約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイスも提供される。
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【課題】 ０．５ｍｍ以上のシリカ多孔体結晶を再現性よく、効率的に合成する方法を提供する。
【解決手段】 水熱反応によりシリカ多孔体結晶を合成する方法において、水熱合成容器内の一部に珪素の高濃度領域を形成し、シリカ多孔体結晶の骨格構成元素の一部または全部の供給源として、珪素および酸素を含む化合物からなり、表面平滑化処理したバルク体を、少なくともその一部が前記珪素の高濃度域内にあるように存在させて水熱反応を行うことを特徴とするシリカ多孔体結晶の製造方法。 （もっと読む）

現在、超臨界アンモニア含有溶液の雰囲気下において、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０≦Ｘ＜１）の一般式を有する、ガリウム含有窒化物バルク単結晶を得るためのプロセスに使用される改良されたミネラライザが提案されている。
本発明によれば、確実に、Ｉ族元素のイオン、特にナトリウムのイオンが存在するように、Ｉ族元素をなす群から選択された他の元素及びII族元素と共に、Ｉ族元素イオン、好ましくはナトリウムイオンが存在するように、また任意ではあるがII族元素、好ましくはカルシウム若しくはマグネシウムのイオンと共に、超臨界溶媒のアンモノ塩基性を弱める酸素フリーの化合物を含む１以上の物質が存在するように、適当にミネラライザを選択することにより、得られる製品の成長速度及び品質を制御することができる。
このようにして得られた改良されたバルク単結晶は、オプトエレクトロニクスの分野において主に使用することが意図されている。
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【課題】
本発明の目的は、水熱合成法によって製造される人工水晶の製造方法において、製造される人工水晶のインクルージョン密度を減少させる人工水晶の製造方法を提供することである。
【解決手段】
上記の目的を達成する為に本発明は、水熱合成法により製造される人工水晶の製造方法において、オートクレーブ内の任意の位置に表面の粗い多数の直方体の無機物を、先の直方体の無機物の主面の法線ベクトルが重力と垂直となるように設置し、また、直方体の無機物が鉄系の金属より成ることを特徴として課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、水熱合成法によって製造される人工水晶の製造方法において、オートクレーブといった圧力容器内にヘビーケーキを発生することの無い人工水晶の製造方法を提供することである。
【解決手段】
上記の目的を達成する為に本発明は、アルカリ溶液に４．０±０．５wt％のNaOHを主溶質として使用する水熱合成法により製造される人工水晶の製造方法において、オートクレーブ内の育成温度をTとした場合、次の式１で得られる圧力Pよりも高い圧力に制御することにより、ヘビーケーキを発生させない人工水晶の製造方法である。
P = 6×10＾-18×T＾7.95 （誤差10％を含む） - 式１ （もっと読む）

シード上で少なくともシード成長方向に本質的に垂直な方向で成長され、シード中に存在する結晶欠陥の伝播が本質的になく、転位密度が10⁴/cm²を超えず、シードの転位密度に比べかなり低く、結晶格子曲率半径が大きく、好ましくは15mより長く、より好ましくは30mより長く、最も好ましくは約70mであり、シードの結晶格子の曲率半径よりかなり長い、バルク単結晶ガリウム含有窒化物。
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【課題】 本発明は、第１３族元素窒化物の層から本質的に製造される高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を提供する。
【解決手ュ段】 このタイプの最近利用できるトランジスタとは反対に、本発明に係るトランジスタはホモ基板１１上に製造され、そのホモ基板はガリウム含有窒化物から製造され、核化層を有さず、そのバッファ層３は公知のＨＥＭＴより極めて薄い。好ましくは、少なくともバッファ層３は本発明にかかるトランジスタの一部であって、エピタキシャル法により製造され、エピタキシャルプロセスにおける上記層の成長方向は基板１１の成長方向と本質的に垂直をなす。この発明はまた、高電子動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）の製造方法にも関するものである。 （もっと読む）

【目的】 水熱合成法による単結晶の育成に際し、種結晶の溶解を抑制し育成効率を向上したＺｎＯ単結晶の育成方法を提供する。
【構成】 ＺｎＯを溶解させたアルカリ溶液を育成容器に注入し、水熱条件下でＺｎＯ単結晶を育成する。
【効果】 種結晶が育成中に溶解せず、歩留り良くＺｎＯ単結晶を育成できる。小さな種結晶を用いることが可能となる。 （もっと読む）