【課題】結晶方位に沿って形成された主面及び側面が夫々Ｚ面及びＸ面をなす板状または棒状の種子水晶から水熱合成法により育成したアズグロン人工水晶の製造後の後工程であるランバード加工を容易に行うことができるアズグロン人工水晶を提供する。
【解決手段】種子水晶２のＹ軸方向の端部にて２つのＺ面及び２つのＸ面のうちの少なくとも１つの面に密着して当該面をオートクレーブ内の育成溶液の対流から遮蔽するための遮蔽面３１Ａを形成する本体３（３Ａ），３（３Ｂ）と、この遮蔽面３１Ａに向かってその復元力が作用する弾性体３３と、を備え、遮蔽面３１Ａと弾性体３３との間に弾性体３３の復元力に抗して種子水晶２の端部を位置させることにより、遮蔽面３１Ａを端部に密着させる治具３Ａ，３Ｂを用いて育成する。弾性体３３を利用することで確実に遮蔽面３１Ａ，３２Ａと種子水晶２を密着させることができ、種子水晶２の破損も抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】水晶種子を含む水晶片を水晶デバイスの製造に用いることで製造コストを抑える方法を提供する。
【解決手段】次の全てを満足する人工水晶を用いる。エッチチャンネルが３０本／ｃｍ^２以下の人工水晶から切り出され、水晶のα−β転移温度未満で加熱処理し、水晶種子２０の切り出し時に生じた加工層を除去した水晶種子２０を用いて育成する。鉄の含有量を３ｐｐｍ以下及びナトリウムの含有量を２ｐｐｍ以下に抑えた屑水晶を原料として用いて育成する。シードベールと呼ばれる微細鉱物の密度が結晶と種子２０の境界において、シードベールの長径３０μｍ以上では０個／ｃｍ^２、シードベールの長径１０μｍ以上３０μｍ未満では５個／ｃｍ^２以下を満たす。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、第１３族元素窒化物の層から本質的に製造される高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）基板を提供する。
【解決手段】 本発明に係る高移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）基板は超臨界アンモニア法においてシードに対し、該シードの成長方向に垂直な方向の結晶成長により得られる単結晶ＧａＮから形成され、表面欠陥密度が約１０²／ｃｍ²であって、該基板上に形成されるトランジスタに対しW-CDMAバンド（約２ＧＨz）が５０Ｗより低くなく、そのゲインが６０Ｖで２５ｄBより低くない性能パラメータを付与する。 （もっと読む）

【課題】熱対流を用いた水熱合成法によって、容易にかつ育成期間の長期化を避けながら不純物の低減化を図ることができ、光学部材として好適な人工水晶を得ることのできる人工水晶の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムの含有量を２．７ｐｐｍ以下、ナトリウムの含有量を１．１ｐｐｍ以下、カルシウムの含有量を０．１ｐｐｍ以下、鉄の含有量を０．０４ｐｐｍ以下、リチウムの含有量を０．８ｐｐｍ以下に抑えた育成用原料を用い、そして水晶種子のＺ方向への成長速度を０．１ｍｍ／日以上０．３ｍｍ／日以下に設定して育成することにより、アルミニウム、ナトリウム、カルシウム、鉄、リチウムの量が、夫々０．０４２ｐｐｍ以下、０．００２１ｐｐｍ以下、０．０００５ｐｐｍ以下、０．０００４ｐｐｍ以下、０．０１１ｐｐｍ以下の光学部材用人工水晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】工業的に適用可能な比較的低圧の条件下で、不純物の少ない高品質の窒化物、特に、窒化ガリウムの結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】バルブ１を付属する反応容器３内に、原料を充填後、バルブ１を介して、外気に触れることなく窒素含有溶媒を反応容器３内に導入し、結晶を得る窒化物結晶の製造方法。反応容器３内への不純物の混入が抑制され、結果として結晶性の高い、高品質な塊状窒化物結晶が簡易でかつ安全に効率よく得られる。 （もっと読む）

【課題】冷却設備を用いることなく容器を冷却し、高純度のアンモニアを高い精度で該容器に充填することができる液化アンモニアの充填方法を提供する。
【解決手段】凝縮器にガスアンモニアを供給する供給工程と、凝縮器においてガスアンモニアを液化アンモニアにする液化工程と、凝縮器において生じた液化アンモニアを容器に供給して、容器内に液化アンモニアを充填する充填工程と、容器への液化アンモニアの出入りを停止した状態で、アンモニア充填装置内に存在する総アンモニア量Ｍ１と容器以外のアンモニア充填装置内に存在するアンモニア量Ｍ２を求める計測工程と、計測工程において求めたＭ１とＭ２の差と、容器内への液化アンモニア予定充填量（ＭＣ）との差（Ｍ１−Ｍ２−ＭＣ）に相当する量の液化アンモニアを容器から排出する充填量調整工程と、を含むことを特徴とする液化アンモニアの充填方法。 （もっと読む）

【課題】容器を効率よく冷却し、高純度のアンモニアを高い精度で充填することができる液化アンモニアの充填方法を提供する。
【解決手段】凝縮器２にガスアンモニアを供給する供給工程と、凝縮器２においてガスアンモニアを液化アンモニアにする液化工程と、凝縮器２において生じた液化アンモニアを容器３に供給し、液化アンモニアの気化による潜熱によって容器３を冷却する冷却工程と、冷却工程において液化アンモニアの気化によって生じたガスアンモニアを凝縮器２に供給する循環工程と、凝縮器２において生じた液化アンモニアを容器３に供給し、容器３内に液化アンモニアを充填する充填工程とを含む液化アンモニアの充填方法。 （もっと読む）

【課題】特定元素の硫化物又は複合硫化物の微粉末を含む微粒子コンポジットを得ることを目的とする。
【解決手段】モリブデン（Ｍｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）から選択される元素を含む化合物の１種以上と、硫黄（Ｓ）を含む化合物とから、混合液を作製する工程と、該混合液を水熱反応又はソルボサーマル反応させる工程とを含む、モリブデン（Ｍｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）から選択される１種以上の元素の硫化物又は複合硫化物の微粉末を含む微粒子コンポジットの製造方法、及び得られた、モリブデン（Ｍｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）から選択される１種以上の元素の硫化物又は複合硫化物の微粉末を含む微粒子コンポジット。 （もっと読む）

露出した｛１０−１０｝ｍ面および露出した（０００−１）窒素極性ｃ面を有する多面体形状の窒化ガリウム結晶であって、露出した（０００−１）窒素極性ｃ面の表面積は１０ｍｍ^２より大きく、露出した｛１０−１０｝ｍ面の全表面積は（０００−１）窒素極性ｃ面の表面積の半分より大きいことを特徴とする窒化ガリウム結晶を提供する。ＧａＮバルク結晶は、従来用いられているより高い温度と温度差で行う安熱法により、上方領域および下方領域をもつ高圧容器を有する耐圧窯を用いて成長された。高圧容器の下方領域の温度は５５０℃以上であり、高圧容器の上方領域の温度は５００℃以上に設定され、下方領域および上方領域の間の温度差は３０℃以上に保持される。ｃ軸に沿って最長寸法を有し、露出した大面積のｍ面を有するＧａＮ種結晶が用いられる。
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【課題】人工水晶育成時に留め金を結晶中に取り込み、かつ、留め金の掛止部が水晶の結晶から露出するようにした外形寸法が５ｃｍ未満の小型装飾用アズグロウン人工水晶及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ軸方向に形成した孔３ｃに留め具３ｄを取り付けた所定の形状の種水晶３ａを準備する工程と、前記留め具３ｄを取り付けた複数の種水晶３ａをオートクレーブの上部空間内に支持具に係合して吊下・支持する工程と、前記オートクレーブを所定の温度で加熱して前記オートクレーブの下部空間内に格納したラスカを育成溶液で溶解して前記種水晶３ａの表面にＳｉＯ₂分子を析出させて水晶を成長させる工程と、からなり、前記留め具３ｄの一部が水晶の結晶中に予め取り込まれ、かつ、前記留め具の掛止部が水晶の結晶から露出するようにアズグロウン人工水晶３ｂを製造する。 （もっと読む）