【課題】 感度の高い半導体力検出装置を提供する。
【解決手段】 梁状に加工した半導体薄膜、または、半導体薄膜と絶縁体薄膜あるいは金属薄膜を接合し、かつ梁状に加工した積層薄膜を備え、この半導体薄膜または積層薄膜によって形成される梁の弾性的な変形を検出することにより、この梁に加わった微小な力を検出するメカニカルな半導体力検出装置において、前記半導体薄膜、または前記積層薄膜を構成する前記半導体薄膜は、２次元の低次元量子構造として作用する、表面のフェルミ準位が拘束されたＩｎＡｓ薄膜であり、前記ＩｎＡｓ薄膜の膜厚が、当該ＩｎＡｓ薄膜に形成される量子準位が前記拘束された表面のフェルミ準位と一致する膜厚とした。 （もっと読む）

【課題】低コストの圧力センサーを提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサー１は、基板１０とこの基板１０上に設けられた有機トランジスタ１００とを備えている。有機トランジスタ１００は、有機半導体層４０と、有機半導体層４０に接触して設けられたソース領域３０及びドレイン領域６０と、有機半導体層４０内に設けられ、かつソース領域３０とドレイン領域６０との間のチャネルとなるチャネル領域４５と、チャネル領域４５に電界を印加可能なゲート電極５０と、チャネル領域４５とゲート電極５０との間に設けられたゲート絶縁膜２０と、を有している。有機トランジスタ１００は、チャネル領域４５及び／又はゲート絶縁膜２０を感圧部とし、感圧部で感圧した際に特性変化を生じることで感圧素子として機能する。 （もっと読む）

【課題】 回路基板と絶縁性基板を備えた回路装置において、表面電極と貫通電極を電気的に良好に接続するとともに、回路基板と絶縁性基板を接合したときに生じる不具合を抑制する。
【解決手段】 回路装置１００は、回路基板１２と絶縁性基板４を備えている。回路基板１２は、表面に作り込まれている回路素子と、その回路素子に電気的に接続されているとともに表面から突出する表面電極８を有する。絶縁性基板４は、表面と裏面の間を貫通している貫通電極２と、その貫通電極２の近傍に設けられているとともに他の領域よりも曲げ剛性が低い低剛性領域１６を有する。回路基板１２と絶縁性基板４は、表面電極８と貫通電極２が接した状態で接合している。 （もっと読む）

【課題】導電型歪みセンサをデバイスの表面上で形成するための、より簡単な方法を提供する。
【解決手段】本発明は、デバイスの表面における歪みを計測するために、該デバイスの該表面で導電型歪みセンサを形成するための方法であって、ステップ：（ａ）デバイスを準備すること、（ｂ）任意的に該デバイスの表面に絶縁層を設けること、（ｃ）ステップ（ｂ）で得られた該絶縁層の上に第１の金属の粒子の分布を作ること、および（ｄ）ステップ（ｃ）で得られた該第１の金属の粒子の分布の少なくとも一部分の上に、無電解めっき法又は電着法を用いて第２の金属の層を堆積させること、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の端部上に設けてあり、エッチングによる除去が可能な犠牲層と、犠牲層上にてその一端部が支持されており、曲げ変形可能な変形層と、変形層上に設けてあり、内部応力を有している応力層とを備える片持ち梁及び力センサにおいて、大掛りな装置を用いることなく、内部応力に比して靱性が高く破壊し難い応力層を形成することができ、また変形層に検出部を設けるときには、検出部と応力層との絶縁を考慮する必要のない片持ち梁及び力センサの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１、犠牲層２及び変形層３を順次積層してなる基礎部１０上にピエゾ抵抗素子４を設ける工程と、基礎部１０上に有機物を含む溶液を塗布し乾燥させて応力層５を設ける工程と、応力層５及び変形層３に、犠牲層２に至っておりエッチャントを流入させる流入凹部６を設ける工程と、流入凹部６に前記エッチャントを流入させて、犠牲層２の一部を除去する工程とを備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、出力信号の感度を向上させることができる力学量センサを提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の力学量センサは、変形部３０と押圧部３３との接続箇所に押圧部３３の重心が位置するように構成することにより、基板２１における押圧部３３が基板２１に対して平行な状態を保ったまま変形する構成としたものであり、変形部の変形の変曲点が変形部の長手方向の略中央に生じるため、一対の歪抵抗素子の一方に引張応力を生じさせるとともに、他方に圧縮応力を生じさせることができ、これにより、出力信号の感度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】圧力によって電気抵抗値が変わる座金形状の圧力検出素子を用いるとき、圧力によって変化する電気抵抗値を効率良く電圧に変換するとともに圧力によって変化した電圧変化分を感度良く増幅器に受け渡す回路を提供すること。
【解決手段】圧力によって電気抵抗値が変わる圧力検出素子において、座金形状圧力検出素子の上下に付けられた電極の両端を定電流駆動することによって圧力の変化を効率良く電圧値の変化に読替えを行う、またその直後にコンデンサ１２を直列に挿入し、これにより圧力変化によらない電気抵抗値の変化等の直流的に変化する外乱を排除し、圧力変化による電気抵抗値変化を感度良く電圧変化として増幅器１３の入力に受け渡すことができる。 （もっと読む）

【課題】歪み抵抗素子と同等の熱影響を受け、応力の影響を受けず、かつ歪み抵抗素子と同等の伝熱量特性を有する箇所に温度補償用抵抗素子を設け、精度の高い温度補償を行って高精度の応力検出を行える力覚センサ用チップを提供する。
【解決手段】力覚センサ用チップは、外力作用領域部４Ａと非変形領域部４Ｂを有する作用部４、この作用部を支持する支持部３、および作用部と支持部を連結する連結部５Ａ〜５Ｄを備える半導体基板２と、連結部の変形発生部に設けられる歪み抵抗素子Ｓxa1，Ｓxa2，Ｓxb1，Ｓxb2，Ｓya1，Ｓya2，Ｓyb1，Ｓyb2と、作用部の非変形領域部上に設けられる温度補償用抵抗素子１１を備える。上記構成で、変形発生部での歪み抵抗素子の配置箇所周辺構造と、非変形領域部での温度補償用抵抗素子の配置箇所周辺構造とが同じである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トリミング用の抵抗を追加することなく電気的出力の調整を行うことができる力学量センサの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の力学量センサの製造方法は、固定部１と、この固定部１に接続された弾性変形可能な第１の片持ち梁部２と、この第１の片持ち梁部２の先端に形成された作用部である第１のおもり部４と、前記第１の片持ち梁部２の上面に形成された第１のピエゾ抵抗素子６〜第４のピエゾ抵抗素子９と、この第１のピエゾ抵抗素子６〜第４のピエゾ抵抗素子９の上面でこの第１のピエゾ抵抗素子６〜第４のピエゾ抵抗素子９と電気的に接続された一対の接続電極１６とを備えた力学量センサにおいて、抵抗値調整のために前記接続電極１６をトリミングする工程を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トリミング用の抵抗を追加することなく電気的出力の調整を行うことができる力学量センサの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の力学量センサの製造方法は、固定部１と、この固定部１に接続された弾性変形可能な第１の片持ち梁部２と、この第１の片持ち梁部２の先端に形成された作用部である第１のおもり部４と、前記第１の片持ち梁部２の上面に形成された第１のピエゾ抵抗素子６〜第２のピエゾ抵抗素子７と、この第１のピエゾ抵抗素子６〜第２のピエゾ抵抗素子７と電気的に接続された一対の接続電極１６とを形成した後、前記第１のピエゾ抵抗素子６〜第２のピエゾ抵抗素子７をトリミングして長方形の第１のピエゾ抵抗素子６〜第２のピエゾ抵抗素子７を形成する工程を備えたものである。 （もっと読む）