【課題】良質な人工水晶を高い歩留まりで効率よく製造し得る人工水晶の製造装置、かかる人工水晶の製造装置を用いて人工水晶を製造する人工水晶の製造方法、およびかかる人工水晶の製造方法を用いて製造された人工水晶を提供すること。
【解決手段】人工水晶の製造装置１は、水熱温度差法により人工水晶を製造するための装置である。人工水晶の製造装置１は、溶解液５、水晶原料１１および種水晶１２を収納するチャンバー２と、このチャンバー２を加熱する加熱手段９とを有している。また、チャンバー２内には、対流制御板３とこの対流制御板３より上方にフィルタ部材４とが、それぞれチャンバー２内の空間を仕切るように設けられている。これにより、チャンバー２内には、対流制御板３より下方の第１の空間２１と、対流制御板３とフィルタ部材４との間の第２の空間２２と、フィルタ部材４より上方の第３の空間２３とが画成されている。 （もっと読む）

【課題】溶解領域の温度に達するまでの間において単結晶育成用溶液への溶解を行なうとともに、溶解領域の温度において単結晶育成用溶液への溶解を安定して保つ。
【解決手段】単結晶原料５は、その元となる原材料５１に酸化亜鉛が用いられてなる。この原材料５１は、２つの密度を有し、３層に分類されている。その上層は、低密度側に分類される低密度部分５２であり、中層は、高密度側に分類される高密度部分５３であり、下層は、低密度側に分類される低密度部分５２である。すなわち、低密度部分５２により高密度部分５３が挟まれている。なお、この原材料５１は、粉体からなり、低密度部分５２の粒径は、高密度部分５３の粒径よりも大きく設定されている。 （もっと読む）

高品質のＩＩＩ族窒化物バルク単結晶を成長する方法を開示する。ＩＩＩ族窒化物バルク結晶は、粒径が少なくとも１０μｍ以上のＩＩＩ族窒化物多結晶あるいはＩＩＩ族金属である原材料すなわち栄養素と、ＩＩＩ族窒化物単結晶である種結晶とを用いて、超臨界アンモニア中で耐圧釜において成長される。ＩＩＩ族窒化物多結晶は６００℃以上の還元雰囲気で熱処理することによって、前に行った安熱法工程で用いたものを再利用することができる。耐圧釜はアンモニアで満たされた内室を備えている。そこでは、耐圧釜が加熱されてアンモニアが超臨界状態になると、アンモニアは内室から耐圧釜の中へ放出され、超臨界アンモニアの対流が原材料を輸送して、輸送された原材料を種結晶上に堆積するが、原材料の未溶解粒子が輸送され種結晶上に堆積することを防ぐ。
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【課題】 無機微結晶を連続して製造する際に、結晶核の析出過程、結晶核を基に結晶成長させる結晶成長過程等における温度制御を容易にすることにより、無機微結晶の析出条件や成長条件を容易に制御することが可能であり、その結果、無機微結晶の製造条件の最適化が可能な無機微結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明の無機微結晶の製造方法は、無機微結晶の原料となる溶液またはスラリーを温度（１）にて保持し、次いで、この温度（１）に保持された溶液またはスラリーを温度（１）と異なる温度（２）に保持して結晶核を析出させ、次いで、この溶液またはスラリー中の結晶核を温度（３）にて結晶成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸素と亜鉛とが実質的に化学量論的に等量の組成、すなわちストイキオメトリー組成であって電気比抵抗が極めて高い酸化亜鉛単結晶、この酸化亜鉛単結晶より得られるエピタキシャル成長用基板及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】酸素と亜鉛とが実質的に化学量論的に等量の組成であり、電気比抵抗が１×１０^９Ω・ｃｍ以上である酸化亜鉛単結晶、それより得られるエピタキシャル成長用基板およびそれらの製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】 青色発光ダイオードなどに利用する結晶基板に水晶基板を用いたときに、工程で加熱することにより結晶の転移を原因とするクラックや破損を解決するためになされた。
【解決手段】 本発明では、発光ダイオードなどのＭＯＣＶＤでキューリー点を超える温度に加熱されたときに生じる、結晶構造の変化を受けないようにするため、α水晶に戻らないようにβ水晶のままとするため水晶結晶内にAlイオンと１族金属イオン、例えばＬｉ等のイオンを水熱合成法により取り込まれることにより解決した。 （もっと読む）

【課題】 ソルボサーマル法による単結晶の製造に際し、単結晶への不純物の混入を防止すると共に、高品質の単結晶を工業的製造規模で製造することを可能にする。
【解決手段】 超臨界状態を内部に維持する圧力容器本体１を耐熱合金で構成し、該容器本体の一部を開口して該圧力容器の内面と前記開口の外周縁全周とに亘って耐食性メカニカルライニング５を設け、前記開口外周縁に形成した耐食性メカニカルライニングからなる気密合わせ面と、カバー２内面の耐食性メカニカルライニングカバー６の気密合わせ面とで、前記開口を耐食性ガスケットを介して封止する。圧力容器本体およびカバーの内面が耐食性メカニカルライニングで覆われて腐食が防止される。耐食性メカニカルライニングは、カバーとの間で気密合わせ面のシール性を確保し、気密シール部での腐食も有効に防止し該気密シール部での繰り返し開閉が可能になる。 （もっと読む）

本発明は、アルカリ金属イオンを含む超臨界アンモニア含有溶媒中のガリウム含有フィードストックの溶解により作られる超臨界アンモニア含有溶液から、結晶化温度及び／又は圧力下で、より小さいエレメンタリーシードの上でガリウム含有窒化物を選択的に結晶化して、より大きい面積のガリウム含有窒化物の基板を得る方法に関し、２以上のエレメンタリーシードを備える工程と、２以上の離れたシードの上で選択的な結晶化を行い、組み合わせた、より大きい合成シードを得る工程とを含む。組み合わせた、より大きな合成シードは、新しい成長工程のシードに用い、そして、ガリウム含有窒化物の単結晶のより大きな基板を得るために用いる。
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【課題】各種デバイス用基板として有用な高純度で均一な六方晶系ウルツ鉱型単結晶を提供する。
【解決手段】柱状の種結晶から少なくともｍ面について結晶成長させることによって得られたＡＸ（Ａは陽性元素、Ｘは陰性元素）で表される六方晶系のウルツ鉱型化合物単結晶であって、陽性元素Ａ以外の金属のうち２価の金属および３価の金属の濃度が１０ｐｐｍ以下でかつ、それらの濃度のばらつきがいずれも１００％以内である結晶。 （もっと読む）

高圧高温処理条件下で、実質的に空気を含まない環境中に１種以上の反応体及び超臨界流体を収容するためのカプセル。本カプセルは、閉鎖端、閉鎖端に接して閉鎖端から延在する１以上の壁体、及び閉鎖端の反対側で１以上の壁体に接する封鎖端を含んでいる。１以上の壁体、閉鎖端及び封鎖端は、反応体と、高温及び高圧で超臨界流体になる溶媒とを収容するための内室を内部に画成する。本カプセルは変形可能な材料で形成されており、流体不透過性であると共に、処理条件下で反応体及び超臨界流体に対して化学的に不活性である。処理条件は、一般に５ｋｂａｒ及び５５０℃を超え、好ましくは５〜８０ｋｂａｒの圧力及び５５０〜約１５００℃の温度にある。本発明は、カプセルに溶媒を充填してカプセルを密封する方法並びにカプセルを密封するための装置も包含する。
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