【課題】フラックスを用いたIII族窒化物単結晶の育成方法において、単位時間当たりの窒化物単結晶の育成量を増大させ、単結晶の品質や膜厚のバラツキを抑制するIII族窒化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】育成容器１を第一の姿勢で保持しつつ、溶液２への窒素の溶解を促進する。次いで、育成容器１を第二の姿勢で保持しつつ、種結晶基板４上への窒化物単結晶の育成を行う。このように第一の姿勢における溶液２の気液界面２ａの面積Ｂが、第二の姿勢における溶液２の気液界面２ａの面積Ａよりも大きくすることにより、溶液に溶け込んだ窒素が飽和に達するまでの時間の短縮が可能となる。 （もっと読む）

【課題】配管のデッドスペースの残留ガスおよび圧力容器内の雰囲気ガスが反応容器内に混入するのを防止して、ＩＩＩ族窒化物結晶の物性低下を防止できるＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長装置は、反応容器１と、反応容器１を収納する圧力容器５と、窒素原料ガス供給装置７と、真空排気装置８と、圧力容器５の壁を貫通して反応容器１と窒素原料ガス供給装置８とを繋ぐ第１の配管１０と、第１の配管１０の圧力容器５の外側の途中に形成されている第１のバルブ１１、第１の配管１０の窒素原料ガス供給装置７と第１のバルブ１１との間の管部１０ｂと真空排気装置８とを繋ぐ第２の配管２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物種結晶を含み、ＩＩＩ族窒化物種結晶は主領域１ｓと主領域１ｓに対して＜０００１＞方向の極性が反転している極性反転領域１ｔとを有する下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主領域１ｓおよび極性反転領域１ｔ上に液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程を含み、ＩＩＩ族窒化物結晶１０は、酸化物の反応容器７内で成長され、主領域１ｓ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の大きい第１の領域１０ｓが、極性反転領域１ｔ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の小さい第２の領域１０ｔを覆う。 （もっと読む）

【課題】液相法において結晶成長中に転位が増殖しないＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶１０と同じ化学組成を有しかつ一主面１ｍを有するＩＩＩ族窒化物種結晶１ａを含む基板１を準備する工程と、基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属を含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程とを備え、ＩＩＩ族窒化物結晶１０の結晶成長速度は、ＩＩＩ族窒化物結晶１０の転位が増殖を始める臨界結晶成長速度未満である。 （もっと読む）

【課題】配管のデッドスペースの残留ガスおよび圧力容器内の雰囲気ガスが反応容器内に混入するのを防止して、ＩＩＩ族窒化物結晶の物性低下を防止することができるＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置は、反応容器１と窒素原料ガス供給装置７とを繋げる第１の配管１０と、第１の配管１０と第１の真空排気装置８とを繋げる第２の配管２０と、第１の配管１０の途中に形成されている第１の気密仕切り１１ｄを備え、反応容器１は第１の気密仕切り１１ｄにより気密にされており、第１および第２の配管１０，２０の内部を真空排気する際または反応容器１内に窒素原料ガス９を供給する際に、第１の配管１０の第１の気密仕切り１１ｄの気密性が反応容器１側と窒素原料ガス供給装置７側との圧力差により破られる。 （もっと読む）

【課題】転位密度の小さな結晶を生産性よく成長させることができる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】反応容器５内に基板７を設置した後、加熱装置４を用いて、反応容器５の温度が原料金属の融点以上になるように加熱し、原料金属が融解させ原料液８を得る。原料液は１ｍｍ以下の薄膜として基板７上に形成されることが好ましい。つづいて原料ガスを、供給部２０である供給装置２１から接続パイプ２３を介して、耐熱耐圧容器３内に供給することにより原料液８と原料ガスとを反応させ、原料液８と原料ガスとの化合物の結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属を用いたフラックス法によるIII族窒化物半導体の製造において、坩堝回転軸の回転を阻害しない構造のIII族窒化物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体製造装置は、坩堝１１を保持し回転させる回転軸１３と、回転軸１３の反応容器１０外部の部分を覆い、反応容器１０の内部と外部を遮断する回転軸カバー１５を有し、回転軸カバー１５には、窒素を供給する供給管１６が設けられている。ＧａＮ結晶の育成中、蒸発したＮａが隙間２４に入り込まないように、回転軸１３と回転軸カバー１５の隙間２４を通して窒素が反応容器１０内部へ供給され続ける。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体製造装置において、結晶成長中に混合融液のＮａ組成が変動しないようにすること。
【解決手段】図１に示すIII 族窒化物半導体製造装置は、反応容器１０と、反応容器１０内部に配置され、ＧａとＮａとの混合融液１７を保持する坩堝１１と、坩堝１１用の蓋１２と、反応容器１０を加熱する加熱装置１３と、反応容器１０内部に窒素を供給する供給管１４と、反応容器１０内部から外部へ排気する排気管１５と、により構成されている。蓋１２は、坩堝１１の内部側に凹んだ円錐形状である。ＧａＮの結晶成長中に蒸発したＮａは、蓋１２の坩堝１１内側の面１２ａに液化して付着するが、蓋１２の傾斜によって効率よく混合融液１７中に回収することができる。そのため混合融液１７中のＮａ組成の変動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】液相法において大型で転位密度の低い結晶を成長させることができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、基板１を準備する工程を備え、基板１は一主面側にＩＩＩ族窒化物結晶１０と同じ化学組成を有しかつ平坦な主面１ｍを有するＩＩＩ族窒化物種結晶１ａを含み、基板１の主面１ｍにＩＩＩ族金属とアルカリ金属とＶＩ族元素含有物を含む溶媒３に窒素含有ガスを溶解させた溶液を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程をさらに備え、ＩＩＩ族窒化物結晶１０の結晶成長面１０ｇは複数のマクロステップ１０ｇｐ，１０ｇｑを含み、各マクロステップはステップ面１０ｇｓとテラス面１０ｇｓを有し、テラス面が平坦な状態でＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、液相法により少なくとも１種類の金属元素を含有する溶媒とＩＩＩ族元素とを含む結晶成長用液体２を用いて第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、金属元素の少なくとも１種類を含む結晶処理用液体４中で第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を熱処理する工程と、熱処理がされた第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０上に気相法により第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）