供する。
【解決手段】自己組織化分子を含有する液体原料を気化し、基板上に自己組織化単分子膜を形成する装置であって、前記基板を内部に保持する成膜室と、前記液体原料を前記成膜室内に直接噴射する噴射弁を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に製膜した、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）を主成分とする導電性の有機無機ハイブリッド薄膜、該薄膜を製造する方法、及びその導電性有機無機ハイブリッド薄膜を利用したセンサ部材等を提供する。
【解決手段】金属酸化物単結晶に比べて安価なシリコン基板上に、適切な金属酸化物のバッファー層を介在させて、有機無機ハイブリッド薄膜を形成したことを特徴とする、電気伝導性有機無機ハイブリッド薄膜、その製造方法、該方法により作製された電気伝導性有機無機ハイブリッド薄膜をセンサ素子として用いた、ＶＯＣガス等に対して高感度に応答する化学センサ部材。 （もっと読む）

【課題】優れた界面特性と均一性が具現できる超格子半導体構造の製造方法を提供する。
【解決手段】この超格子半導体構造は、工程チャンバ１７０内のサセプター１３０上に基板１０１を搭載する段階Ｓ１と；上記工程チャンバ内の上記サセプター上に互いに異なる領域に第１ソースと第２ソースガスＡ、Ｂを同時に供給し、互いに分離された第１ソースガス領域１３４と第２ソースガス領域１３６を形成する段階Ｓ３と；上記サセプターの回転によって上記基板が公転する間に、上記基板が上記第１ソースガス領域と上記第２ソースガス領域を通過する段階を含む。 （もっと読む）

【構成】本発明は基板上にグラファイトの単原子層を形成する工程と；このグラファイトの単原子層上に遷移金属の単原子層を積層する工程とを繰り返すことにより得られる、グラファイトの単原子層が遷移金属の単原子層を介して積層されたことを特徴とするグラファイト層間化合物である。
【効果】室温，大気中で安定であり、高い電気伝導度を示す。 （もっと読む）