【課題】Li濃度が極低濃度で、抵抗率の高い各種デバイス用酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】実質的にLiを含まない原料２６および鉱化材溶液を用いるとともに、過酸化物の存在化で酸素分圧を高めて水熱合成することにより、所望の酸化亜鉛単結晶を得る。過酸化物は、過酸化水素に代表される過酸化物を少なくても１種以上、分解で生じる酸素換算で鉱化材溶液に対し0.02〜0.5モル/リットルの範囲の濃度で加える。 （もっと読む）

【課題】リチウム濃度が十分に低く、高い結晶度を持った酸化亜鉛単結晶の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長温度の変動幅を５℃以内に抑えるか、あるいは、３００〜３７０℃の範囲内の温度にて、リチウム濃度が１ｐｐｍ（重量基準）以下の溶液を用いて水熱合成法によって酸化亜鉛結晶を成長させることにより、結晶中のリチウム濃度が５×１０14atoms/cm3以下で、（０００２）面反射におけるX線ロッキングカーブ測定による半値幅が５０秒以下である酸化亜鉛単結晶が得られる。 （もっと読む）

窒化ガリウムボウルの大規模製造方法である。大面積単結晶種プレートは、ラックに吊るされており、アンモニア及び鉱化剤と共に大直径加圧滅菌器又は内部加熱高圧装置中に配置されており、そして、アンモノサーマル法により成長される。種の方向及び取り付け配置は、種プレート、及び加熱滅菌器又は高圧装置中のかたまり、の効率的な利用を提供するように選択される。この方法は、非常に大きいかたまりにまで拡張可能であり、また費用効果が高い。
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【課題】第１３族元素窒化物の層から本質的に製造される高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）基板を提供する。
【解決手段】高移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）基板は超臨界アンモニア法においてシードに対し、該シードの成長方向に垂直な方向の結晶成長により得られる単結晶ＧａＮから形成され、表面欠陥密度が約１０²／ｃｍ²であって、該基板上に形成されるトランジスタに対しW-CDMAバンド（約２ＧＨz）が５０Ｗより低くなく、そのゲインが６０Ｖで２５ｄBより低くない性能パラメータを付与する。 （もっと読む）

超臨界流体を処理するための高圧装置及びそれに関連する方法を提供する。本装置は、カプセルとヒータと少なくとも１つのセラミック製のリングとを含むが、複数のリングであってもよく、このリングには、選択的に、１つ以上のスクライブマーク及び／又はクラックが存在する。本装置は、選択的に各セラミックリングを含む金属スリーブを有する。さらに、本装置は、高強度エンクロージャと、随伴した断熱材を有する端部フランジと、電力制御システムとを有する。本装置は、０．２〜２ＧＰａの圧力及び４００〜１２００℃の温度にすることができる。 （もっと読む）

本発明は、高品質のＩＩＩ族−窒化物ウェハーを作製する方法を開示し、この方法は、最初の欠陥がある種晶から熱アンモニア成長法により生成されるインゴットの結晶の性質において、改善をもたらす。湾曲した種結晶上で生成されるインゴットの、注意深く選ばれた領域から次の種晶を得ることにより、次のインゴットの結晶の性質は改善され得る。具体的には、上記の次の種晶は、クラックの入ったインゴット上の応力緩和の区画または注意深く選ばれたＮ−極圧縮区画から選ばれるとき、最適化される。この種晶がスライスされるとき、３°〜１０°のミスカットが引き続く成長の構造の質の改善に役立つ。 （もっと読む）

ソルボサーマル法を用いた高品質バルク六方晶系単結晶を成長させるための技術、ならびに高品質および高成長速度を同時に達成するための技術。結晶品質は成長面に大きく依存し、非極性または半極性種表面は、ｃ面種表面と比較してより高い結晶品質を提供する。また、成長速度は成長面に大きく依存し、半極性種表面は、より高い成長速度を提供する。高結晶品質および高成長速度は、好適な成長面を選択することにより同時に達成可能である。結晶品質はまた、種表面粗度にも依存し、高結晶品質は、非極性または半極性種表面ＲＭＳ粗度が１００ｎｍ未満である場合に達成可能であり、一方、Ｇａ面またはＮ面から成長した結晶は、原子的に平滑な表面から成長したとしても低い結晶品質をもたらす。
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【課題】工業的に適用可能な比較的低圧の条件下で、不純物の少ない高品質の窒化物、特に、窒化ガリウムの結晶を得ることができる製造装置を提供する。
【解決手段】密閉可能な窒化物結晶成長用の反応容器６が、密閉可能な耐圧性容器３内に挿入された構造を有する窒化物結晶の製造装置であって、反応容器６と耐圧性容器３との間に溶媒を充填しうる空隙を有する。また、反応容器６は少なくとも内側の表面が耐食性を有する材質からなる。 （もっと読む）

【課題】ストロンチウムドープマンガン酸ランタン微粒子、その製造方法及び用途を提供する。
【解決手段】ストロンチウム、ランタン及びマンガン化合物の混合水溶液をアルカリ水溶液でｐＨ６程度に調製し、亜臨界ないし超臨界状態の水を媒体として、３８０〜４５０℃で水熱反応させて、一次粒子径が５０ｎｍ以下であり、結晶化度が高いストロンチウムドープマンガン酸ランタン微粒子を製造する。
【効果】固体酸化物燃料電池等で使用される電極材料等として利用可能な、高温処理を必要としない、高結晶性で、かつ粒子径が５０ｎｍ以下のストロンチウムドープマンガン酸ランタン微粒子、その製造方法及びその応用製品を提供することができる。 （もっと読む）

本発明は、ＩＩＩ族窒化物インゴットあるいは、ウエハのような断片を製造する方法を開示する。アンモサーマル法によるウエハ成長における着色問題を解決するために、本発明は、ＩＩＩ族窒化物インゴットのアンモサーマル法による成長、インゴットのウエハへのスライス、ウエハの解離あるいは分解を避ける方法によるウエハのアニールからなる。このアニールプロセスは、ウエハの透明度を改善する、および／またはウエハから汚染を除去するのに効果的である。
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