【課題】大型で品質が良好なIII族窒化物結晶を簡便で効率良く短期間で製造すること。
【解決手段】窒化物結晶からなる複数の下地基板を配置する下地基板準備工程、該複数の下地基板上に気相法により窒化物結晶層を成長させて一体となったシードを得るシード作成工程、および、 該シード上にアモノサーマル法によりIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】人工水晶育成時の結晶の成長速度が大幅に向上するとともに、不純物及びインクルージョン含有量の少ない高品質の水晶を低原価で製造することができる人工水晶の製造装置を提供する。
【解決手段】人工水晶育成炉本体容器２１の下部領域２１ｂにおいてアルカリ溶液で溶融した原料水晶３０を、また、該本体容器２１の上部領域２１ａにおいて育成枠８に配設した種子水晶３に原料水晶３０を再結晶させて人工水晶を育成する人工水晶の製造方法及び装置２０において、該種子水晶３を前記容器２１の鉛直線を中心として所定角度傾け、かつ、反時計回り、または時計回りに回転らせん状に配設し、さらに前記種子水晶３を製品用種子水晶と、該製品用種子水晶と異なるカットの種子水晶から構成して、同じ前記人工水晶育成炉本体容器２１内に同時に配置して人工水晶を育成することを特徴とする人工水晶の製造方法及び装置。 （もっと読む）

【課題】成長した結晶の損傷を抑えながら安全かつ簡便で低コストに結晶を取り出すことができ、なおかつ使用した反応容器の再利用を図りやすくした窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器に原料とアンモニア溶媒を充填して密閉した後、耐圧性容器内に前記反応容器を設置し、さらに前記耐圧性容器と前記反応容器の間の空隙に第二溶媒を充填して前記耐圧性容器を密閉した後、前記反応容器中で超臨界または亜臨界アンモニア雰囲気において結晶成長を行い、さらに前記耐圧性容器と前記反応容器の間の空隙に存在するガスを排出することによって反応容器を破裂させる。 （もっと読む）

【課題】一般に入手可能な鉱化剤を用いながら、酸素濃度が低くて高純度の窒化物結晶を低コストで効率良く安全に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】結晶成長用の反応容器１内または反応容器１に繋がる閉回路内で、鉱化剤を昇華させた後に析出させる鉱化剤昇華精製工程と、反応容器１内にて、溶媒と精製した鉱化剤の存在下で、ソルボサーマル法によって反応容器１内に入れられた窒化物の結晶成長原料８から窒化物結晶を成長させる結晶成長工程を行う。 （もっと読む）

【課題】水熱合成法により酸化亜鉛単結晶を育成する際の酸素量の制御を容易に行うことができる酸化亜鉛単結晶の製造方法と、この製造方法により製造され得る酸化亜鉛単結晶を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛単結晶の製造方法において、過塩素酸及びその塩からなる群より選択される１種以上の酸素供給剤と、１種以上の鉱化剤とを含む水溶液を充填した密閉容器２４内で、水熱合成法により酸化亜鉛単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】水熱合成法による酸化亜鉛単結晶の育成に際し、酸化亜鉛単結晶の成長速度を速めることができる酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】育成用溶液と、育成用原料５と、種結晶６とを収容した密閉容器２４内で、水熱合成法により酸化亜鉛単結晶を育成する酸化亜鉛単結晶の製造方法において、育成用溶液として、アルカリ金属の水酸化物及びアルカリ金属の炭酸塩からなる群から選択される１種以上の鉱化剤と、酸とを含むアルカリ性の水溶液を用いる。 （もっと読む）

【課題】酸素などの不純物濃度が低い窒化物半導体結晶を速い成長速度で製造する方法を提供する。
【解決手段】反応容器内で超臨界および／または亜臨界状態の溶媒３存在下にて窒化物半導体結晶２の成長を行う際に、鉱化剤としてハロゲン化亜鉛を使用する。なお、ハロゲン化亜鉛以外の化合物であるハロゲン原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または希土類金属を含む化合物を併用してもよい。また、反応容器は、白金族又は白金族を含む合金からなるカプセルである。 （もっと読む）

【課題】防食性に優れている反応容器を用いて窒化物半導体結晶を効率良く育成し、育成後の反応容器の再利用を図りやすくすること。
【解決手段】反応容器内で超臨界および／または亜臨界状態の溶媒存在下にて窒化物半導体結晶の成長を行い窒化物半導体結晶を製造する際に、該反応容器内の空間に対して露出している、該反応容器及び該反応容器内で使用される部材の表面の少なくとも一部を、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｇ、ＰｄおよびＲｈからなる群より選択される少なくとも１種の貴金属を含む材料で構成し、且つ表面粗さ（Ｒａ）を０．０８μｍ〜３．０μｍとする。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な窒化物単結晶を速い速度で成長させる方法を提供する。
【解決手段】シード、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質、および前記溶媒の１．５〜１５ｍｏｌ％の量の鉱化剤を入れたオートクレーブ内の温度および圧力を、前記溶媒が超臨界状態および／または亜臨界状態となるように制御して前記シードの表面にアモノサーマル法により窒化物単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法により窒化物結晶を成長させる際に、反応容器の破損を防いで再利用を可能にするとともに、品質が高い結晶が得られるようにすること。
【解決手段】反応容器に少なくとも原料とアンモニアを充填して該反応容器を密閉した後、耐圧性容器内に該反応容器を装填し、前記耐圧性容器と前記反応容器の間の空隙にアンモニアを充填した後、該反応容器中を超臨界および／または亜臨界アンモニア雰囲気にして、該反応容器内で結晶成長を行う窒化物結晶の製造方法において、前記耐圧性容器と前記反応容器の間の空隙に充填したアンモニアが前記耐圧性容器に接触する面積が前記耐圧性容器内部の全表面積の５０％以下となるようにする。 （もっと読む）