【課題】第１族金属イオンとアクセプタドーパントのイオンを含んでいるバルク単結晶ガリウム含有窒化物を得る方法及びそれで作られたエピタキシー基板とその基板で製造されるデバイスを提供する。
【解決手段】超臨界のアンモニア含有溶液から単結晶ガリウム含有窒化物のシード上への晶出(結晶化)工程から構成され、アクセプタドーパントイオンの超臨界のアンモニア含有溶液に対するモル比は少なくとも0.0001である。また、シード上で晶出させる工程後、950℃と1200℃の間の温度、望ましくは950℃と1150℃の間の温度で窒化物をアニールする工程から構成される。 （もっと読む）

【課題】多種のオプトエレクトロニクスデバイスの製造工程におけるエピタキシャル成長用基板として使用される低転位の窒化物バルク単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウムの六方格子のｃ軸に垂直な面の断面積が１００ｍｍ^２以上、結晶の厚さが１．０μｍ以上、Ｃ面の表面転位密度は１０^６／ｃｍ^２以下であり、またさらに加工可能な表面積が好ましくは１００ｍｍ^２以上である非極性のＡ面あるいはＭ面プレートを少なくとも１つ作るのに十分な大きさがある窒化物バルク単結晶であって、その製法は、第一基板３を銀からなるマスク層４により部分的に覆うことにより横成長にさせやすい表面６を形成したあと、XIII族元素含有フィードストックをアンモニア含有超臨界溶媒に溶解させ、前記表面６上から横方向に成長が進行し、横方向成長の結果として、前記マスク層４上にガリウム含有窒化物のバルク単結晶７が形成される。 （もっと読む）

【課題】高温高圧条件を採用せずに、アモノサーマル法による窒化物結晶の成長速度を速める方法を提供する。
【解決手段】超臨界アンモニアに腐食または溶解しないアンモニア熱分解触媒７を含むアンモニア中において、アモノサーマル法により窒化物結晶を成長させる。アンモニア熱分解触媒７は、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｗ，ＲｅまたはＯｓからなる単体であるか、あるいは、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，ＩｒまたはＰｔのいずれかの金属とその他の金属との合金である。 （もっと読む）

【課題】従来技術では得られなかったｃ面配向した板状ＨＡｐ単結晶を工業的規模で製造するための技術の提供。
【解決手段】Ｃａ^２＋イオン、ＰＯ_４^３−イオン、尿素及びウレアーゼを含む酸性水溶液を容器に入れ、該酸性水溶液と外気とが気液接触した状態で保持し、ウレアーゼによる尿素の加水分解による水溶液のｐＨ上昇にしたがって、ヒドロキシアパタイトの結晶核を生成させ、さらに該結晶核をａ軸及びｂ軸方向に成長させ、次いで前記水溶液に浮上している析出物を水溶液から分離採取し、次いで前記析出物に水熱処理を施して板状ヒドロキシアパタイト単結晶を得ることを特徴とする板状ヒドロキシアパタイト単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく、熱応力歪みが生じにくい六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶を提供する。
【解決手段】結晶粒原料を主体とし、水熱成長開始時に１℃／ｍｉｎ以上、６℃／ｍｉｎ以下で昇温し、成長時における育成容器内の上部と下部で下部の温度差が３〜７℃の範囲で水熱成長することによって得られる結晶マイクロドメイン構造Ｄを有する六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶であって、前記六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶は、連続かつ一様な結晶格子を有するマトリックス領域Ｍ内に、該マトリックス領域Ｍとは結晶格子の配列が異なる島状の結晶マイクロドメインＤを含み、該結晶マイクロドメインＤ内のｃ軸が、前記マトリックス領域Ｍのｃ軸と平行である。 （もっと読む）

【課題】工業的に適用可能な比較的低圧の条件下で、不純物の少ない高品質の窒化物、特に、窒化ガリウムの結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】少なくとも内側の表面がＰｔに代表される貴金属製である反応容器６に原料７とアンモニア溶媒を充填して反応容器６を密閉した後、さらに反応容器６を反応容器６とは別の耐圧性容器３内に挿入し、反応容器６と耐圧性容器３との間の空隙に第二溶媒を充填して耐圧性容器３を密閉した後、昇温して窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂを含む配向性の高い結晶膜の形成方法およびこの結晶膜を用いた膜型素子の製造方法を提供する。
【解決手段】アルカリ領域においてＰｂを溶液化する溶液化剤によりＰｂを含むアルカリ溶液を調製し、調製したアルカリ溶液を用いて水熱合成することによりＴｉを含有する基体上にＰｂを含む結晶膜を形成する。この溶液化剤としては、キレート化剤としてもよい。このキレート化剤としてはエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）が好ましい。 （もっと読む）

【課題】酸素不純物が少なく高純度で良質なＧａＮを提供する。
【解決手段】ガリウムを主成分とする１３族元素窒素化合物結晶の製造方法であって、少なくともガリウムを含む１３族元素の金属及び／又は該金属の窒素化合物１２を、アンモニア雰囲気下、酸素除去添加剤１４の存在下で、加熱処理して結晶を得るステップを含み、ここで、該酸素除去添加剤１４は、その中心部がチタン金属、ジルコニウム金属、チタン合金、及びジルコニウム合金から成る群から選ばれる金属又は合金から構成され、かつ、その表層部が該金属又は合金の水素化物で覆われた複合構造を有する前記製造方法。 （もっと読む）

【課題】一度ＰＶ法によるエタノールの分離に使用した後で長期保管しても、分離性能が低下しにくいゼオライト膜を製造する。
【解決手段】種付け用ゾル並びに支持体を、耐圧容器内に入れ、前記耐圧容器内を加熱して前記支持体の表面にゼオライト種結晶を生成させる種結晶生成工程と、前記ゼオライト種結晶を成長させて支持体の表面にゼオライト膜を形成する膜形成工程と、前記ゼオライト膜を加熱処理することにより、構造規定剤を除去する加熱処理工程と、水とエタノールとの混合溶液を、前記支持体の表面に形成されたゼオライト膜に透過させる透過処理工程と、前記透過処理工程後、膜形成用ゾル並びに前記ゼオライト膜が表面に形成された前記支持体を、耐圧容器内に入れ、前記耐圧容器内を加熱して前記支持体の表面に形成された前記ゼオライト膜を更に成長させる膜再形成工程とを有するゼオライト膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Li濃度が極低濃度で、抵抗率の高い各種デバイス用酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】実質的にLiを含まない原料２６および鉱化材溶液を用いるとともに、過酸化物の存在化で酸素分圧を高めて水熱合成することにより、所望の酸化亜鉛単結晶を得る。過酸化物は、過酸化水素に代表される過酸化物を少なくても１種以上、分解で生じる酸素換算で鉱化材溶液に対し0.02〜0.5モル/リットルの範囲の濃度で加える。 （もっと読む）