【課題】フラックス法により、炉内で窒化物単結晶を育成するのに際して、炉内の温度差による窒化物単結晶の育成状態のムラや不良品の増加を防止することが可能な窒化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】溶液を収容するための坩堝、坩堝を収容する内側容器１６、内側容器１６を収容する加熱容器３１を備え、前記加熱容器３１は、発熱体１４、発熱体１４が設けられている容器本体１３、およびこの容器本体１３と組み合わされる蓋１２を備えている。更に、加熱容器３１を収容し、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気を充填するための圧力容器３０、および容器本体１３上に内側容器を支持する支持部材１７を備えており、支持部材１７、加熱容器１３および内側容器１６によって閉空間１８が形成されており、少なくとも一つの発熱体１９が閉空間１８に面している。 （もっと読む）

【課題】液相成長にて形成したＧａＮ結晶などのＩＩＩ族元素窒化物結晶を原料の中から短時間で取り出すことができる結晶の製造方法およびそれを用いた製造装置を提供する。
【解決手段】結晶を育成した後工程として、この結晶をフラックスから取り出す結晶の製造方法であって、フラックス処理槽４内に坩堝３を収納させ、この坩堝３をフラックス処理槽４内に入れる前、あるいは、入れた後に、前記フラックス処理槽４内にフラックス処理液１１を流入させ、前記坩堝３内には、種基板１６と、この種基板１６上に育成された結晶と、これらの種基板１６および結晶を覆ったフラックスとが収納された状態とし、前記フラックス処理液１１の電気導電率を測定し、この電気導電率の増分値が所定の値以下になった場合に前記フラックス処理液１１を交換する工程を有する結晶製造方法。 （もっと読む）

【課題】少なくともアルカリ金属をフラックス成分として用いるIII族窒化物結晶の結晶成長で、ＩＩＩ族窒化物結晶をルツボから取り出す際に、水素の発生なく、容易にIII族窒化物結晶を取り出す方法とそれに用いるIII族窒化物結晶取り出し装置を提供する。
【解決手段】アルカリ金属をフラックス原料として用いるIII族窒化物結晶の結晶成長後、ルツボ１から前記III族窒化物結晶２を取り出す結晶取り出し方法において、第1の不活性雰囲気下で前記ルツボ１を加熱して、ルツボ１内のフラックス３をフラックス回収容器８に移動して除去する第１のフラックス除去工程と、さらに残留するフラックス３を第２の不活性雰囲気下で加熱除去させる第２のフラックス除去工程を有するIII族窒化物結晶の取り出し方法であって、フラックス除去工程を、上記不活性雰囲気で行うので、水素が発生することなくＩＩＩ族窒化物結晶を取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】雑晶の発生を抑止し、良質な２Ｈ炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス２３に炭化珪素単結晶基板２５を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン２６を導入し、前記リチウムフラックス２３に前記メタン２６を接触させることにより、前記リチウムフラックス２３から前記単結晶基板２５上に２Ｈ炭化珪素単結晶２７を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】第１３族金属窒化物の結晶成長に適した高濃度のＧａ及び窒素を含む溶液又は融液を作成することにより、高品質な、第１３族金属窒化物の塊状単結晶を効率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】原料を溶媒に溶解して溶液または融液を作成する工程、該溶液または融液中で第１３族金属窒化物結晶の成長を行う工程、を備える第１３族金属窒化物結晶の製造方法において、溶媒として２種類以上の窒化物を用いる。溶媒に用いる窒化物としては、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物が好ましく、さらに好ましくはアルカリ金属窒化物から１種類以上、アルカリ土類金属窒化物から１種類以上選んで組み合わせるのがよい。さらに好ましくは窒化リチウムと窒化バリウムを組み合わせて用いるのがよい。溶媒として窒化物を２種類以上用いることにより、溶液が安定化して第１３族金属窒化物成分の分解を抑え、常圧下においても原料の溶解度が高くなる。 （もっと読む）

【課題】ガリウム及びナトリウムが含まれる融液中に窒素ガスを供給し、種基板に窒化ガリウム結晶を生成する窒化ガリウム基板の製造において、従来よりも坩堝の周囲の温度勾配を低減することによって、坩堝を均一に加熱することが出来る基板製造装置を提供する。
【解決手段】ヒータ１２ａが内部に取り付けられている第１の容器（内容器）１２と、第１の容器１２の内部に収容されている坩堝１４とを備え、第１の容器１２のヒータ１２ａによって坩堝１４を加熱することで坩堝１４内の融液３０に浸漬する種基板２０上に結晶基板を生成する基板製造装置Ａであって、第１の容器１２の内部に収容されると共に坩堝１４を収容する保温容器１３を備える。 （もっと読む）

【課題】低圧又は常圧で良質の第１３族金属窒化物結晶の製造方法、及び前記製造方法を用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１３族金属を含有するイオン源と、窒素を含有するイオン源とを、好ましくは溶融塩２中で反応させて第１３族金属窒化物結晶を得る第１３族金属窒化物結晶の製造方法であって、溶融塩２として、ハロゲン化Ｌｉかハロゲン化Ｎａの少なくとも一方を用い、ＬｉかＮａの少なくとも一方を生成する。 （もっと読む）

【課題】ガリウム及びナトリウムが含まれる融液に窒素ガスを供給することにより窒化ガリウム基板を製造する方法において、坩堝出し入れにかかわる作業性が向上しうる基板製造装置を提供する。
【解決手段】加圧及び加熱された処理容器６の内部に載置された坩堝１０内において種基板２０を融液３０に浸漬することによって上記種基板２０上に結晶基板を形成する基板製造装置であって、上記処理容器６の底部６ａ１，６ｂ１が、上記坩堝１０を載置可能であると共に下方に向けて取り外し可能とする。 （もっと読む）

【課題】作業性が高く、量産が可能な、フラックスを用いた液相法による結晶基板の製造装置を提供する。
【解決手段】例えば、種基板２０としてサファイア基板を用い、融液３０にガリウム及びナトリウムを含ませ、さらに窒素ガスを供給することによって、種基板２０上に結晶基板４０として窒化ガリウム基板が形成される結晶基板の製造装置において、上方に向けて開口する坩堝１０の上方端部１０ａに載置可能なフランジ部１０１と、該フランジ部１０１に固定されると共に上記フランジ部１０１が上記坩堝１０の上方端部１０ａに載置された場合に上記坩堝１０内の融液３０に浸漬されるアーム部１０２と、該アーム部１０２に形成されると共に上記融液３０に浸漬される種基板２０が係合される係合部１０３，１０４とを備えており、フランジ部を坩堝の上方端部へ載置、離間させることにより、融液への種基板の浸漬、引き上げを作業性よく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】高抵抗材料として有用なＭｎドープＧａＮ結晶のＭｎドープ量を制御したＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｎドープＧａＮ結晶の製造方法は、（ａ）粉末状のＭｎが添加されたＮａとＧａとの混合融液にＧａＮ種結晶基板５２が浸漬された育成容器５０を用意する工程と、（ｂ）該育成容器５０を密閉して真空引きしたあと窒素ガスを導入して該育成容器内５０を加圧窒素ガスの雰囲気にすると共に、育成容器５０の内容物を所定の結晶成長温度に加熱しつつ攪拌することにより、ＧａＮ種結晶基板上にＭｎドープＧａＮ結晶を成長させる工程と、を含むものである。この製造方法では、育成容器５０を密閉して真空引きするとき、育成容器５０内の粉末状のＭｎはＮａとＧａとの混合融液に添加されているため飛散することなく育成容器５０内にとどまる。 （もっと読む）