【課題】高品質のＢＮＡ単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】種結晶を得る工程、及び、得られた種結晶を溶液中で成長させる結晶成長工程、を含む溶液法によるＢＮＡ結晶の製造方法であって、結晶成長工程において、種結晶は、結晶保持部材により保持されており、かつ、種結晶の主成長方向における端部で保持部材に保持され、結晶成長工程で用いる溶液は、種結晶を得る工程において種結晶が析出した後の上澄み溶液である。得られたＢＮＡ結晶は、Ｘ線回折法によるロッキングカーブ計測において、回折ピークＸ線強度の半値幅が１００秒以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｄ−プシコース結晶を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、過飽和を利用することによってＤ−プシコース溶液からＤ−プシコース結晶を製造する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 目的とする析出部に効率良く、しかも結晶性の良好な窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、
原料供給部に配置した原料ガス発生源を原料ガス発生温度Ｔ_１に加熱して、原料ガスであるアルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを生成し、
窒化アルミニウム単結晶成長用基板を配置した析出部に該原料ガスおよび窒素ガスを供給して、該基板上に窒化アルミニウム単結晶を製造する方法において、
該原料ガスおよび窒素ガスからの単結晶窒化アルミニウムの析出開始温度Ｔ_２と、前記原料ガス発生温度Ｔ_１と析出部温度Ｔ_Ｓとが、下記条件を満たす条件下で窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴としている。
Ｔ_１≦Ｔ_Ｓ＜Ｔ_２ （もっと読む）

基質またはシードを含有するより暖かい堆積区域と、ＺｎＯの原材料を含有するより冷たい溶解区域との間で、ＺｎＯで飽和した成長溶液を連続的に循環させるステップを含む、ＺｎＯを合成するための方法。本発明の方法は、ＺｎＯの膜、ナノ構造、およびバルク単結晶を合成するために必要とされる核生成および成長機構の両方に対する制御を可能にする、独特の連続循環方法および反応器を利用する。本発明の方法は、第１の温度で亜鉛含有栄養素を溶解させるために、成長水溶液組成物を使用し、第２の温度でＺｎＯを合成し、ＺｎＯが合成される第２の温度は、栄養素が溶解させられる第１の温度よりも暖かく、ＺｎＯの合成は、第１のより冷たい温度と比較して第２のより暖かい温度において、水溶液組成物内のＺｎＯの溶解度の低減によって引き起こされる。
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【課題】高純度の塩酸カモスタットを製造できる方法の提供。
【解決手段】アセトニトリル、またはアセトニトリルと酢酸エチルとの混合溶媒中で、塩基の存在下、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルメチルｐ−ヒドロキシフェニルアセテートと、ｐ−グアニジノ安息香酸クロリドとを反応させることを特徴とするＮ，Ｎ−ジメチルカルバモイルメチルｐ−（ｐ−グアニジノベンゾイルオキシ）フェニルアセテート・塩酸塩の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＯＳＣＭ分子からなる活性薄膜を高品質に且つ再現性の高い状態で成膜制御することにより、有機電子デバイス及び光電子工学デバイスの性能を向上させることが出来ると共に、前記薄膜をウエハー基板の直径が２００ｍｍ〜３００ｍｍ程度の大口径ウエーハにおいて成膜可能とし、工業的な規模での適用が可能な成膜形成を容易かつ低コストで実現することが出来る薄膜形成方法。
【構成】ステップａ）薄膜形成の為に、一定量のＯＳＣＭ分子を融解状態でキャリア表面に供給するステップ、及び
ｂ）薄膜を凝固する為に、一定の温度プロファイルに基づいて冷却を行うステップ
からなり、
ステップａ）を実施の際、キャリア表面の温度はＯＳＣＭ分子の融点と一致するか、あるいは融点より高いことを特徴とし、
またステップｂ）は、以下の第１のパートと第２のパートからなる温度プロファイルに基づいて実施されることを特徴とするＯＳＣＭ分子を用いた薄膜の形成方法。
−ＯＳＣＭ分子が冷却されて再結晶温度に近い温度となり、該ＯＳＣＭ分子における冷却速度は、融解状態の薄膜中に１つの種結晶のみが出現するのに十分な程度遅く設定される、ＯＳＣＭ分子の徐冷制御に対応する第１のパート、及び
−前記１つの種結晶を発端として少なくとも１つの単結晶領域が成長し、最終的には単結晶薄膜が得られる、ＯＳＣＭ分子の冷却制御に対応する第２のパート。 （もっと読む）

【課題】有機半導体化合物の単結晶薄膜を大面積かつ均一に作製する方法、並びにその方法によって作製された有機半導体化合物の単結晶薄膜を提供する。
【解決手段】誘電率が４．５以上でありかつ有機半導体化合物６が可溶である有機溶媒を、基板２上に塗布して液膜９を形成する工程、有機溶媒液膜９に有機半導体化合物６を供給し溶解させる工程、および有機溶媒中で有機半導体化合物６を結晶化させる工程を含む、有機半導体化合物６の単結晶薄膜の作製方法。 （もっと読む）

本発明は、溶液中で結晶を成長させる方法に関し、その方法は、化合物で過飽和された溶液から大寸法の結晶を高速、高制御、かつ、効率的に生産することに適する。結晶成長は静的条件下で実行される。これを実行するために、その成長は、一定の温度Ｔｃに維持された結晶化チャンバーで実行され、そのチャンバーは、温度Ｔｓの飽和チャンバーと流体連結する。そして、温度Ｔｓは、Ｔｃと同様に一定に保たれるが、Ｔｃとは異なる温度である。温度Ｔｓにおける化合物の溶解度は、温度Ｔｃにおける化合物の溶解度より大きい。結晶化チャンバーと飽和チャンバーとの間における溶液の連続的な循環が確立される。このようにして、結晶化チャンバー内で一定の過飽和速度を維持する。さらに、循環溶液は、凝集体の形成を排除して抑制するための処理が施され、寄生性微結晶の核形成を抑制することが可能である。
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結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。 （もっと読む）

結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。
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